1、 国产半导体设备进口替代突破口之清洗设备 国产湿法清洗龙头盛美回归 清洗贯穿全流程，随着制程难度清洗贯穿全流程，随着制程难度增加、清洗步骤增加、清洗步骤 随之随之大增大增，对清洗设备需求，对清洗设备需求也将提升也将提升。1）硅片的加工过 程对洁净度要求非常高，几乎每一步加工都需要清除沾污，而 且随着未来制程不断先进、所需清洗步骤不断增多，清洗设备 需求量将成倍增长。2）目前晶圆清洗设备在晶圆制造设备中 的采购费用占比约为 6%，清洗方式有湿法和干法两种，目前生 产工艺中以湿法清洗为主、结合部分干法工艺，其中湿法设备 主要有单片晶圆清洗设备、槽式晶圆清洗设备、洗刷机等。 市场格局市场格局：日系占
2、据主导地位：日系占据主导地位，国产企业奋起直，国产企业奋起直 追追。1）假设清洗设备晶占晶圆制造设备的比重稳定，我们粗略 计算出全球半导体清洗设备 2019-2021 年的市场规模分别约为 28.68、29.18、32.06 亿美元。2）未来半导体清洗设备行业增长 的驱动力包括三部分：一方面是随着工艺的不断升级、制造流程 增多，清洗频率也将有所增加，清洗设备的需求量将不断提升； 二是集成电路制造工艺升级，芯片结构越发复杂、清洗难度升 级，如 3D 结构等需要在对芯片无伤情况下对内部结构进行清 洗；三是集成电路新型材料的出现，也对清洗工艺提出了新的需 求。3）从清洗设备的配备数量来看，通常 4
3、万片产能的产线 上，8 英寸线需要配备 50 台左右、12 英寸线需要 70 台左右，国 外部分厂商可以达到 120 台的配备，包括槽式晶圆清洗设备和单 片晶圆清洗设备。价格方面，6-8 个腔体的单片晶圆清洗设备价 格在 300-400 万美元/台，槽式价格大概在 100-200 万美元/台。 4）全球清洗设备市场中，日系企业占据绝对的主导地位，迪恩 士（DNS）市场份额大约为 60%、东京电子（Tokyo Electron）大 约为 30%，其他企业还有美国 Lam Research、韩国 SEMES 和 KCTECH 等，后二者主要供给韩国市场。 投资建议：投资建议：国产国产企业奋起直追，
4、龙头盛美回归在企业奋起直追，龙头盛美回归在 即即。目前中国市场和国际市场范围内，主要的湿法设备厂商仍 以日本和欧美为主，国内企业正奋起直追但占比仍较低，国内 市场中预计合计占比不超过 10%，未来湿法工艺设备的挑战和 机会都很大，目前国内湿法清洗设备供应商包括盛美半导体、盛美半导体、 北方华创、至纯科技、芯源微北方华创、至纯科技、芯源微等，均将有所受益，尤其是龙头 盛美兆声波单片清洗设备获得全球众多客户认可，子公司科创 板 IPO 申请已正式获上交所受理。 风险提示风险提示： 海外疫情超预期；国产化进度不及预期；相关企业市场订单获 取低于预期 评级及分析师信息 行业评级： 推荐 行业走势图 分
5、析师：刘菁分析师：刘菁 邮箱： SAC NO：S01 分析师：俞能飞分析师：俞能飞 邮箱： SAC NO：S02 联系人：田仁秀联系人：田仁秀 邮箱： 联系人：李思扬联系人：李思扬 邮箱： -2% 4% 9% 15% 21% 27% 2019/062019/092019/122020/03 专用设备沪深300 证券研究报告|行业深度研究报告 仅供机构投资者使用 Table_Date 2020 年 06 月 16 日 证券研究报告|行业深度研究报告 2 正文目录 1. 清洗是前道制程中的重要环节 . 3 1.1. 清洗应用在制程多环节 . 3 1.2.
