1、存储行业深度报告存储行业景气度拐点已至，AI/国产化/需求复苏带来新周期银河证券电子团队分析师：高峰 ：gaofeng_ 分析师登记编码：S01 王子路：wangzilu_分析师登记编码：S012024/3/12CHINA GALAXY SECURITIES金融报国客户至上2核心观点存储行业市场规模超千亿存储行业市场规模超千亿，是半导体产业的主要细分市场是半导体产业的主要细分市场，DRAMDRAM和和NANDNAND为当前主流为当前主流。22/21/20年全球存储市场规模分别为1392/1534/1175亿美金，占半导体规模的比例分为别24%/28%

2、/27%，是全球第二大细分品类，其中DRAM和NAND Flash是最主流的半导体存储器，市场规模占比超过95%。DRAM技术发展方向逐步向高传输速率和低功耗方向发展，在技术节点上，DRAM原厂正逐步向物理极限制程演进；NAND存储主要趋势为向高密度存储和3D堆叠演进，在堆叠层数上，三星预期将在2024年生产超过300层的第九代 V-NAND 闪存，堆叠层数仍在持续突破。从存储芯片来看从存储芯片来看，3 3-4 4年时间约为一个完整周期年时间约为一个完整周期，AIAI需求正在创造行业第五轮周期起点需求正在创造行业第五轮周期起点。从2000年之后，存储行业周期表现明显，电子消费品的创新能快速提升

3、存储芯片的整体需求，以2000、2009、2017年为例，是互联网时代、移动互联网、云计算大规模投入的三个重要窗口期。而2004年和2020年的PC迭代与手机的换机周期导致市场反弹较为疲软，同时在各个周期环节中，供给端的缩量增价等行为往往滞后于需求的快速爆发，因此在价格周期底部布局能够获得较大弹性。从当前窗口期来看，AI服务器、AI PC、AIMobile等需求快速提升，对于云端和边缘端的存算力均在提升，目前行业的第五轮周期起点已确认。供需格局逐步改善供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提升存储芯片价值稳步提升。23H1三星、SK海力士、美光、西部数据和铠侠等厂商纷纷宣布减少产能，厂商降低关于存

4、储业务的资本性支出。各大厂商不约而同的减产计划促使存储周期提前，在存储需求不断扩大的前提下，存储芯片的价格将会上升，提前进入复苏周期。供给端减产持续，供应缺口预期在24Q2到来。目前根据测算，自2023年起，海外厂商的产能利用率和资本支出已显著减少，存储芯片价值稳步提升。AIAI ServerServer、AIAI PCPC、AIAI MobileMobile持续放量持续放量，存储市场迎来新发展机遇存储市场迎来新发展机遇。PC端AI发展由软硬件协同驱动，2022年ChatGPT开启了AI大模型浪潮，AI应用场景日渐丰富,AI PC的发展正朝着“计算+存储+传感”全面扩展,随着计算和传感性能的提

5、升，存储需求也随之增长，尤其是对内存容量的需求。生成式AI模型，如LLaMA模型，对内存的要求很高。例如，70亿参数的LLaMA模型FP16版本大小约为14GB，而现有的移动设备内存通常不到10GB。在服务器领域，算力芯片带来HBM的需求快速增长，TrendForce数据显示，高端AI服务器GPU普遍采用HBM，预计2023全球HBM需求将增长近60%，达2.9亿GB，2024年再增30%。美光推出最新HBM3 Gen 2内存样品，速度达1.2 TB/s，8高堆栈24GB容量，采用1制造工.艺。与HBM2E相比，每瓦性能提高2.5倍。2VkUlYqYgV8VtQ6MdN7NpNmMnPsOfQ

6、mMpMfQnMrN9PoPpPMYtRmQxNmQqQCHINA GALAXY SECURITIES金融报国客户至上3投资建议与风险提示投资建议投资建议 存储芯片赛道属于高成长强周期行业存储芯片赛道属于高成长强周期行业，我们认为现在当下时点是存储芯片赛道下一轮周期的新起点我们认为现在当下时点是存储芯片赛道下一轮周期的新起点，在在AI/AI/国产化国产化/需求复需求复苏叠加数字经济对存力的需求不断抬升的背景下苏叠加数字经济对存力的需求不断抬升的背景下，看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇。建议关注存储芯片设计公司兆易创新、北京君正、澜起科技、东芯股份

7、、聚辰股份、普然股份、恒烁股份、国科微，模组厂商关注江波龙、德明利、朗科科技、佰维存储，关注相关产业链封测厂商深科技、长电科技、通富微电等。风险提示风险提示 下游市场需求不及预期的风险；存储类新技术研发不及预期的风险；下游客户拓展不及预期的风险；IC设计厂商上游晶圆厂价格波动的风险；股票代码股票代码股票名称股票名称股价股价（元）（元）总总市值市值（亿元）（亿元）EPSEPS（元）（元）PEPE2023E2023E2024E2024E2025E2025E2023E2023E2024E2024E2025E2025E603986.SH兆易创新71.60477.501.062.103.1067.383

8、4.0823.12300223.SZ北京君正65.04313.211.241.932.6557.8837.1824.52688766.SH普冉股份84.0963.50-0.821.633.32-44.0525.31688110.SH东芯股份25.97114.85-0.020.450.86-158.0930.26688123.SH聚辰股份52.7083.361.282.503.3856.0428.6915.60688416.SH恒烁股份42.4035.040.170.961.64423.9274.6725.92688008.SH澜起科技52.36597.670.451.211.86159.085

9、9.1128.14300672.SZ国科微55.66120.861.171.822.6061.2439.2821.44301308.SZ江波龙87.37360.72-1.550.901.60-79.7454.55001309.SZ德明利90.87102.91-1.281.87-56.1148.47300042.SZ朗科科技32.9866.090.140.400.55501.75178.9159.97000021.SZ深科技14.95233.310.480.600.72147.93119.9120.86600584.SH长电科技28.99518.580.991.662.0672.1843.141

10、4.04002156.SZ通富微电26.07395.330.170.600.83412.44119.3931.24资料来源：Wind(数据截至2024/3/10)，中国银河证券研究院表：公司估值及盈利预测表：公司估值及盈利预测CHINA GALAXY SECURITIES目 录-CONTENTS-金融报国客户至上401存储芯片千亿市场规模，存储芯片千亿市场规模，DRAMDRAM和和NANDNAND为主流品类为主流品类02 多轮周期嵌套，多轮周期嵌套，AIAI需求正在创造行业第五轮周期起点需求正在创造行业第五轮周期起点03供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提升供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提

11、升04 国内各领域均有厂商布局，关注优质国内存储厂商国内各领域均有厂商布局，关注优质国内存储厂商05投资建议与风险提示投资建议与风险提示金融报国客户至上501PART ONE存储芯片千亿市场规模，DRAM和NAND为主流品类CHINA GALAXY SECURITIES金融报国客户至上61.1 信息储存媒介不断变化，NAND和DRAM为当前主流 上世纪上世纪6060年代，年代，ICTICT产业不断发展，存储芯片行业萌芽。产业不断发展，存储芯片行业萌芽。当时主要产品是超低容量DRAM芯片，用于计算机内存。70年代，EPROM和EEPROM芯片问世。这一阶段信息产业呈现“低基数高增速”发展，数据存

12、储需求较小，仅数十亿美元市场规模。90年代开始，NOR Flash芯片崛起，用于存储固件和数据。NOR Flash与DRAM形成存储芯片市场的两大支柱。总体市场规模达数百亿美元。21世纪以来，NAND Flash迅猛发展，用于固态硬盘等大容量存储。NAND Flash与DRAM并驾齐驱，共同主导存储芯片市场。同时，NOR Flash市场地位被NAND Flash取代，存储芯片市场规模已达到近千亿美元。0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%0500025003000350040001988 1990 1992 1994 1996 1

