1、 1 T a 证 券 研 究 报 告 证 券 研 究 报 告 公 司 深 度 研 究 公 司 深 度 研 究 澜起科技（澜起科技（688008）电子 瑞气转绡縠，“芯”光泛波澜瑞气转绡縠，“芯”光泛波澜 投资要点：投资要点： 公司与公司与Intel和清华大学深度合作，内存接口芯片和清华大学深度合作，内存接口芯片技术技术世界世界领先。领先。 公司内存接口芯片客户覆盖三星、 SK海力士、 美光等DRAM赛道龙头客户， 同时与全球主流服务器CPU厂商Intel建立深度合作关系，清华大学提供技 术支持。强劲的研发能力保障公司产品技术保持领先地位。 内存接口芯片产品结构升级带动盈利提升，受益内存接口芯片
2、产品结构升级带动盈利提升，受益DDR5放量公司有望放量公司有望 实现量价齐升。实现量价齐升。 公司内存接口芯片产品2019年实现营收17.21亿元，同比下降1.6%，主要 由于下游DRAM需求低迷。我们预计，疫情催生的云服务器需求大幅增长 带动的DDR内存增长将推动公司内存接口芯片放量提升。同时，预计新世 代DDR5在2020年开始放量带动公司产品单价提升，公司内存接口芯片业 务将迎来量价齐升格局。 津逮服务器及其他产品进展顺利，提供未来增长动能津逮服务器及其他产品进展顺利，提供未来增长动能。 公司已具备批量供货能力，联想、长城等数家服务器OEM厂商已采纳津逮 CPU及其系统解决方案，但目前公
3、司津逮服务器仍处于推广阶段，营收贡 献仍然较小。其他产品方面，公司在PCIe 4.0高速I/O接口领域取得了关键 核心技术的突破，已完成PCIe 4.0 Retimer芯片的工程样片的流片，人工智 能相关芯片架构定义和技术可行性研究已初步完成。 盈利预测盈利预测 预计公司2020-2022年营收为21.13亿、 34.06亿、 47.20亿， 净利润为10.09 亿、16.03亿、22.18亿，EPS为0.89元、1.42元、1.96元，对应PE为112x、 70 x、51x。考虑公司在内存接口芯片的龙头地位以及服务器CPU的未来市 场空间，给予公司125x估值，给予推荐评级， 风险提示风险提
4、示 公司研发不及预期，下游DRAM和服务器需求增长不及预期，下游客户导 入不及预期。 Ta bl e_ Fir st| Ta bl e_ Summar y| Ta bl e_ Excel1 财务数据和估值财务数据和估值 2018A 2019A 2020E 2021E 2022E 营业收入（百万元） 1,757.66 1,737.73 2,112.62 3,406.24 4,720.34 增长率（%） 43.19% -1.13% 21.57% 61.23% 38.58% EBITDA（百万元） 783.61 919.17 942.28 1,546.11 2,163.37 净利润（百万元） 736
5、.88 932.86 1,009.02 1,602.78 2,218.41 增长率（%） 159.50% 26.60% 8.16% 58.85% 38.41% EPS（元/股） 0.65 0.83 0.89 1.42 1.96 市盈率（P/E） 152.97 120.83 111.71 70.33 50.81 市净率（P/B） 31.18 15.38 13.52 11.34 9.27 EV/EBITDA 125.36 115.03 111.28 66.87 46.85 2020 年 05 月 20 日 投资建议：投资建议： 推荐推荐 上次建议：上次建议： 推荐推荐 当前价格：当前价格： 99.
