碳化硅二极管的主要结构主要包含SBD、JBS及 原图定位 二极管方面:碳化硅二极管主要包括肖特基势垒二极管(SBD),结势垒肖特基二极管(JBS),PiN 二极管(PND 型)等。器件结构来看碳化硅相比硅基器件并无创新,但材料的优异特性为碳化硅制造的产品带来了竞争优势。SiC SBD 耐压高且几乎无反向恢复时间,可大幅度降低开关损耗,提高开关频率,在高频、中等电压功率开关的应用上有替代硅基 PiN 二极管(相对耐压强但速度慢)的趋势,大大优化了 200V-1700V 电压段二极管的性能,并使 PiN 的应用甜区移动至 3300V 以上;2)更高端的 JBS 器件方面,SiC JBS 具有大电流密度,高工作结温的优势,相比硅基器件有进一步性能提升。