13、998 2000 2002 2004 2006 2008 2010 2012 2014存储行业半导体行业存储行业占比资料来源：Cambridge Core,中国银河证券研究院图图2 2：存储芯片市场规模：存储芯片市场规模19841984年年-20192019年（单位：亿美元）年（单位：亿美元）图图1 1：存储行业：存储行业&半导体行业市场规模半导体行业市场规模 19881988年年-20152015年（单位：亿美元）年（单位：亿美元）0200400600800406220042006200820102012

14、201420162018闪存Flash MemoryDRAMNOR flashNAND Flash资料来源：CFM,中国银河证券研究院金融报国客户至上71.1 信息储存媒介不断变化，NAND和DRAM为当前主流 存储行业市场规模超千亿，是半导体产业的主要细分市场。存储行业市场规模超千亿，是半导体产业的主要细分市场。22/21/20年全球存储市场规模分别为1392/1534/1175亿美金，占半导体规模的比例分别为24%/28%/27%，是全球第二大细分品类。半导体产业中，存储行业的周期波动大。存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类。半导体产业中，存储行业的周期波

15、动大。存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类。0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2002200420062008200022分立、光电器件、传感器 模拟芯片 微型元件 逻辑芯片 存储器-40%-20%0%20%40%60%80%分立、光电器件、传感器 集成电路 模拟芯片 微型元件 逻辑芯片 存储器 图图3 3：20年半导体产业内各行业占比年半导体产业内各行业占比图图4 4：20年半导体产业内各行业同比增速年半导体产业内各行业同比

16、增速资料来源：WSTS，中国银河证券研究院资料来源：WSTS，中国银河证券研究院金融报国客户至上81.1 信息储存媒介不断变化，NAND和DRAM为当前主流存储芯片主要可分为易失性存储芯片（RAM）和非易失性存储芯片（ROM）。RAM 为随机存储器，断电后不会保存数据，主要产品包括 SRAM 和 DRAM。ROM 是一种存储固定信息的存储器，主要包括 EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）、Flash(闪存芯片)、PROM(可编程只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)等资料来源：中国银河证券研究院图图5 5：各存储器比较：各存储器比较图图6 6：当前主流存储器分类：当前主流存储器

17、分类资料来源：SIA Research，中国银河证券研究院金融报国客户至上91.1 信息储存媒介不断变化，NAND和DRAM为当前主流0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%DRAMNANDNor等 DRAMDRAMNAND FlashNAND FlashNOR FlashNOR Flash市场份额市场份额57%40%2%当前制程当前制程12/14nm16/15nm55/45nm易失性易失性易失性非易失性非易失性读取速度读取速度极快低速高速写入速度写入速度极快（无擦除）高速（4ms）低速（5s）寿命寿命理论无限，一般5年百万次十万次容量容量低MB/GB高GB/TB中M

18、B/GB终端应用终端应用 智能手机、服务器SSD、eMMC/EMCP、U盘智能穿戴、汽车电子、AMOLED 在存储行业产品的市场占有率方面，DRAM以超过50%的份额稳居第一，紧随其后的是NAND，占比约为35%。Nor产品则保持稳定，维持着约2%左右的市场份额。其他产品如EEPROM和SRAM等则各自占据约1%的市场份额。DRAM：是一种动态随机存取存储器，它使用电容来存储数据。DRAM需要周期性地刷新数据 FLASH：是一种非易失性存储器，它使用浮动栅电容来存储数据。图图7 7：存储产业各类产品市占率：存储产业各类产品市占率表表1 1：DRAMDRAM、NAND FlashNAND Fla

19、sh和和NOR FlashNOR Flash对比对比资料来源：WSTS，中国银河证券研究院资料来源：TrendForce,中国银河证券研究院金融报国客户至上101.1 信息储存媒介不断变化，NAND和DRAM为当前主流23%26%15%18%7%11%旺宏华邦电赛普拉斯半导体兆易创新美光科技其他资料来源：闪存市场,中国银河证券研究院 在存储行业，市场集中度较高。主要是由于几家大型半导体公司掌握了大部分市场份额。DRAM（动态随机存取存储器）和NAND FLASH是存储行业的两个主要细分市场。2023年的DRAM市场中，三星和SK海力士合计共占比约67%的市场份额，美光占比28.5%，剩余不到1

20、0%的市场份额由南亚、华邦等厂商占据。2023年的NAND FLASH市场中，三星和SK海力士共占比49.5%的市场份额，铠侠占比21.6%，美光占比10.3%图图8 8：20232023 DRAMDRAM市场竞争占比市场竞争占比图图9 9：20212021年年NOR FLASHNOR FLASH市场占比市场占比图图1010：2023 NAND FLASH2023 NAND FLASH市场占比市场占比34%22%15%15%10%3%三星铠侠SK海力士西部数据美光其他42.70%28.50%24.30%2.20%1.10%1.20%三星美光SK海力士南亚华邦其他资料来源：TrendForce,

21、中国银河证券研究院资料来源：闪存市场,中国银河证券研究院金融报国客户至上111.2 DRAM发展路径：向传输高速、低功耗演进 DRAM自上世纪六十年代问世以来，一直在电子行业中扮演着至关重要的角色。这种存储技术通过存储托盘在电容器的状态来实现存储数据，具有高密度和相对密度的优势。在发展过程中，按照应用场景，DRAM分成标准DDR、LPDDR、GDDR三类。JEDEC定义并开发了这三类标准，以帮助设计人员满足其目标应用的功率、性能和尺寸要求。同时，多年来各类型内存技术随着市场需求创新迭代，同时也在这个过程中不断衍生出新的技术品类，比如HBM、LPCAMM等，驱动DRAM行业持续向前。资料来源：C

22、SDN，中国银河证券研究院图图1111：DRAMDRAM结构图结构图图图1212：DRAMDRAM供给需求产链供给需求产链资料来源：中国银河证券研究院金融报国客户至上121.2 DRAM发展路径：向传输高速、低功耗演进 1）DDR：即DDR SDRAM，又称双倍数据率同步动态随机存取存储器，它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度得以加倍。在性能和成本优势下，DDR SDRAM成为了目前电脑和服务器中用的最多的内存。从DDR的发展进度来看，“性能”和“成本”始终在不断权衡中不断跌打，在频率和多通道上发展，追赶计算核心的性能。从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片到现

23、在，已经过去了20多年，DRAM内存市场一直在发展，从最早的128MbpsDDR到DDR2、DDR3、DDR4，到目前市场主流的6400Mbps的DDR5，每一代DDR的数据速率都翻倍增长。在DDR5内存刚成为主流不久，三星又率先开始了下一代DDR6内存的早期开发，并预计在2024年之前完成设计。资料来源：半导体行业观察，中国银河证券研究院表表2 2：各代：各代DDRDDR产品规格情况产品规格情况图图1313：各代：各代DDRDDR产品市场占比情况及预测产品市场占比情况及预测1.98%1.98%0.94%0.94%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%

24、75.00%45.09%22.08%10.00%6.98%5.94%5.00%3.96%2.92%2.92%2.92%1.98%23.02%52.92%76.98%89.06%93.02%94.06%91.98%79.06%43.11%37.08%20.09%3.02%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%3.02%16.98%53.96%60.00%76.98%95.00%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022E2023E2024E2025E2026EDDR2DDR3DDR4

25、DDR5SDR SDRAMSDR SDRAMDDRDDR2DDR3DDR4DDR5发布时间3200720122020Vdd（主电源）3.3V2.5V1.8V1.5V/1.35V1.2V1.1V内部时钟频率/核心时钟频率（MHZ）-200100-266（OC）133-300（OC）133-300（OC）133-200外部时钟频率I/O时钟频率（MHz)--12-3200预取位数1n2n4n8n8n16n数据的传输速率（MT/s)-

26、-24-6400内存条的传输带宽（GB/s）0.8-1.61.6-3.23.2-8.56.4-19.219.2-38.434.1-51.2Bank数量4个4个8个8个16个32个Bank组数00004组8组颗粒密度128MB-512MB256MB-1GB512MB-4GB1GB-8GB4GB-32GB8GB-64GB典型内存条的密度512MB1GB4GB8GB16GB32GB内存条的引脚数量0288288通道位宽64位64位64位64位64位64位(32x2）通道数量111112颗粒位宽x4,x8,x16X4,x8,x16X4,x8,x16x