6、77 元 基本数据基本数据 总股本/流通股本（百万股） 1129.81/79.09 流通 A 股市值（百万元） 8310.65 每股净资产（元） 6.80 资产负债率（%） 6.03 一年内最高/最低（元） 126.70/67.22 一年内股价相对走势一年内股价相对走势 马群星 分析师 执业证书编号：S0590516080001 电话： 邮箱： 相关报告相关报告 1、 澜起科技（688008）科创版行业行业 内存接口芯片龙头， 津逮服务器打开千亿市场 请务必阅读报告末页的重要声明 -25% 25% 75% 2019-07-222019-11-222020-03-22
7、澜起科技沪深300 2 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 正文目录正文目录 1.1. 内存接口芯片的国际龙头，技术领先内存接口芯片的国际龙头，技术领先 . 4 4 1.1. 澜起科技简介 .4 1.2. 公司持续的研发优势是赛道龙头的最有力保障 .5 2.2. 内存接口芯片联协服务器芯片，产品结构持续升级优化内存接口芯片联协服务器芯片，产品结构持续升级优化 . 7 7 2.1. 内存接口芯片 .7 2.2. 津逮服务器平台 .9 2.3. PCIe Retimer .9 3.3. 内存三家独大，内存三家独大，DDR5DDR5 升级有望继续推动公司量价齐升升级有望继续推动公
8、司量价齐升 . 1010 3.1. 存储器在半导体领域中单项市场规模最大，且行业集中度极高 . 10 3.2. DDR5 加速渗透，DRAM 受益云服务需求增长市场回暖 . 11 4.4. 疫情催生云计算新需求，云厂商持续加码疫情催生云计算新需求，云厂商持续加码 IDCIDC 建设建设 . 1414 4.1. 5G 持续推动云基础建设，供给端 2020 年有望回暖 . 14 4.2. AI 产业加速落地，需求端结构多样化 . 16 4.3. 津逮服务器已具备批量供应能力，布局 AI 芯片有望成为新增长点 . 16 5.5. 盈利预测盈利预测 . 1717 5.1. 预计公司 2020-2022
9、 年营收为 21.13 亿、34.06 亿、47.20 亿 . 17 图表目录图表目录 图表图表1：内存接口芯片：内存接口芯片 .4 图表图表2：津逮服务器：津逮服务器CPU以及混合安全内存模组以及混合安全内存模组 .4 图表图表3：公司股权结构（：公司股权结构（IPO前）前）.4 图表图表4：公司：公司2020年一季报公布的前年一季报公布的前十股东十股东 .5 图表图表5：公司：公司DDR4全缓冲全缓冲“1+9”架构示意图架构示意图 .6 图表图表6：Intel .6 图表图表7：清华大学：清华大学 .6 图表图表8：公司职工占比：公司职工占比 .7 图表图表9：公司职工受教育程度：公司职工
10、受教育程度 .7 图表图表10：公：公司内存接口示意图司内存接口示意图.8 图表图表11：公司内存接口芯片产品情况：公司内存接口芯片产品情况 .8 图表图表12：津逮服务器基本情况：津逮服务器基本情况.9 图表图表13：集成电路芯片应用领域占比：集成电路芯片应用领域占比 . 10 图表图表14：存储器细分市场格局：存储器细分市场格局. 10 图表图表15：存储器市场规模预测（单位：亿美元）：存储器市场规模预测（单位：亿美元） . 11 图表图表16：DRAM市场竞争格局市场竞争格局 . 11 图表图表17：DRAM市场规模（亿美元）市场规模（亿美元） . 11 图表图表18：DXI指数指数 .
11、 12 图表图表19：Intel DCG部门部门20Q1增长率增长率 . 12 图表图表20：DRAM下游应用占比下游应用占比 . 13 图表图表21：公司内存接口芯片营收预测：公司内存接口芯片营收预测 . 14 图表图表22：全球服务器出货量（万台：全球服务器出货量（万台） . 14 图表图表23：全球服务器出货金额（亿美元）：全球服务器出货金额（亿美元） . 14 图表图表24：中国服务器出货量（万台）：中国服务器出货量（万台） . 15 图表图表25：中国服务器出货金额（亿美元）：中国服务器出货金额（亿美元） . 15 图表图表26：全球服务器市场竞争：全球服务器市场竞争格局格局 . 1
12、5 . 15 qRpQoPpMnQpOwPmOvNsOxP9PdN6MpNnNpNmMfQpPnQiNnPnP7NnNyRMYoMoQwMnQpN 3 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 图表图表28：2019年中国年中国AI服务器市场竞争格局服务器市场竞争格局 . 16 图表图表29：公司盈利项目拆分（单位：百万元）：公司盈利项目拆分（单位：百万元） . 18 图表图表30：公司财务数据（单位：百万元）：公司财务数据（单位：百万元） . 18 图表图表31：可比上市公司估值：可比上市公司估值 . 19 图表图表32：财务预测摘要：财务预测摘要 . 20 4 请务必阅读报告