6、 清洗方法：干法与湿法、单片与槽式 . 4 1.3. 清洗步骤需要不断重复去除沾污 . 7 2. 全球清洗设备日系占据主导地位，国产设备奋起直追. 7 2.1. 2021 年全球半导体清洗设备市场规模约为 32 亿美元. 8 2.2. 全球市场格局日系占据主导地位 . 9 2.3. 大基金二期已起航，“卡脖子”设备环节有望获得重点投资 . 9 3. 国内重点公司 . 11 3.1. 盛美股份国内清洗设备领先企业，子公司将回归科创板 . 11 3.2. 北方华创综合实力强劲的半导体设备供应商 . 13 3.3. 至纯科技高纯工艺龙头，半导体清洗设备后起之秀 . 15 3.4. 沈阳芯源微涂胶显影
7、领先企业向清洗设备进军. 17 4. 风险提示 . 18 图目录 图 1 清洗步骤贯穿 . 3 图 2 槽式清洗设备原理 . 6 图 3 单片清洗设备原理 . 6 图 4 半导体干法针对不同的沾污有不同的清洗方式 . 7 图 5 盛美半导体收入规模 . 12 图 6 盛美半导体净利润规模 . 12 图 7 北方华创清洗设备相关产品系列 . 15 图 8 北方华创收入规模 . 14 图 9 北方华创净利润规模 . 14 图 10 至纯科技收入规模 . 16 图 11 至纯科技归母净利润规模 . 16 图 12 (楷体五号字) . 18 图 13 芯源微收入规模 . 18 图 14 芯源微净利润规
8、模 . 18 表目录 表 1 硅片在加工过程中会产生诸多沾污，如不清洗会影响后续加工工艺 . 4 表 2 不同的药液适用于不同的物质种类 . 4 表 3 主要清洗方法对比，目前仍以湿法为主 . 5 表 4 各种清洗设备清洗方法和适用场合 . 5 表 5 通常半导体制程中的清洗步骤及目的：贯穿多环节、需清洗多种沾污 . 7 表 6 2019 年全球半导体设备支出略微下降（亿美元） . 8 表 7 盛美半导体近年部分中标情况. 13 表 8 至纯科技近年部分湿法清洗设备中标情况 . 17 qRoRoQwOnNqPqQpQtNrPsR8OdN9PoMoOoMpPiNqQtNfQpNmO9PqRoON
9、ZmMxPuOnQwO 证券研究报告|行业深度研究报告 3 1.1.清洗清洗是前道制程中的重要环节是前道制程中的重要环节、应用于多环节、应用于多环节 1.1.1.1.清洗应用在制程多环节清洗应用在制程多环节 硅片的加工过程对洁净度要求非常高，所有与硅片接触的媒介都可能对硅片造成 污染,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响，因此几乎每一步加工都需要清除沾 污，具体来看包括：1）硅片制造环节的材料清洗、抛光后清洗；2）晶圆制造环节的 扩散前清洗、刻蚀后清洗、离子注入后清洗、去胶清洗、成膜前后清洗、机械抛光后 清洗等；2）芯片封装 TSV 清洗、UBM/RDL 清洗、键合清洗等。 图 1 清洗步骤贯
10、穿 资料来源：盛美，华西证券研究所 具体的沾污包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层等等，这些沾污包括从环境、 其他制造工艺、刻蚀副产物、研磨液等等，这些沾污如不及时清理均可能造成后续制 造工艺的失败，造成器件的电性失效。 证券研究报告|行业深度研究报告 4 表 1 硅片在加工过程中会产生诸多沾污，如不清洗会影响后续加工工艺 物质种类物质种类 来源来源 主要危害主要危害 颗粒 环境，其他工艺过程中产生 影响后续光刻、干法刻蚀工艺，造成器件短路 自然氧化层 环境 影响后续氧化、沉积工艺，造成器件电性失效 金属污染 环境，其他工艺过程中产生 影响后续氧化工艺，造成器件电性失效 有机物 干法刻蚀副产物，
11、环境 影响后续沉积工艺，造成器件电性失效 牺牲层 氧化/沉积工艺 影响后续特定工艺，造成器件电性失效 抛光残留物 研磨液 影响后续特定工艺，造成器件电性失效 资料来源：集成电路产业全书，华西证券研究所 现阶段关键技术节点已小于 28nm，对于晶圆表面污染物控制的指标越来越高， ， 因此清洗过程贯穿芯片制造的全程，包括硅片制造、光刻、刻蚀、沉积等各个关键工 艺环节中，目前清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约 4.8%。 表 2 不同的药液适用于不同的物质种类 资料来源：集成电路产业全书，华西证券研究所 1.2.1.2.清洗方法清洗方法：干法与湿法干法与湿法、单片、单片与与槽式槽式 从清洗的半