27、4,x8,x16x4,x8,x16X4,x8,x16资料来源：yole，中国银河证券研究院金融报国客户至上131.2 DRAM发展路径：向传输高速、低功耗演进 2）LPDDR：低功耗双数据速率同步动态随机存取内存的缩写，经历了多个版本的发展，2006年LPDDR1代版本首次推出，主要用于早期移动设备，提供低功耗和高性能存储产品，后续不断迭代，电压逐步降低，频率稳步提升。LPDDR产品减少通道带宽以及降低输出频率，达到在移动端设备最为适合的体积和工号，主要用于智能手机、笔记本电脑和部分工业场景。目前LPDDR5由JEDEC协会重新定制，转向最高16 Bank可编程和多时钟体系结构，目前LPDDR

28、5产品在移动端设备渗透率已达50%以上，在智能手机更高性能和容量需求情况下，是三星电子、SK海力士以及美光三家内存巨头在全球LPDDR5X这一最新技术领域的激烈竞争。资料来源：CSDN，CFM，中国银河证券研究院表表3 3：LPDDRLPDDR各代规格各代规格图图1414：LPDDRLPDDR的历代发展情况的历代发展情况参数LPDDR LPDDR2LPDDR3LPDDR4LPDDR4XLPDDR5LPDDR5X规范发布时间2009年2010年2012年2014年2016年2019年2022年封装尺寸60VFBGA168FBGA178FBGA200FBGA200FBGA376FBGA432FBG

29、A556FBGA(POP)315FBGA496FBGA(POP)315FBGA441FBGA496FBGA速率MT/S4000426664008533VDD(主电源)VDDO(IO电源)VDD1=1.8VVDD2=1.8VVDDQ=1.2VVDD1=18VVDD2=1 2VVDDQ=1.2VVDD1=1.8VVDD2=1.2VVDDQ=12VVDD1=1.8VVDD2=1.1VVDDQ=1.1VVDD1=1.8VVDD2=1.1VVDDQ-0.6VVDD1=1.8VVDD2=1.05/0.9VVDDQ=0.5VVDD1=1.8VVDD2=1.05/0.9VVDDQ=0.5

30、V特点/新技术低电平操作 支持POP封装全新架构进一步降低电压取值翻倍更低的功耗现阶段主流带宽翻倍区块组资料来源：CFM，中国银河证券研究院金融报国客户至上141.2 DRAM发展路径：向传输高速、低功耗演进 3）GDDR：（Graphics DDR，绘图用双信道同步动态随机存取内存）是为了设计高端显卡而特别设计的高性能DDR存储器规格，其有专属的工作频率、时钟频率、电压。GDDR 与一般 DDR 不能共用，时钟频率更高，发热量更小，一般用于面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序，例如图形相关应用程序、数据中心加速和 AI。表表4 4：GDDRGDDR各代规格对比情况各代规格对比情况图图151

31、5：GDDRGDDR和和BWBW的技术路径的技术路径GDRR3GDRR4GDRR5GDRR5XGDRR6预读取缓冲（bit）4888/1616传输速率（GT/s）2.52.25-810-1416带宽（GB/s）159140.-896896-1024电压（V）1.81.51.35-1.51.351.25-1.35资料来源：半导体行业观察，电子发烧友，中国银河证券研究院资料来源：半导体行业观察，电子发烧友，中国银河证券研究院金融报国客户至上151.2 DRAM发展路径：向传输高速、低功耗演进 高传输速率和低功耗是未来高传输速率和低功耗是未来DRAMDRAM发展的方向。发展的方

32、向。可以看到，最新一代DDR5拥有超高频宽及低功耗优势，不仅传输速率能增加50，工作电压亦由DDR4的1.2V下降至DDR5的1.1V，能够提高整体系统能源效率。此外，DDR5模块配置电源管理IC，直接单独在DIMM模块上执行电源控制，能够获得更加稳定的电源，并具备较佳的讯号完整性，进而优化能源效率。在技术节点上，厂商正逐步极限物理制程演进。在技术节点上，厂商正逐步极限物理制程演进。在DRAM技术方面，美光推出1（1-beta）制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内存。美光1 DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s，现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1节点的

33、美光DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高达50%，每瓦性能提升33%。图图1616：各代：各代DDRDDR产品电压、传输速率的提升产品电压、传输速率的提升图图1717：DRAMDRAM龙头厂商的龙头厂商的roadmaproadmap资料来源：TechInsights，中国银河证券研究院资料来源：闪存市场，中国银河证券研究院金融报国客户至上161.2 DRAM发展路径：向传输高速、低功耗演进 未来未来DRAMDRAM有两种发展路径：有两种发展路径：其一，基于现有DRAM技术，堆叠多芯片，高带宽存储器（HBM）的高级封装方式。常见

34、HBM层数4/8，即将达到16层。虽封装成本高，但适合高内存需求应用，如人工智能。其二，单片堆叠DRAM是另一选择，是所有厂商的终极目标。单片堆叠芯片相对简单，但额外步骤带来困难。分析认为，3D DRAM可以模仿3D NAND Flash，将cell翻转。因DRAM单元2D区域小，垂直方向电容器大且难分层。随2D尺寸缩小，电容器变薄，需加长以保电荷。翻转90度可使用每层位线阶梯设计，光刻图案化工艺可用于所有层，即共享图案化，从而简化制造工艺。资料来源：半导体行业观察，中国银河证券研究院图图1818：HBMHBM架构封装方式架构封装方式图图1919：3D DRAM3D DRAM结构结构资料来源：

35、半导体行业观察，中国银河证券研究院金融报国客户至上171.3 NAND发展路径：高密度存储和3D堆叠为主要趋势 HDD存储是“磁头+马达+磁盘”的机械结构，SSD则为“闪存介质+主控”的半导体存储结构。相比HDD早期发展，SSD是最近10年才呈现出爆发式增长的存储方式，SSD存储方式在功耗和性能上相较HDD均有较好表现。最早的RAM SSD可追溯至1976年，Dataram公司出售名为Bulk Core的SSD。随后几十年间，HDD在存储数据方面仍是主流选择，从20世纪90年代末开始，部分厂商开始进入SSD的制造。三星为第一家选择进入SSD的巨头厂商，于2005年宣布进入SSD，随后东芝、美光

36、、希捷、WD相继宣布进入SSD领域，SSD市场于2010年进入繁盛阶段，2013年起，Pcle SSD进入消费者市场，2014年SDD软件生态并购企业级存储，2015年，英特尔宣布开发出新型处理器3D Xpoint，2018年QLC开始应用于企业级市场，2019年，YMTC推出32层的Xtacking NAND样品，随后几年3D NAND开始不断演进资料来源：半导体行业观察，中国银河证券研究院表表5 5：HDDHDD与与SSDSSD的性能对比的性能对比图图2020：全球和中国企业级：全球和中国企业级SSDSSD的历史发展的历史发展对比项SATA SSD(500GB)SATA HDD(500GB

37、 7200rpm)差异介质闪存磁盘/连续读写MB/s540/330160/603倍/6倍随机读写IPOS98000/70000450/400217倍/175倍数据访问时间 ms0.倍性能得分(基于PCMark)78700560014倍资料来源：中国银河证券研究院金融报国客户至上181.3 NAND发展路径：高密度存储和3D堆叠为主要趋势 高密度存储单元向高密度存储单元向TLCTLC、QLCQLC等存储方式演进。等存储方式演进。NAND Flash从存储单元上可以分为以下几类，分别为平面的SLC/MLC/TLC/QLC NAND和立体的3D NAND，其中平面四类每个单元存