13、末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 1. 内存接口芯片的国际龙头，技术领先内存接口芯片的国际龙头，技术领先 1.1. 澜起科技简介澜起科技简介 公司于 2004 年由杨崇和博士和核心团队创立，主营业务是为云计算和人工智能 领域提供以芯片为基础的解决方案。公司经营模式为 Fabless（无晶圆厂 IC 设计企 业） ，主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器 CPU 以及混合安全内存模组。公司产 品性能已在行业内获得高度认可， 公司服务器产品已被广泛应用于数据中心、 云计算 和 AI 领域，满足新一代服务器对高性能、高可靠性和高安全性的需求。 图表图表1：内存接口芯片内存接口芯片 图表图表2：
14、津逮服务器津逮服务器CPU以及混合安全内存模组以及混合安全内存模组 来源：公司官网，国联证券研究所 来源：公司官网，国联证券研究所 图表图表3：公司股权结构（公司股权结构（IPO前）前） 5 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 公司股权结构分散，除第一大股东外其余持股都低于 10%，前十股东合计持股 60.56%。公司第一大股东中国电子投资控股有限公司，公司 IPO 后目前持股比例为 14.31%。2016 年 Intel 与三星对澜起科技战略投资，投资额为 2 亿美元，投后估值 为 18 亿美元。目前 Intel 仍然是公司第二大股东，持股 9%。杨崇和博士和高管、技 术
15、团队通过 WLP Capital 与珠海融英持股。 图表图表4：公司公司2020年一季报公布的前十股东年一季报公布的前十股东 排名 股东名称 期末参考市值（亿元） 占总股本比例(%) 1 中国电子投资控股有限公司 129.0338 14.31 2 Intel Capital Corporation 81.1331 9.00 3 WLT Partners, L.P. 70.0689 7.77 4 珠海融英股权投资合伙企业(有限合伙) 55.2667 6.13 5 上海临理投资合伙企业(有限合伙) 42.6930 4.74 6 中信证券投资有限公司 42.6017 4.73 7 上海齐银股权投资基
16、金管理有限公司-嘉兴宏越投资 合伙企业(有限合伙) 35.3053 3.92 8 Xinyun Capital Fund I, L.P. 35.3053 3.92 9 深圳金石中睿投资管理有限公司-金石中睿一期(深 圳)股权投资合伙企业(有限合伙) 28.1615 3.12 10 上海君桐股权投资管理有限公司-嘉兴萚石三号投资 合伙企业(有限合伙) 26.3085 2.92 合计 545.8779 60.56 来源：Wind，国联证券研究所 同时，公司除扎根中国外，在昆山、美国加州、香港、澳门、韩国等地都设有分 支机构或办事处， 在重要区域派驻工程师及销售人员直接对接重要客户， 快速且深入 的
17、了解行业发展趋势，有效提升了公司研发效率。 1.2. 公司持续的研发优势是赛道龙头的最有力保障公司持续的研发优势是赛道龙头的最有力保障 公司拥有领先的技术优势与持续创新的研发能力 公司自创立以来， 专注于持续的技术研发和创新。 公司已具备自有集成电路设计 平台，包括数字信号处理、内存管理与数据缓冲技术、模拟电路设计技术、高速逻辑 与接口电路设计技术以及低功耗设计技术， 方案集成度高， 可有效提高系统能效和产 品性能。公司发明的 DDR4 全缓冲“1+9”架构被 JEDEC（全球微电子产业的领导 标准机构）采纳为国际标准，其相关产品已成功进入国际主流内存、服务器和云计算 领域，并占据全球市场的主
18、要份额。 6 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 图表图表5：公司公司DDR4全缓冲“全缓冲“1+9”架构”架构示意图示意图 来源：公司公告，国联证券研究所 同时，公司积极研发下一代 DDR5 相关技术，2019 年公司已完成符合 JEDEC 标准的第一子代 DDR5 RCD 及 DB 芯片工程样片的流片，第一子代 DDR5 RCD 及 DB 芯片工程样片于 2019 年下半年送样给公司主要客户和合作伙伴进行测试评估。 2019 年公司与合作伙伴已完成符合 JEDEC 标准的 DDR5 服务器内存模组电源管 理芯片(PMIC)，温度传感器(TS) 和串行检测芯片（SPD）工