12、导体清洗方式有湿法和干法两种： 1）湿法清洗湿法清洗采用特定的化学药液和去离子水对晶圆表面进行无损伤清洗，是目 前主流的清洗方式、占整个清洗制程的 90%以上，主要包括 RCA 清洗法、超声清洗等， 湿法清洗具有效率高、成本较低等优势，但同时由于化学试剂使用多，会造成化学污 染、交叉污染、晶片损伤等。 2）干法清洗干法清洗包括气相清洗法、紫外-臭氧清洗法等，优点在于化学用量少、清 洗环境友好、低磨损等等，不断受到市场更多关注，但同时缺点同样明显，如部分沾 污不易清洗、成本较高、控制要求高等，目前无法大量应用于半导体生产中，但在半 导体产线上的少量特定步骤会采用干洗清洗方法，共同构建清洗方案。
13、清洗作用 化学清洗作用 化学 药液药液 物质种类物质种类 SPMSPMSC1SC1SC2SC2DHFDHFBHFBHFDIODIO3 3H H3 3POPO4 4HF+HNOHF+HNO3 3TMAHTMAH溶剂类溶剂类 颗粒颗粒适合适合-适合- 自然氧化层自然氧化层-适合适合- 金属污染金属污染-适合适合适合- 有机物有机物适合适合-适合-适合适合 牺牲层牺牲层-适合适合-适合适合适合- 抛光残留物抛光残留物适合适合-适合适合- 证券研究报告|行业深度研究报告 5 表 3 主要清洗方法对比，目前仍以湿法为主 清洗方法清洗方法 描述描述 优点优点 缺点缺点 湿湿 法法 清清 洗洗 RCA 清洗
14、 法 使用双氧水与酸/碱溶液的混 合物进行两步氧化。 在清除晶片表面的有机物、粒子和 金属等污染物时十分有效。 去除晶片表面污染物薄膜而不能去 除颗粒；需在高温环境下进行；耗 用化学品大，会加大硅片的粗糙 度；排放量大污染环境。 超声清洗 方法 晶片浸没在清洗液中,利用超 高频率的声波能量将晶片正 面和背面的颗粒有效去除。 清洗的速度快;清洗的效果比较好; 能够清洗各种复杂形状的硅片表面; 易于实现遥控和自动化。 颗粒尺寸较小时,清洗效果不佳;在 空穴泡爆破的时候,巨大的能量会 对硅片造成一定的损伤。 干干 法法 清清 洗洗 气相清洗 法 先让片子低速旋转,再加大速 度使片子干燥,这时,HF
15、蒸汽 可以很好的去除氧化膜玷污 及金属污染物。 对那些结构较深的部分,比如沟槽, 能够进行有效的清洗；对硅片表面 粒子的清洗效果也比较好,并且不会 产生二次污染。 虽然 HF 蒸汽可除去自然氧化物,但 不能有效除去金属污染。 紫外-臭 氧清洗法 将晶片放置在氧气氛围中用 汞灯产生的短波长紫外光进 行照射。 特别适合氧化去除有机物，另外还 有某些特殊用途,如 GaAs 的清洗。 无法清洗一般的无机物沾污。 资料来源：中国产业信息网，华西证券研究所 针对不同的污染物特性，需要选择不同的化学药液进行清洗、配合物理方式辅助： 1）SPM 主要用于清洗有机物，是硫酸、过氧化氢和去离子水的混合物；2）SC
16、1 主要 用于清洗颗粒，是氨水、过氧化氢和去离子水的混合物， ；3）SC2 主要用于清洗金属 污染物，是盐酸、过氧化氢和去离子水的混合物等等。 1.2.1.1.2.1.湿法清洗占据主流，设备主要包括槽式和单片清洗设备湿法清洗占据主流，设备主要包括槽式和单片清洗设备 目前晶圆清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约为 6%，重要的清洗设备 主要有单片晶圆清洗设备、槽式晶圆清洗设备、洗刷机等。 表 4 各种清洗设备清洗方法和适用场合 设备设备 清洗方法清洗方法 适用场合适用场合 单晶圆清洗设备 旋转喷淋 全生产流程中，比如扩散前清洗、栅极氧化前清洗、外延前清洗、CVD 前清洗、氧 化前清洗、光刻胶