38、储信息依次递增，电压变化随存储信息增多成指数级增长，但寿命也随之减少。SLC产品凭借高可靠性的擦除、高带宽、寿命长等优势在IoT领域广泛应用，SLC也是向大容量NAND拓展的必经之路。TLC和QLC产品为目前大容量存储主流。资料来源：Anandtech，中国银河证券研究院表表6 6：不同单元密度的技术特点：不同单元密度的技术特点图图2121：NANDNAND的单元密度、擦写次数和性能区别的单元密度、擦写次数和性能区别Flash类型SLC单层单元MLC多层单元TLC三层单元QLC四层单元擦写寿命约10万次约1万次约3千次约1千次每个单元的位数1bit/cell2bit/cell3bit/cell

39、4bit/cell写入速度快较快 较慢较慢耐用度耐用程度高耐用程度较高耐用程度较低耐用程度较低价格高较高中低适合人群工业/企业普通消费者/游戏玩家 轻度消费者 数据存储量大的用户资料来源：MICRON，中国银河证券研究院金融报国客户至上191.3 NAND发展路径：高密度存储和3D堆叠为主要趋势 3D3D堆叠大幅提升容量，单元密度相同情况下，提高了存储密度，降低了每个比特的成本，同时也提升了成本效益和寿命。堆叠大幅提升容量，单元密度相同情况下，提高了存储密度，降低了每个比特的成本，同时也提升了成本效益和寿命。NAND Flash根据存储单元的工作原理来定义分为：SLC、MLC、TLC和QLC。

40、在结构上，NAND Flash分为2D和3D两类。2D结构的存储单元布置在芯片的XY平面中，而3D NAND或V-NAND技术则将存储单元沿Z平面堆叠在同一晶圆上。资料来源：MICRON，中国银河证券研究院图图2323：3D NAND3D NAND对比对比2D2D也有寿命上的提升也有寿命上的提升图图2222：2D NAND2D NAND到到3D NAND3D NAND路径路径资料来源：MICRON，中国银河证券研究院金融报国客户至上201.3 NAND发展路径：高密度存储和3D堆叠为主要趋势 存储芯片行业在产品标准化和品种单一上面临挑战，导致厂商竞争重心转向工艺技术和生产规模。虽然存储芯片的制

41、程路线不同于逻辑电路，但同样受到摩尔定律极限的影响，进展面临瓶颈。自2017年以来，DRAM制程已从1x迭代至1z，并计划在2024-2025年迭代至1。这表示DRAM制程的不断进步和缩小，这些迭代带来了更高的集成度和性能提升。同时，NAND存储芯片的叠层数已从64层提升至128层，并计划在2024-2025年突破300层。这反映了NAND技术朝着3D方向的持续发展，以提高存储容量和性能。资料来源：MICRON，ASML，中国银河证券研究院表表7 7：3D NAND3D NAND堆叠层数的演变堆叠层数的演变年度层数堆栈厚度（微米）层厚（纳米）备注2015年 32/36层2.5702016年48

42、层3.5622017年 64/72层4.5602017年，SK海力士量产72层2018年90层5.5552018 年，东芝/西部数据量产96 层2020年 120层7502021年 140层845-50图图2424：存储芯片、逻辑芯片制程趋势图：存储芯片、逻辑芯片制程趋势图资料来源：ASML，中国银河证券研究院金融报国客户至上211.3 NAND发展路径：高密度存储和3D堆叠为主要趋势 主流厂商正在逐步加紧主流厂商正在逐步加紧3D NAND3D NAND研究，目前三星产品技术较为领先。研究，目前三星产品技术较为领先。从近期各厂商出货来看，2022 年美光实现 232 层 NAND 闪存产品的出

43、货，三星也宣布开始量产 236 层 3D NAND 闪存芯片，铠侠和西部数据于 2023 年推出 218 层 3D NAND 闪存，SK 海力士则在 2023年展示了其最新 300 层 3D NAND 产品原型，预计将在 2024-2025 年期间上市。三星将在2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，堆叠层数仍在持续突破。图图2525：主流：主流NAND FlashNAND Flash技术路线图技术路线图资料来源：TechInsights，中国银河证券研究院金融报国客户至上2202PART TWO多轮周期嵌套，AI需求正在创造行业第五轮周期起点CHINA GALAXY

44、SECURITIES金融报国客户至上232.1 观历史周期之轮回，存储芯片现底部回暖趋势 20002000年到年到20232023年，全球的半导体销售额不断增长，从最初的约年，全球的半导体销售额不断增长，从最初的约180180亿美元的规模上升至亿美元的规模上升至20232023年的约年的约400400亿美元的市亿美元的市场规模，期间的年复合增长率平均保持在场规模，期间的年复合增长率平均保持在20%20%左右。左右。在2009年随着智能手机的出现，改变了人们的生活方式，全球半导体行业也迎来了爆发式的增长。2014年，4G手机元年的到来和通讯技术的升级，云计算、可穿戴设备、VR/AR等更多种新型人

45、机交互方式的出现，使得行业对各类半导体需求快速增长。资料来源：WSTS，中国银河证券研究院图图2626：全球半导体重要时间出现节点：全球半导体重要时间出现节点-60.00%-40.00%-20.00%0.00%20.00%40.00%60.00%80.00%01020304050-----------012008

46、----------------------05202

47、2-092023-01全球半导体销售额（十亿美元）YoY互联网泡沫崩溃Web后修复期2G手机市场兴起通讯市场蓬勃发展HiSilicon成立平稳发展期，半导体部分产业链转移国内彩屏手机、液晶电视普及智能手机爆发平板快速普及4G手机元年云计算IaaS平台被市场重视可穿戴设备逐步放量疫情冲击远程办公，新能源车渗透缺芯潮供需平衡金融报国客户至上242.1 观历史周期之轮回，存储芯片现底部回暖趋势-40%-20%0%20%40%60%80%050000420052006200720082009200132014201

48、5200022 2023E存储芯片销售额（亿美元）YoY 从存储芯片来看，从存储芯片来看，3 3-4 4年时间约为一个周期，当前处于第五轮周期起点。年时间约为一个周期，当前处于第五轮周期起点。从2000年之后，存储行业周期表现明显，电子消费品的创新能快速提升存储芯片的整体需求，以2000、2009、2017年为例，是互联网时代、移动互联网、云计算大规模投入的三个重要窗口期。而2004年和2020年的PC迭代与手机的换机周期导致市场反弹较为疲软，同时在各个周期环节中，供给端的缩量增价等行为往往滞后于需求的快速爆发，因此在价格周期底部布局能够获得较大弹性

49、。资料来源：WSTS，中国银河证券研究院图图2727：存储芯片市场销售额和重要节点：存储芯片市场销售额和重要节点DDR标准发布，叠加互联网泡沐，需求暴增互联网泡沫破碎，存储需求急速下滑中国PC销售增速较快，存储需求提升06年微软发布Vista销量不及预期，三星逆势投资叠加金融危机移动端存储需求快速提升，苹果、三星等品牌发力手机11年后DRAM厂商扩产需求不及预期13-16年，手机领域完成从3G到4G的转变，手机更新迭代迅速；云厂商增加资本支出18-19年存储芯片库存+加密货币价格下滑疫情导致远程办公需求提升，叠加缺芯潮等因素扩产存货高企，需求下滑导致存储芯片量价齐跌金融报国客户至上252.1

50、观历史周期之轮回，存储芯片现底部回暖趋势-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%20000000000000000002020202020202020221202120

51、22220222022202220222023海力士 美光 华邦 旺宏 南亚 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 在过去的周期（2016-2019年），存储 IDM 厂商的股价经历了显著的波动。从低点到高点，其涨幅在200%到600%之间，其中旺宏更是一度涨幅高达2786%。然而，从高点到低点，股价也经历了较大的跌幅，约为40%到80%。而在最近的周期（2019-2023年），股价的表现也出现了一定程度的波动。从低点到高点，股价的涨幅在150%到270%之间，相比之前略有回落。而从高点到低点，股价的跌幅仍在40%到60%之间。展望2024年，存储芯片价格有望触底反弹。