19、程样片的流片，并送样 给内存模组厂商评估。这三款芯片均为 DDR5 内存模组的配套芯片，将与 DDR5 内 存接口芯片、DDR5 内存颗粒一起组成 DDR5 内存模组整体解决方案。 公司拥有显著的行业生态优势 公司内存接口芯片客户覆盖三星、SK 海力士、美光等 DRAM 赛道龙头客户，同 时与全球主流的处理器供应商、 服务器厂商、 内存模组厂商及软件系统提供商建立了 长期稳定的合作关系。2016 年，公司与 Intel、清华大学以及国内知名服务器厂商， 合作开发津逮服务器平台产品，大力拓展数据中心产品市场。同时，公司积极与 JEDEC 合作交流，深度参与制定行业标准。 图表图表6：Intel
20、图表图表7：清华清华大学大学 来源：Intel 公司官网，国联证券研究所 来源：清华大学官网，国联证券研究所 7 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 公司拥有优秀的研发人才团队 公司董事长杨崇和博士曾在美国国家半导体公司等企业任职，并于 1997 年与同 仁共同创建硅谷模式的集成电路设计公司新涛科技。杨崇和博士于 2010 年当选美国 电气和电子工程师协会院士（IEEE Fellow） ，积累了丰富的设计、研发和管理经验。 公司总经理 Stephen Kuong-Io Tai 先生曾参与创建 Marvell 科技集团并就任该公司的 工程研发总监，拥有逾 25 年的半导体架构
21、、设计和工程管理经验。 同时， 公司核心团队多毕业于国内外著名高校。 团队中技术人员占比超 64%， 硕 士及以上学历占比超 46%，为公司持续的产品创新提供了重要的人才基础。 图表图表8：公司职工占比公司职工占比 图表图表9：公司职工受教育程度公司职工受教育程度 来源：公司公告，国联证券研究所 来源：公司公告，国联证券研究所 2. 内存接口芯片联协服务器芯片，产品结构持续升级优化内存接口芯片联协服务器芯片，产品结构持续升级优化 2.1. 内存接口芯片内存接口芯片 内存接口芯片是服务器内存模组（又称“内存条” ）的核心逻辑器件，作为服务 器 CPU 存取内存数据的必由通路， 其主要作用是提升内
22、存数据访问的速度及稳定性， 满足服务器 CPU 对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。内存接口芯片需与内 存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套，并通过服务器 CPU、内存和 OEM 厂商针对其功能和性能（如稳定性、运行速度和功耗等）的全方位严格认证，才能进 入大规模商用阶段。 在行业初期由于具有良好的发展前景，吸引了大量的行业主要厂商进入，DDR2 阶段的行业参与者超过 10 家。随着内存接口芯片技术的发展和行业精细化分工要求 的提高，行业集中度逐步提升，到 DDR3 阶段，行业主要参与者明显减少。而进入 DDR4 阶段， 目前在全球范围内从事研发并量产服务器内存接口芯片的主要包括 3
23、 家 公司，分别为澜起科技、IDT 和 Rambus。 公司依靠于 Intel 的合作在服务器 CPU 认证方面有天然优势，且通过与下游 DRAM 主要客户三星、 海力士、 美光的全覆盖以及联想等服务器厂商的合作， 在认证 方面明显优于同一赛道其他玩家。目前在行业内公司已确立了领先的行业地位。 技术人员 64% 销售人员 18% 综合管理人员 18% 硕士及以上 46% 本科 50% 大专 3% 大专以下 1% 8 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 图表图表10：公司内存接口示意图公司内存接口示意图 来源：公司公告，国联证券研究所 公司凭借具有自主知识产权的高速、 低功耗
24、技术， 长期致力于为新一代服务器平 台提供完全符合 JEDEC 标准的高性能内存接口解决方案。随着 JEDEC 标准和内存 技术的发展演变，公司先后推出了 DDR2 高级内存缓冲器、DDR3 寄存缓冲器及内 存缓冲器、DDR4 寄存时钟驱动器及数据缓冲器等一系列内存接口芯片，分别应用于 DDR2 FBDIMM（全缓冲双列直插内存模组） 、DDR3 和 DDR4 RDIMM（寄存式双列 直插内存模组）及 LRDIMM（减载双列直插内存模组） 。公司上述 DDR 系列内存接 口芯片已成功进入国际主流内存、 服务器和云计算领域， 并逐步占据全球市场的重要 份额。 图表图表11：公司公司内存接口芯片内