17、清除、多晶硅清除和刻蚀环节等 槽式清洗设备 溶液浸泡 全生产流程中 洗刷设备 旋转喷淋 锯晶圆、晶圆磨薄、晶圆抛光、研磨、CVD 超音波清洗设备 超声清洗 半导体前道各阶段 晶圆盒清洗设备 机械擦拭 晶圆盒清洗 等离子体清洗设备 等离子体清洗 光刻胶去除 资料来源：中国产业信息网，华西证券研究所 槽式晶圆清洗设备槽式晶圆清洗设备是在一个处理仓中，同时清洗多盒晶圆，可以做到晶圆干进 干出，主要包括传输模块、晶圆装载/卸载传输模块、排风进气模块、化学药液槽体 模块和控制模块构成。 槽式晶圆清洗设备的优点在于可以进行批量清洗、效率高，成本较低，但同时缺 点同样明显，如槽体内部化学药液多样、与晶圆接触
18、点过多等，容易造成二次污染。 45nm 制程到来后，先进制程工艺的湿法清洗对晶圆表面小颗粒的数量及刻蚀的均匀 性要求越来越高，同时必须达到图形无损干燥，槽式清洗越来越达不到工艺需求，因 而逐渐被单片清洗设备代替。 证券研究报告|行业深度研究报告 6 槽式清洗设备价格约为 200-300 万美元，主要企业有日本的迪恩士、东京电子和 JET 等，三者合计约占 75%以上的市场份额，这些企业的设备价格相对也会更高。韩 国的 SEMES 和 KCTECH 主要供给韩国市场。 图 2 槽式清洗设备原理 图 3 单片清洗设备原理 资料来源：盛美，华西证券研究所 资料来源：盛美，华西证券研究所 单片清洗单片
19、清洗设备设备是基于传统的 RCA 清洗方法设计的，已经广泛应用于集成电路制 造前道（FEOL）和后道（BEOL）工艺过程，包括成膜前后的清洗、等离子体刻蚀后的 清洗、离子注入后的清洗、化学机械抛光后的清洗和金属沉积后清洗等，可以说除了 高温磷酸工艺外，单片清洗设备已经基本上可以兼容所有的清洗工艺。 单片清洗设备市场同样集中度非常高，DNS、TEL、LAM 和 SEMES 四家公司合计市 场占有率超过 90%，其中 DNS 市占率在 40%以上，是行业绝对的龙头。 目前随着清洗工艺的提升，除了传统的旋转喷淋法外，还有纳米喷射清洗和兆除了传统的旋转喷淋法外，还有纳米喷射清洗和兆 声波清洗等两种常见
20、的方法声波清洗等两种常见的方法：1）纳米喷射是在二流体雾化喷嘴的两端分别通入液体 介质和高纯氮气，使用高压气体为动力，辅助液体微雾化成极微小的液体粒子，并喷 射至晶圆表面，达到去除颗粒的效果；2）兆声波由发生器产生，传递到清洗液体中， 然后对晶圆进行清洗，能够降低化学药液的用量、减少对晶圆的损伤。兆声波清洗能 够非常有效地去除颗粒，尤其是小尺寸颗粒，另外在高深宽比的图形表面清洗同样具 有优势、特别是在 TSV 结构的清洗中。因此为了更好的去除晶圆表面的沾污，除槽式 和单片单片晶圆清洗设备外，还有晶圆刷洗设备、超声/兆声清洗设备、晶圆盒清洗 设备等。 1.2.2.1.2.2.干法清洗受到关注，可
21、与湿法清洗配合使用干法清洗受到关注，可与湿法清洗配合使用 干法清洗采用的是气相化学法去除晶圆表面的沾污，主要有热氧化法和等离子清 洗法等。干法清洗过程通常是将热化学气体或者等离子态反应气体导入反应室，反应 气体与晶圆表面发生化学反应生成易挥发性反应产物被真空抽去，针对不同的沾污种 类有不同的干洗方法，如颗粒物可以用低温气雾剂、激光等，有机物可以用臭氧、紫 外线/臭氧、细微等离子等。 证券研究报告|行业深度研究报告 7 图 4 半导体干法针对不同的沾污有不同的清洗方式 资料来源：中国产业信息网，华西证券研究所 等离子清洗采用激光、微波、热电离等措施将无机气体激发到等离子态活性离子， 活性粒子与表
22、面分子反应生成产物分子，产物分子进一步解析形成气相残余物脱离表 面。 干法清洗的优点在于清洗后无药液残留，同时可以进行选择性的局部清洗；缺点 在于无法有选择性的仅与表面金属污染物反应，会不可避免的与硅片表面发生反应， 所以在一定温度、时间等条件下，不能将所有金属沾污完全去除，因而目前干法清洗 尚无法完全取代湿法清洗。实验表明干法清洗可按要求的标准减少的金属化沾污有铁、 铜、铝、锌、镍等，实际制造工艺中通常采用湿法、干法清洗相结合的清洗方法。 1.3.1.3.清洗步骤清洗步骤需要不断重复去除沾污需要不断重复去除沾污 通常在晶圆制造工艺中需要五个环节的清洗步骤，即晶圆颗粒去除清洗、刻蚀后 清洗、预