52、图图2828：各存储厂商股价涨跌幅趋势情况：各存储厂商股价涨跌幅趋势情况金融报国客户至上262.1 观历史周期之轮回，存储芯片现底部回暖趋势 存储公司的股价、存储合约价格和库存存在着一定的相关性。2001年-2022年区间，美光公司的股价和库存整体呈现向上的趋势。将美光公司股价、存储合约价和库存水平三组数据在Eviews进行相关性分析，股价和合约价的相关性呈现中等相关（0.46），股价和库存的相关性为较强相关（0.59）。仅将股价和库存两组数据拟合为强相关（0.75）。股价的攀升先于库存最高点，在库存达到高点后，股价持续反弹，接着存储合约价微跌或者横盘、基本企稳。之后存储价格和股价共同处于缓慢

53、上升。0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2001---92015-82018-72021-6美光股价 存储合约价-DDR3 美光库存 图图2929：20年美光股价、库存和年美光股价、库存和DDR3DDR3合约价合约价变化趋势变化趋势(单位：单位：%)%)资料来源：Wind，中国银河证券研究院金融报国客户至上272.1 观历史周期之轮回，存储芯片现底部回暖趋势 在2022年下半年，美光的股价已经开始回升。这是因为存储行业面临周期性的下行压力，导致原厂商减少产能利用率和资本支出，以应对市

54、场供应过剩的情况。在库存达到峰值之前，生产量超过了市场需求，使得库存不断增加。然而，一旦库存达到顶峰，生产量开始下降，而市场需求仍在持续，这导致库存开始减少。随着库存逐渐消化，存储产品的价格逐渐反弹。当库存消耗完毕后，市场需求逐渐复苏，而供应仍然有限，导致存储产品供不应求，价格继续上涨。这种供需关系的变化导致了存储行业的股价回升。单位单位2016/62016/6-2019/7 2019/7 周期周期2019/82019/8-2022/12 2022/12 周期周期低点高点涨幅低点降幅低点高点涨幅低点降幅SKSK海力士海力士韩元25,65097,700281%56,700-42%56,70015

55、0,500165%74,700-50%美光美光美元965592%27-58%26.8598267%48-51%华邦华邦台币830274%11-63%11.3539243%19-52%旺宏旺宏台币2612786%15-76%14.5550244%28-44%南亚南亚台币35108206%45-58%45.10105133%45-57%威刚威刚台币2794253%34-64%34.05132288%50-63%创见创见台币7910532%63-40%62.089246%58-37%表表8 8：近两个周期内存储厂商股价最高点近两个周期内存储厂商股价最高点，最低点最低点资料来源：Wind，中国银河证券

56、研究院金融报国客户至上282.1 观历史周期之轮回，存储芯片现底部回暖趋势 供需关系的错配始终是存储市场造成周期的主要原因。供需关系的错配始终是存储市场造成周期的主要原因。从近20年的发展来看，新需求不断推动存储领域销售额增长，在2000-2010年是服务器、PC市场推动存储市场增长，到2010-2020年，平板电脑云计算推动存储市场快速增长，2023年后AI大模型开始走入大众视野，成为推动存储市场的新动力。资料来源：Wind，中国银河证券研究院图图3030：20年存储供需关系错配年存储供需关系错配金融报国客户至上292.1 观历史周期之轮回，存储芯片现底部回暖趋

57、势 在2021年第三季度，存储周期达到顶峰，之后由于下游需求减少和行业去库存压力，市场规模迅速下降。最初，相关原厂并没有减少生产，而是通过降价来保持出货量，导致存储市场的价格和数量同时下降。随后，难以承受持续亏损的主要厂商开始逐步减产，以实现供需平衡。目前，随着减产和库存去化的持续，DRAM价格在23年Q3之后基本保持稳定，部分物料已小幅上涨。于23年8月，NAND价格也已经止跌，23年10月，DRAM和NAND的大部分物料号已开始持续涨价。资料来源：Wind，中国银河证券研究院000020202120222023DRAM价格N

58、AND Flash价格图图3131：20年年 DRAM DRAM 和和 NAND NAND 价格走势图（单位：美元）价格走势图（单位：美元）金融报国客户至上302.2 供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提升 23年上半年存储行业整体处于下行区间，三星、SK海力士、美光、西部数据和铠侠等厂商纷纷宣布减少产能，厂商降低关于存储业务的资本性支出。各大厂商不约而同的减产计划促使存储周期提前，在存储需求不断扩大的前提下，存储芯片的价格将会上升，提前进入复苏周期。资料来源：各公司公告，中国银河证券研究院厂商厂商产能规划产能规划资本支出计划资本支出计划其他措施其他措施三星三星三

59、星 Line15 因优化旧制程产线而投片小幅下滑，发布2023Q1业绩报告后宣布对存储芯片进行减产，2023年3 月为止，减产幅度为 20%。优化旧制程产线，灵活调整2023年设备方面资本支出集团内部资金拆借支持半导体部门资本支出SKSK海力士海力士2022Q4 宣布减产，2023Q1稼动率为 92%，预期 2023Q2 会进一步下滑至 82%，位于韩国的 M16 产线为先进制程，故维持原先小幅增产计划2023 年在原有15-20万亿韩元基础上削减50%以上资本支出削减管理岗位人数（20%-30%）美光美光削减20%综合产量，2023全年维持产能稼动率为84%，2023全年DRAM产量规划低于

60、2022年，NAND Flash略高于2022年2023年资本支出由120亿美元调减至70-75亿美元，减少2024规划资本支出放缓技术升级，降低运营成本（裁员比例由2022年预计的10%提升至15%）西部数据西部数据+铠侠铠侠调整横滨与北上NAND Flash工厂产量，从2022 年 10 月开始削减约30%产量/2022年11月开始实施不超过10%的裁员计划表表9 9：20232023年各存储厂商减产计划年各存储厂商减产计划金融报国客户至上312.2 供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提升供给端减产持续，供应缺口预期在供给端减产持续，供应缺口预期在24Q224Q2到来。到来。目前根据测算，

61、自2023年起，海外厂商的产能利用率和资本支出已显著减少。预计2023年DRAM市场整体供给减少3.4%；NAND Falsh整体供应减少7.7%，其中23Q3-Q4季度为原厂减产窗口期。表表1010：DRAMDRAM和供给测算和供给测算表表1111：NANDNAND和供给测算和供给测算资料来源：IDC，WSTS,CFM.中国银河证券研究院20202020202222023E2023E2024E2024EDRAM行业总供给49362408827827yoy22.30%23.00%2.30%-3.40%6.70%供应商供给增速三星22.0%24.0%-

62、1.0%-2.7%9.0%海力士24.0%21.0%4.0%-2.5%4.0%美光25.0%20.0%8.0%-5.0%5.0%南亚科35.0%1.0%-26.0%-11.0%15.0%华邦18.0%11.0%-19.0%19.0%64.0%20202020202222023E2023E2024E2024ENAND行业总供给422467580099622526574591739107yoy32.10%37.30%7.30%-7.70%11.22%供应商供给增速三星23%40%2%-8%8%美光42%58%6%-6%12%海力士19%24%6%-5%14%铠侠35%37%2

63、%-10%10%WDC52%31%3%-20%10%Intel27%3%46%-2%5%资料来源：IDC，WSTS,CFM.中国银河证券研究院金融报国客户至上322.2 供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提升图图3232：全球主要存储器厂商生产基地：全球主要存储器厂商生产基地资料来源：CFM闪存市场.中国银河证券研究院金融报国客户至上332.2 供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提升 供给端厂商资本开支逐步下滑，美光海力士下调幅度较大。供给端厂商资本开支逐步下滑，美光海力士下调幅度较大。从行业整体资本开支水平上看，行业资本开支水平增速已经从高位开始下降，从2022年10月开始晶圆产量将减少约3

64、0%，美光、SK海力士、三星也相继宣布减产，供给有望逐步收缩。在资本支出调整方面，根据各公司业绩说明会，美光2023年资本支出计划调减至70亿美元，同比减少40%以上；SK海力士2023年资本支出计划同比减少50%。根据TrendForce数据显示，2023年Q2三星、美光、海力士的稼动率分别下降至77%/74%/82%。为了保利润，目前各大存储厂稼动率依然保持在低位运行。-100%-50%0%50%100%150%200%05000250030003500400045005000海力士资本开支(百万美元)yoy（右）-100%-50%0%50%100%150%200%2