25、存接口芯片产品情况产品情况 技术世代 描述 应用 DDR4 Gen2 Plus DDR4 寄存时钟驱 动器芯片 DDR4 RDIMM、LRDIMM 和 NVDIMM，支持速率达 DDR4-3200 Gen2 Plus DDR4 数据缓冲器 芯片 DDR4 LRDIMM 和 NVDIMM，支持速率达 DDR4- 3200 Gen2.0 DDR4 寄存时钟驱动器 芯片 DDR4 RDIMM 和 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2666 Gen2.0 DDR4 数据缓冲器芯片 DDR4 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2666 Gen1.5 DDR4 寄存时钟驱动器 芯片 DDR4 RDIM
26、M 和 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2400 Gen1.5 DDR4 数据缓冲器芯片 DDR4 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2400 Gen1.0 DDR4 寄存时钟驱动器 芯片 DDR4 RDIMM 和 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2133 Gen1.0 DDR4 数据缓冲器芯片 DDR4 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2133 DDR3 DDR3 内存缓冲器芯片 DDR3 LRDIMM，支持速率达 DDR3-1866 DDR3 寄存缓冲器芯片（1.5V / 1.35V / 1.25V） DDR3 RDIMM，支持速率达 DDR3-1866 DDR3 寄存缓冲器
27、芯片（1.5V / 1.35V） DDR3 RDIMM，支持速率达 DDR3-1333 DDR2 DDR2 高级内存缓冲器芯片 DDR2 FBDIMM 来源：公司公告，国联证券研究所 9 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 2.2. 津逮服务器津逮服务器平台平台 公司津逮服务器平台是一款高性能的安全可信服务器平台， 尤其适用于对数据安 全有较高要求的数据中心。平台主要由公司的津逮系列服务器 CPU 和混合安全内存 模组组成。服务器 CPU 是具有预检测和动态安全监控功能的 x86 架构服务器，混合 安全内存模组采用公司具有自主知识产权的 Mont-ICMT（Montage,
28、 Inspection & Control on Memory Traffic）内存监控技术，可为服务器平台提供更为安全、可靠的 内存解决方案。 公司第一代津逮服务器平台自 2018 年底研发成功后，在 2019 年内处于验证、 测试、 推广及客户送样阶段， 目前已具备批量供货能力， 联想、 长城等数家服务器 OEM 厂商已采纳津逮 CPU 及其系统解决方案，研发出了系列高性能且具有安全监控功能 的服务器机型；同时，公司也与中标软件、百敖软件等各方持续合作，共同完善围绕 津逮服务器平台的软硬件生态建设。 图表图表12：津津逮服务器基本情况逮服务器基本情况 产品类型 产品名称 描述 产品样品 津
29、逮服务 器 CPU 津逮服务器 CPU 采用预检测（PrC）和 动态安全监控（DSC） 功能的 x86 架构处理器 混合安全 内存模组 标准版混合安全内存模 组（HSDIMM） LRDIMM 型安全内存 模组，全面支持命令/ 地址信号和交互数据的 示踪及动态管理 精简版混合安全内存模 组（HSDIMM-Lite） RDIMM 型安全内存模 组，支持命令/地址的 示踪和内存数据保护 来源：公司公告，国联证券研究所 2.3. PCIe Retimer PCIe（高速串行计算机扩展总线标准） 是一种点对点串行通信标准， 是全球应用 最广泛的高性能外设接口之一， 提供了高速传输带宽的解决方案， 已经在
30、多个领域中 得到广泛采用，其中包括高性能计算、服务器、存储、网络、检测仪表和消费类电子 产品等。 由于大数据、云计算、人工智能等领域对于超高速传输的需求，高速数据传输协 议由 PCIe 3.0（数据速率为 8GT/S）逐步发展为 PCIe 4.0（数据速率为 16GT/S）, 数据传输速度翻倍的同时带来了突出的信号衰减和参考时钟时序重整问题。 为了补偿 高速信号的损耗，提升信号的质量，通常会在链路中加入超高速时序整合芯片 （Retimer） 。PCIe Retimer 芯片将成为高速电路的重要器件之一。在国际上，针对 10 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 PCIe 4.