23、扩散清洗、金属离子去除清洗、薄膜去除清洗等，需要说明的是，由于前道 制程很多步骤需要重复多次，清洗过程同样需要不断重复去除沾污，同时随着先进制 程的复杂程度越来越高，清洗难度和次数也不断提高。 表 5 通常半导体制程中的清洗步骤及目的：贯穿多环节、需清洗多种沾污 清洗步骤清洗步骤 目的目的 颗粒去除清洗 使用化学药剂或使用超声波、兆声波清洗去除晶圆表面颗粒 刻蚀后清洗 去除晶圆刻蚀过程后留下的光刻胶和聚合物 预扩散清洗 为创建一个没有金属、微粒和有机污染物的晶圆表面，需要去除自然氧化或化学氧化物 金属离子去除清洗 消除可能对器件操作产生不利影响的金属离子 薄膜去除清洗 氧化硅蚀刻/剥离、氧化物
24、蚀刻/剥离、硅蚀刻和金属蚀刻/剥离 资料来源：中国产业信息网，华西证券研究所 2.2.全球全球清洗设备清洗设备日系占据主导地位，国产设备奋起直追日系占据主导地位，国产设备奋起直追 颗粒颗粒有机物有机物金属金属原生氧化物/化学氧化物原生氧化物/化学氧化物 低温气雾剂Ar/N2O2 退火CI基化学法退火Ar 喷溅 激光臭氧NO/HCI/N2退火H2 退火 CO2 雪 紫外线/臭氧 紫外线/O2 紫外线/CI2 紫外线/SiCI4 紫外线/HCI 细微等离子H2 细微等离子O2细微等离子NF2/H2 AHF/H2O AHF/酒精溶液 UV/F2/H2 证券研究报告|行业深度研究报告 8 2.1.2.
25、1.2 202021 1 年全球半导体清洗设备市场规模约为年全球半导体清洗设备市场规模约为 3232 亿美元亿美元 在半导体设备市场中，晶圆制造设备采购大约占整体的 80%，测试设备大约占 9%，封装设备大约占 7%，其他设备大约占 4%；同时清洗设备在晶圆制造设备中的采 购费用占比约为 6%，因此可以计算清洗设备约占半导体设备投资的 4.8%。 2020 年 4 月，国际半导体产业协会 SEMI 报告指出，2019 年全球半导体制造设备 销售额达到 598 亿美元，比 2018 年的 645 亿美元的历史高点下降了 7，其中中国 台湾是去年半导体设备最大的市场，同比增长 68%达到 171.
26、2 亿美元；中国大陆同比 略增 3%至 134.5 亿美元，来到全球第二；第三至第五位分别为韩国、北美、日本， 市场规模分别为 99.7、81.5、62.7 亿美元。 表 6 2019 年全球半导体设备支出略微下降（亿美元） 国家国家/ /地区地区 20192019 20182018 变化变化幅度幅度 中国台湾 171.2 101.7 68% 中国大陆 134.5 131.1 3% 韩国 99.7 177.1 -44% 北美 81.5 58.3 40% 日本 62.7 94.7 -34% 其他 25.2 40.4 -38% 欧洲 22.7 42.2 -46% 合计 597.5 645.3 -7
27、% 资料来源：SEMI，华西证券研究所 此前 SEMI 预计 2020 年全球半导体设备销售额将达到 608 亿美元，其中中国台湾 将维持全球第一大设备市场的位置，销售金额将达 154 亿美元，中国大陆以 149 亿美 元居次，韩国则以 103 亿美元排名第三。而在 2021 年全球半导体设备销售额将创下 668 亿美元的历史新高，展望 2021 年，中国大陆将以 160 亿美元的销售额跃升至全 球第一大设备市场。 假设假设清洗设备晶清洗设备晶占占圆制造设备的比重稳定，即为圆制造设备的比重稳定，即为 4 4.8.8% %，则根据以上数据粗略计，则根据以上数据粗略计 算出全球半导体清洗设备算出全
28、球半导体清洗设备 2 2019019- -20212021 年的市场规模分别年的市场规模分别约为约为 2828. .6868、2 29 9. .1818、3 32 2. .0606 亿美元。亿美元。 未来半导体清洗设备行业增长的驱动力包括三部分： 一方面是随着工艺的不断升级、制造流程增多，清洗频率也将有所增加，清洗设 备的需求量将不断提升； 二是集成电路制造工艺升级，芯片结构越发复杂、清洗难度升级，如 3D 结构 （例如 FinFET 晶体管）通常比旧的传统 2D 结构更脆弱，需要在对芯片无伤情况下对 内部结构进行清洗； 三是集成电路新型材料的出现，也对清洗工艺提出了新的需求。 从清洗设备的配