65、50%050002500300035004000美光资本开支(百万美元)yoy（右）资料来源：Bloomberg，中国银河证券研究院图图3333：海力士资本支出变化：海力士资本支出变化图图3434：美光资本支出变化：美光资本支出变化资料来源：Bloomberg，中国银河证券研究院金融报国客户至上342.3 传统领域存储容量逐步提升，AI等新蓝海带来新需求 智能手机的迭代升级将加大对LPDDR5/5X的存储需求。2023年上半年从各个手机品牌发布会看，采用高容量UFS4.0和LPDDR5/5X的智能手机成为了产品卖点。2023年下半年，新款旗舰智能手机型号对UFS4.0和L

66、PDDR5X的需求非常明确，会引起对存储的高度需求。即将发布的旗舰智能手机，例如骁龙8Gen3，都配备了顶尖的嵌入式存储产品UFS4.0、LPDDR5X。手机型号手机型号存储规格存储规格小米小米1313UFS 4.0 128/256/512GB+LPDDR5x 8/12GB小米小米13 Pro13 ProUFS 4.0 128/256/512GB+LPDDR5x 8/12GB小米小米13 Ultra13 UltraUFS 4.0 256/512GB/1TB+LPDDR5x 12/16GB红红米米K60 ProK60 ProUFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 8/12/16 GB

67、OPPO Find X6 ProOPPO Find X6 ProUFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12/16GBOPPO Find X6OPPO Find X6UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12/16GBOnePlus 11OnePlus 11UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12/16GBVivo X Fold2Vivo X Fold2UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12GBVivo X90 ProVivo X90 Pro+UFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 12GBVivo X90 ProVivo

68、 X90 ProUFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 8/12GBVivo X90Vivo X90UFS 4.0 128/256/512GB+LPDDR5x 8/12GBiQOO Neo8 ProiQOO Neo8 ProUFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 16GBiQOO 11 ProiQOO 11 ProUFS 4.0 256/512GB+LPDDR5x 8/12/16GBiQOO 11iQOO 11UFS 4.0 128/256/512GB+LPDDR5x 8/12/16GB资料来源：中国闪存市场，中国银河证券研究院表表1212：各手机品牌旗舰手机存储规格：

69、各手机品牌旗舰手机存储规格金融报国客户至上352.3 传统领域存储容量逐步提升，AI等新蓝海带来新需求 根据IDC的数据，2023年中国智能手机市场价格段延续K形分化趋势。600美元（约合4,306元）以上高端市场份额达27.4%，同比增长3.7个百分点。同时200美元（约合1,435元）以下低端市场份额恢复到27.5%，同比增长5.2个百分点。从趋势来看，2019年-2023年，400-600美元（约合2,870元-4,306元）价格端的手机销量持续下滑，2023年只有10.4%。我们认为，高端消费人群维持购买力的同时，更多中端用户开始升级选择旗舰产品来延长换机周期。同时随着各品牌旗舰机手机

70、从LPDDR5升级为LPDDR5X，销售额市场更为庞大的中低手机市场也会随着LPDDR5的价格下降，逐步从LPDDR4X升级为LPDDR5。从而使得智能手机总量上对LPDDR5的需求更大。图图3535：存储全面进入：存储全面进入LPDDR5LPDDR5时代时代图图3636：中国智能手机价格段份额趋势（中国智能手机价格段份额趋势（20，单位：美元），单位：美元）资料来源：半导体行业观察，中国银河证券研究院资料来源：IDC，中国银河证券研究院42.4%28.5%20.0%22.3%27.5%12.0%13.9%17.0%12.7%10.4%31.9%39.4%39.8

71、%41.3%34.7%13.7%18.2%23.2%23.7%27.4%0%20%40%60%80%100%200222023$200$400-$600$200-$400$600金融报国客户至上362.3 传统领域存储容量逐步提升，AI等新蓝海带来新需求-20%-15%-10%-5%0%5%10%15%20%00.511.522.533.54PC出货量（亿台）同比增速（%）2022 年全球 PC 电脑出货量为 2.92 亿台，同比减少 16.51%。其中中国 PC 电脑出货量为0.49 亿台，同比减少 15.06%，占全球 PC 电脑出货量的 16.78%。PC端AI发展

72、由软硬件协同驱动，2022年ChatGPT开启了AI大模型浪潮，AI应用场景日渐丰富。微软于今年发布的Microsoft 365 Copilot和Windows Copilot有望给PC的使用体验带来质变。个人电脑的AI智能化由硬件和软件协同驱动。图图3737：20 PCPC出货量出货量图图3838：AIPCAIPC产业链各个环节共同推动产业链各个环节共同推动 AI AI 本地化部署本地化部署资料来源：IDC，中国银河证券研究院资料来源：慧博咨询，中国银河证券研究院金融报国客户至上372.3 传统领域存储容量逐步提升，AI等新蓝海带来新需求联想在第三财季的发布会透

73、露，24年AI PC将会推向市场，canalys预计2024年AI PC的渗透率为19%，到2027年每三台PC中将有两台是AI PC。AI PC将定位高端产品，将配置更强的处理器，更多的存储，并配有更多的增值服务。人工智能将成为PC行业重回增长的主要催化剂。0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%02040608002023E2024E2025E2026E2027EAI PC出货量（百万台）AI PC渗透率（%）图图3939：整机厂商对：整机厂商对AI PCAI PC战略布局战略布局图图4040：AI PCAI PC出货量及渗透率预测出货量及渗透率预测

74、资料来源：Canalys，中国银河证券研究院资料来源：联想官网，群智咨询，中国银河证券研究院金融报国客户至上382.3 传统领域存储容量逐步提升，AI等新蓝海带来新需求 AI PC的发展正朝着“计算+存储+传感”全面扩展。随着计算和传感性能的提升，存储需求也随之增长，尤其是对内存容量的需求。生成式AI模型，如LLaMA模型，对内存的要求很高。例如，70亿参数的LLaMA模型FP16版本大小约为14GB，而现有的移动设备内存通常不到10GB。因此，AI PC带来的数据处理量的增加需要高速传输芯片的同步升级。这也意味着传输接口需要从PCIe 3.0升级至PCIe 4.0或5.0，同时，内存规格也从

75、DDR4升级至DDR5，以满足更高的数据处理和存储需求。特点DDR4DDR5DDR5的优势速度传输带宽1.6-3.2Gbps时钟频率0.8-1.6GHz传输带宽4.8-8.4Gbps时钟频率1.6-4.8GHz带宽更高，DDR5初代数据传输率为4800MT/s，比DDR4最高速度3200MT/s提升50%工作电压1.2V1.1V降低功耗，节能省电电源管理电源管理在主板上电源管理移动到DIMM上的PMIC减轻主板电源管理负担通道结构64位单通道内存模组分为两个独立的32位子通道提高总体性能、更低的延时突发长度BC4.BL8BC8,BL16内存效率更高内存容量16Gb SDP-64GB DIMMs

76、 64Gb SDP-256GB DIMMs内存容量更大On-die ECC除错机制无有系统运作更加稳定0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%200022420252026DDR2DDR3DDR4DDR5表表1313：DDR5DDR5和和DDR4DDR4对比对比图图4141：DDR5DDR5将逐步取代将逐步取代DDR4DDR4资料来源：CDDN，中国银河证券研究院资料来源：Yole，中国银河证券研究院金融报国客户至上392.3 传统领域存储容量逐步提升，AI等新蓝海带来新需求 HBM存储通过将DRAM堆