31、0 的 Retimer 芯片均处于研发阶段，没有形成成熟的产品销售链和产业化。 目前公司在 PCIe 4.0 高速 I/O 接口领域取得了关键核心技术的突破，已完成 PCIe 4.0 Retimer 芯片的工程样片的流片，性能指标和功能基本符合预期。 在其他方面，2019 年公司已初步完成了人工智能相关芯片架构定义和技术可行 性研究。建立了人工智能算法研究与评估软件环境，开发出基于 FPGA 的系统演示 和验证平台，并完成多个人工智能算法的运行验证。 3. 内存三家独大，内存三家独大，DDR5 升级升级有望继续推动公司量价齐升有望继续推动公司量价齐升 3.1. 存储器在半导体领域中单项市场规模
32、最大，且行业集中度极高存储器在半导体领域中单项市场规模最大，且行业集中度极高 依据 WSTS 统计，集成电路占半导体市场份额达 83.3%，存储器（Memory）又 占集成电路市场的 36.1%，高于逻辑、模拟和微处理器份额。DRAM 是存储器最大 细分市场，占比为 53%，NAND Flash 占 44%，Nor Flash 仅占 1%。 根据 IC Insights 市场预测， 2020 年受疫情影响，存储器市场规模与 2019 年持 平，为 1100 亿美元，并预计存储器市场在 2021 年重回增长轨道，达到 1331 亿美 元，2022 年预计存储器市场规模同比增长 29%至 1710
33、 亿美元。从 DRAM 玩家来 看，三星、海力士、美光已统治 DRAM 领域，三家占比达 95%，市场呈现寡头垄断 格局。 国内目前切入 DRAM 领域的有合肥长鑫。 合肥长鑫在 2019 年宣布 19nm DRAM 芯片量产，与国际主流 DRAM 产品实现同步。 图表图表13：集成电路芯片应用领域占比集成电路芯片应用领域占比 图表图表14：存储器细分市场格局存储器细分市场格局 来源：WSTS，国联证券研究所 来源：IC Insights，国联证券研究所 存储器件, 36.10% 逻辑电路, 29.80% 模拟电路, 18.60% 微处理器, 15.50% DRAM, 53% NAND Fla
34、sh, 44% Nor Flash, 1% 其他, 2% 11 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 3.2. DDR5 加速渗透，加速渗透，DRAM 受益云服务需求增长市场回暖受益云服务需求增长市场回暖 DRAM 市场 2019 年下滑，受益云服务 DRAM 将回暖 从单一 DRAM 市场看，2019 年由于价格大幅下降以及服务器、手机等下游需求 均出现同比下滑，市场空间出现下降，根据 TrendForce 数据统计，2019 年 DRAM 市场空间约 621 亿美元，同比下滑 38.6%。 图表图表17：DRAM市场规模（亿美元）市场规模（亿美元） 来源：智研咨询，国联证
35、券研究所 同时我们看到，快速增长的云计算市场成为 DRAM 的主要增长动力。去年出现 的市场失衡导致了供过于求，但是，自 2020 年初以来，第一季度的平均销售价格已 企稳。COVID-19 大流行的发展导致了全球封锁，远程工作和虚拟学习有所增加，进 一步推动了服务器和 PC 对 DRAM 的需求。 -60% -40% -20% 0% 20% 40% 60% 80% 0 200 400 600 800 1000 1200 200182019 市场规模增速（右轴） 图表图表15：存储器市场规模预测（单位：亿美元）存储器市场规模预测（单位：亿美元） 图表图表16：DRAM市场
36、竞争格局市场竞争格局 来源： IC Insights，国联证券研究所 来源：半导体行业观察，国联证券研究所 0 500 1000 1500 2000 20022 市场规模 三星, 45.75% SK海力士, 28.38% 美光, 21.06% 南亚科, 2.52% 其他, 2.29% 12 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 图表图表18：DXI指数指数 来源：Wind，国联证券研究所 云计算重要玩家 Google 和 Microsoft 在最近的 Earning Call 中表示将继续专注 于资本支出以进行服务器投资以增加产能， 而 ByteDanc
37、e， 阿里巴巴和腾讯的中国服 务器需求预计将增长 10-20。 作为服务器市场主要上游材料的 Intel DCG 部门（数据中心部门）销售数据可以 直接反应下游服务器制造商未来的出货量情况。最新 20Q1 数据显示，数据中心集团 （DCG）实现营业收入 69.93 亿美元，同比增长 43%，高于预期，其中平台数量和 均价分别同比增长 27和 13，预示服务器市场将迎来高增长。 图表图表19：Intel DCG部门部门2020Q1增长率增长率 来源：Intel，国联证券研究所 我们预计， 尽管消费电子产品中的内存需求将下降， PC 和服务器 DRAM 需求将 2020 年 DRAM 市场规模将重回正增速并于 2021 年开始快速增长。 0 5,000 10,000 15,000 20,000 25,000 30,000 35,000 2013-06-042015-06-042017-06-042019-06-04 DXI指数 13 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 新世代 DDR5 加速渗透，公司产
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