29、备数量来看，通常 4 万片产能的产线上，8 英寸线需要配备 50 台左右、12 英寸线需要 70 台左右，国外部分厂商可以达到 120 台的配备，包括槽式 晶圆清洗设备和单片晶圆清洗设备。价格方面，6-8 个腔体的单片晶圆清洗设备价格 在 300-400 万美元/台，槽式价格要低不少，大概在 100-200 万美元/台。 证券研究报告|行业深度研究报告 9 2.2.2.2.全球全球市场格局市场格局日系占据主导地位日系占据主导地位 全球清洗设备市场中，日系企业占据绝对的主导地位，迪恩士（DNS，SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd.）市场份额大约为 60
30、%、东京电子（Tokyo Electron）大约为 30%，其他企业如美国 Lam Research、韩国 SEMES 和 KCTECH 等， 后二者主要供给韩国市场。 目前国内市场格局与全球市场格局相近，主要为国内企业占据，国内企业主要从 事半导体清洗设备的公司主要有盛美半导体、北方华创、至纯科技、芯源微等，整体 来看，国内企业规模和产品竞争力与国际知名企业仍然存在较大差距，如国外单片晶 圆清洗设备已发展到 12 个、16 个腔体、对应的附属设备的介质供应也越多，可满足 智能化、软件控制、压力均等和清洗后的存放等需求，而国产湿法清洗设备从种类和 功能上目前能实现的部分较为有限。但我们认为进口
31、替代之势正在加速，未来国内清 洗设备企业有望快速成长。 2.3.2.3.大基金二期已起航， “卡脖子”设备环节有望获得重点投资大基金二期已起航， “卡脖子”设备环节有望获得重点投资 2014 年 6 月国务院颁布集成电路产业发展推进纲要 ，根据此文，我国集成电 路产业 2020 年要达到与国际先进水平的差距逐步缩小、企业可持续发展能力大幅增 强的发展目标，到 2030 年，我国集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批 企业进入国际第一梯队。 同年 9 月国家集成电路产业基金成立，总规模 1387 亿元，至 2018 年 5 月已经投 资完毕，公开投资公司为 23 家，未公开投资公司为 29
32、 家，累计有效投资项目达到 70 个左右，引导带动社会融资新增达到 5000 亿元左右。 表 9 国家大基金一期投资领域分布情况：设备占比较小 领域 金额（亿元）金额（亿元） 占比占比 设计 205.9 19.70% 制造 500.14 47.80% 封测 115.52 11% 设备 12.85 1.20% 材料 14.15 1.40% 产业生态 198.58 19% 资料来源：投资界，华西证券研究所 证券研究报告|行业深度研究报告 10 表 10 大基金在半导体设备领域投资主要集中在部分龙头企业 行业行业 公司公司 时间时间 出资金额（估算，亿元）出资金额（估算，亿元） 持股比例持股比例 设
33、备 中微公司中微公司 2014.12 4.8 7.14% 设备 长川科技长川科技 2015.7 0.4 8% 设备 沈阳荆拓沈阳荆拓 2015.12 1.7 / 设备 北方华创北方华创 201.5.12 6 7.50% 设备 盛美半导体盛美半导体 / 0.1 / 设备 万业企业万业企业 2018.7 6.8 7% 设备 睿励仪器睿励仪器 / / / 资料来源：投资界，华西证券研究所 2019 年 10 月 22 日国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（简称“国家 大基金二期”）注册成立，注册资本 2041.5 亿元，两倍于一期的注册资本，按照 13 的撬动比，所撬动的社会资金规模在 6000 亿元左右。 国家大基金二期共有 27 位股东，第一大股东为财政部，出资 225 亿元占股 11.02%，其余几家分别为国开金融有限责任公司（10.78%） 、浙江富浙集成电路产业 发展有限公司（7.35%） 、上海国盛（集团）有限公司（7.35%） 、中国烟草总公司 （7.35%） 、重庆战略性新兴产业股权投资基金合伙企
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