77、叠的方式大幅提高内存带宽，而2022年末AI大模型应用的爆发催化了算力需求增长，AI训练更高的算力需求需要存储芯片进行容量与带宽上的配套，从而带宽更高的HBM方案加速落地，预计HBM方案将在24/25年后成为AI训练服务器市场主流。目前单台AI服务器HBM容量需求约320640GB。预计2025年全球HBM市场规模将达到2500百万美元。0%5%10%15%20%25%30%35%050030020202021E2022E2023E2024E2025E全球AI服务器市场规模（亿美元，左轴）增速（%，右轴）-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%050010

78、000300020022E2023E2024E2025E全球HBM市场规模（百万美元）yoy图图4242：20年全球年全球AIAI服务器市场规模及增速服务器市场规模及增速图图4343：20年全球年全球HBMHBM场规模及增速场规模及增速资料来源：IDC，中国银河证券研究院资料来源：Omdia，中国银河证券研究院金融报国客户至上402.3 传统领域存储容量逐步提升，AI等新蓝海带来新需求 高端高端HBMHBM需求年增长将近需求年增长将近60%60%。TrendForce调研显示，高端AI服务器

79、GPU普遍采用HBM，预计2023全球HBM需求将增长近60%，达2.9亿GB，2024年再增30%。美光推出最新HBM3 Gen 2内存样品，速度达1.2 TB/s，8高堆栈24GB容量，采用1制造工艺。与HBM2E相比，HBM3每瓦性能提高2.5倍。表表1414：AIAI服务器训练需要大量服务器训练需要大量HBMHBM资料来源：TrendForce，中国银河证券研究院单位单位2023E2023E2024E2024E2025E2025E2026E2026E2027E2027E训练服务器对HBM需求测算训练AI服务器出货量万台612253745每台服务器的GPU数量枚88888每个GPU平均使

80、用的HBM数目枚66777训练服务器所需HBM需求万片2776276推理服务器对HBM需求测算推理AI服务器出货量万台14.327.950.281.6102.8每台服务器的GPU数量枚44444每个GPU使用的HBM数目枚55555推理服务器所需HBM需求万个2865587HBM需求测算推理AI服务器万片2865581,0051,6322,057训练AI服务器万片2776271,4022,1232,546交换机用HBM万片7206其他需求万片1,2001,2001,2001,2001,200HBM需求合计万片1,9042,540

81、3,7775,1436,009金融报国客户至上4103PART THREE供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提升CHINA GALAXY SECURITIES金融报国客户至上423.1 早期产业链呈现“美-日-韩”转移趋势1966年，IBM研究中心率先发明DRAM存储器1969年，美国加州Advanced Memory System公司成功生产出了世界上第一款DRAM芯片(1KB)1970年10月，英特尔成功推出了自己的第一款DRAM芯片C1103快成为全球最畅销的半导体内存，服务于HP、DEC等重要客户1973年，美国德州仪器(T1)推出4KDRAM,成为英特尔的强劲对手1974年，英特尔D

82、RAM产品的全球市场份额达到了82.9%1978年10月，四个莫斯泰克公司的技术人员离职共同创立了一家新的存储技术公司一美光1979年，克斯泰克被关国联合技术公司(UTC)收购，后又转卖给意法半导体1966年1970年1969年1973年1974年1978年1979年1976年，日本过举国体制，成立了VLS联合研发体（超大规模集成）1977年，在VLS项目的帮助下，日本成功研制出了64K DRAM,追平了美国公司的研发进度1980年代，日本厂商（富士通、日立、三姜、NEC、东芝等)继续发力，凭信质量和价格优势，开始反超美国公司1986年，日本存储器产品的全球市场占有率上升至65%：而美国则降低

83、至30%1980年代末，美国主导了著名的广场协议，逼迫日元升值。与此同时，美国半导体协会也发起了对日本半导体等产品的反倾销讼，两国达成了对日本半导体产品的价格监督协议。在接二连三的打击下，日本半导体产品的市场份额一落千丈，很快丧失了主导权1976年1977年1980年代1986年1980年代末1978年，三星集团旗下的三星半导体、三星电子正式独立1983年，三星完成16k DRAM的研发，距离美国技术相差10年1986年10月，韩国政府执行“VLS共同开发技术计划”联合三星、LG、现代三大集团以及韩国六所大学，联合攻关DRAM的核心技术1988年，三星完或4 DRAM研发，技术层面持平日本19

84、92年8月，三星建设了世界上第一个DRAM机生产厂1996年，三星研发出世界第一个1 GB DRAM,自此三星正式成为储存芯片领域中的世界级领跑者1990年8月，三星研发出世界第三款64M DRAM美国：DRAM诞生日本：由盛转衰韩国：半导体崛起资料来源：中国银河证券研究院图图4444：早期半导体产业链呈现“美：早期半导体产业链呈现“美-日日-韩”转移趋势韩”转移趋势金融报国客户至上433.1 早期产业链呈现“美-日-韩”转移趋势 日本公司在1970至1980年代因政府研发投资及1976年成立的超大规模集成电路技术研究协会崛起，推动了电子束光刻技术发展，1988年占全球市场51%。然而，90年

85、代末，日本难适应专业化转变。1986年美日半导体协议下的贸易摩擦和适应不良导致日本市场份额下降，为韩国及其他国家半导体公司崛起铺路。韩国存储半导体产业的崛起始于1983年三星的第一代64K DRAM生产。90年代，三星进一步巩固了其在DRAM市场的地位，并在2000年代初期推出了闪存技术，进一步增强了其市场优势。2009年，SK海力士推出了世界上第一款64GB NAND闪存。近年来，三星和SK海力士持续推出创新产品，如三星的V-NAND技术和SK海力士的LPDDR5T DRAM。图图4545：日本和韩国存储行业收购情况：日本和韩国存储行业收购情况图图4646：三星：三星LPDDRLPDDR发展

86、史发展史资料来源：中国银河证券研究院资料来源：中国银河证券研究院金融报国客户至上443.1 早期产业链呈现“美-日-韩”转移趋势 日本厂商从上世纪 70 年代进入到存储器行业中，以 DRAM 为主要产品，而到 2012年尔必达宣布倒闭基本退出了 DRAM 市场，留下铠侠在 NAND Flash 行业中继续支撑。在日韩的存储器快速发展之后，中国台湾地区在存储器行业的发展过程也是值得关注的部分，在全球三大厂商之后，尽管规模较小，南亚科和华邦电仍然代表了中国台湾地区的 DRAM 产业，尽管中国台湾地区存储半导体并未实现真正崛起占领市场。图图4747：主要国家地区：主要国家地区 DRAM DRAM 市

87、场份额变化市场份额变化图图4949：1998 1998 年韩国在全球年韩国在全球 DRAM DRAM 市场超过日本市场超过日本资料来源：日本电子产业兴衰录,中国银河证券研究院图图4848：1990s 1990s 韩国、中国台湾地区等地半导体产业开始兴起韩国、中国台湾地区等地半导体产业开始兴起0%20%40%60%80%0622004200620082001620182020美国欧洲日本亚洲（除日本）资料来源：日本电子产业兴衰录,中国银河证券研究院资料来源：日本电子产业兴衰录,中国银河证券研究院金融报国客户至

88、上453.2 存储产品类型发展至今历经50年M.M.Atalla和Dawon Kahng共同发明了浮栅Dove Frohman 发明了第一款 浮栅型器件 EPROM，通 过照射紫外线 光擦除。Eli Harari发 明了世界上首 个电可编程和 可擦除存储 器EEPROM Masuoka博士 在综合电子设备大会上正式 介绍了闪存 英特尔推出了 闪存卡概念，成立了专注于 SSD的部门 Masuoka博士发明了NAND闪存即2D NAND 英特尔推出首 款商用闪存芯 片，成功取代 EPROM产品，主要用于存储 计算机软件闪存营收破$220B(NAND 营收$14.5B)。Apple推出了 配置4/8

89、GB闪 存的iPhoneNAND总发售容量超过DRAM NAND的价格首次基于同等密度降至DRAM之 下,成本效应 将闪存代入计算领域 东芝推出了 SmartMedia存储卡(固态软盘卡)。三星开始发售NAND 闪存SunDisk推出了34MB 串行 NOR Flash，这是首款面向 SSD应用的MLC闪存芯片 SunDisk推出首款基于闪存的ATA SSD，容量为20MB英特尔发售 NOR Flash。随后三星和东芝各自推出NAND Flash三星创造了3D NAND，推出第一代3DNAND闪存芯片，32层 SLC V-NAND SSD850 PRO2020年4月，长江存储推出128层QLC

90、3DNAND闪存2021年6月兆易创新宣布首款自有品牌4GbDDR4产品GDQ2BFAA系列现已星产三星SanDisk 和东芝宣布推 出3D NAND生产设备;三星开始发售32层 MLC 3D V-NAND 850 EVO东芝和SanDisk推 出48层3D NAND;英特尔和美光推 出384GB 3D NAND;三星推出首款 NVMe m.2固态硬 盘和48层 V-NANDSK海力士发 售72层3D NAND;三星 与东芝/西 部数据发售 96层3D NAND 国家集成电路产业投 资基金一期对半导体 行业投资1387亿元;长 江存储量产32层3D NAND芯片，计划在 2020年跳过96层3

91、D NAND，直接进入128层2022年至今2022年11月长江存储232层Xtacking3.0技术研发成功2022年12月，长江存储被美国列入实体清单2023年美光在华销售产品末通过网络安全审1995年1970年1981年1984年1986年1987年1988年2007年2005年2004年1996年2013年1991年1989年2012年1967年2014年2015年2016年2020年2022年EPROMEEPROMNOR FLASHNAND FLASH资料来源：中国银河证券研究院图图5050：存储产品类型发展至今历经：存储产品类型发展至今历经5050年年金融报国客户至上463.2 N

92、AND：企业级SSD发展历史资料来源：智能计算芯世界，HTI，中国银河证券研究院萌芽期19671967年年19911991年年20012001年年20072007年年20082008年年20092009年年20102010年年20132013年年20172017年年探索期发展期繁荣期19671967年年19911991年年20012001年年20072007年年20082008年年20112011年年20142014年年20162016年年20172017年年萌芽期探索期追赶期20192019年年1967年，美国贝尔实验室发明NAND Fash技术的前身-浮栅晶体管1991年，美国闪迪公司发布

93、第一块商业闪存SSD2001年，美国Texas Memonry Systems公司发布了第一款企业级SSD，该公司于2012年被IBM购2007年，东艺公司首次发布3D-V NAND技术2008年，Intel推出旗舰企业级SSD产品X25-E Extreme2009年，SSD容量达到HDD水平2013年，三星推出首款企业级PCle SSD。同年开始规装生产3D NAND芯片2007年，华为发布第一代企业级SSD产品2008年，国科微成立2011年，忆恒创源成立2014 年，“大基金”创立2016年，长江存储，合肥长鑫相继成立，兆易创新上市2017年，紫光存储成立2019 年，国科微推出全国产的

94、SSD主控美国中国图图5151：NAND FlashNAND Flash产品在中美发展情况产品在中美发展情况金融报国客户至上473.2 NAND存储原理：写/擦悬浮栅内的电荷是核心机制 闪存的内部结构为金属-氧化物-半导体-场效应晶体管（MOSFET），其中内置悬浮栅（Floating Gate）单元，用于实际数据存储。在NAND闪存中，编程（写入）过程是通过控制控制栅（Control Gate）充电（施加电压）的方式实现，从而积累足够的电荷在悬浮栅内。当储存的电荷超过阈值电压Vth时，表示数据为0。擦除过程则涉及释放悬浮栅内的电荷，使其低于阈值Vth，从而表示数据为1。这种写入和擦除操作是N

95、AND闪存中数据存储的核心机制。图图5353：擦写次数限制，电荷被困在氧化层或氧化层被破坏：擦写次数限制，电荷被困在氧化层或氧化层被破坏图图5252：8Gb 50nm8Gb 50nm的的SLCSLC颗粒内部架构颗粒内部架构资料来源：CSDN，中国银河证券研究院资料来源：半导体行业观察，中国银河证券研究院金融报国客户至上483.2 NAND：3D多层堆叠已是大势所趋0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2000202021 2022E 2023E 2024E 2025ESLCMLCTLCQLC00702

96、0020E2021E2022E2023E2024E2025E2D收入（十亿美金）3D收入（十亿美金）图图5454：20年年 NAND FLASHNAND FLASH市场划分市场划分图图5555：20年年2D2D和和3D NAND 3D NAND 市场规模市场规模资料来源：International business strategies，中国银河证券研究院 3D NAND技术的兴起标志着2D到3D的大势所趋。在过去，为了提高存储密度，2D NAND通过在平面上微缩晶体管尺寸来实现，但这一方法已经接近了物理极限，导

97、致其发展面临瓶颈。为了在保持性能的同时提升存储容量，3D NAND逐渐成为主流技术。据预测，到2025年，3D NAND将占据闪存总市场的97.5%。目前，TLC（Triple-Level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）是NAND的主流产品，两者合计占据了市场份额的95%。根据Gartner的数据，2019年SLC（Single-Level Cell）NAND市场规模达到了16.7亿美元，约占整体NAND市场的3%-4%左右。资料来源：联芸科技市场闪存市场研究，中国银河证券研究院金融报国客户至上493.2 NAND：制程瓶颈在10-12nm，堆叠存在无限可能 因2D NA

98、ND存在技术瓶颈，预计其极限在10-12纳米。然而，3D NAND，即垂直堆叠技术，理论上具备无限堆叠潜力。这有助于跳出对进阶制程的限制，同时无需仰赖极紫外光刻（EUV）技术。这种革新确保了闪存的容量、性能和可靠性。这意味着未来可依靠3D NAND技术来满足不断增长的存储需求，推进存储技术的进一步演进。图图5757：镁光：镁光/英特尔的英特尔的FGFG（多晶硅浮栅）架构（多晶硅浮栅）架构图图5858：东芝：东芝P P-BiCSBiCS架构架构图图5959：三星：三星TCAT CTFTCAT CTF架构架构图图5656：各厂商在：各厂商在3D NAND3D NAND的发展路径的发展路径资料来源：

99、TrendFroce，中国银河证券研究院资料来源：peacat，中国银河证券研究院资料来源：peacat，中国银河证券研究院资料来源：peacat，中国银河证券研究院金融报国客户至上503.2 NAND：未来可能采用沟槽单元架构连接电荷陷阱 2030年后，GAA NAND微缩饱和后，imec计划采用沟槽单元架构连接电荷陷阱。此架构使3D NAND摆脱了圆形GAA存储单元，改在沟槽侧壁上实现，每个沟槽侧壁有两个晶体管。新架构不仅提升存储密度，还有望降低成本。但与2D配置类似，栅极不完全包裹沟道，存储制造商担心编程/擦除窗口问题。为解决存储窗口问题，imec提出创新方案，即缩小沟槽器件的沟道宽度。

100、这可扩大弯曲高注入区的影响，使沟槽单元在几何上类似于GAA单元。同时，通过栅极堆叠和金属栅极的巧妙设计，可以抑制寄生电子注入，从而降低擦除饱和水平。这一创新有望克服技术挑战，推动下一代NAND闪存单元架构的发展。图图6060：3D NAND GAA 3D NAND GAA 和沟槽器件和沟槽器件图图6161：不同沟道宽度的沟槽表现出不同的擦除性能：不同沟道宽度的沟槽表现出不同的擦除性能资料来源：半导体行业观察，中国银河证券研究院资料来源：半导体行业观察，中国银河证券研究院金融报国客户至上513.2 NAND：根据容量可以分为主流产品和利基产品类别类别NANDNAND产品产品利基NANDSLC 1

101、6Gb 2Gx8SLC 8Gb 1Gx8SLC 4Gb 512Mx8SLC 2Gb 256Mx8SLC 1Gb 128Mx8主流NANDMLC 256Gb 32Gx8MLC 128Gb 16Gx8MLC 64Gb 8Gx8MCL 32Gb 4Gx83D TCL 1Tb3D TCL 512Gb3D TCL 256Gb-20%-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%057201820192020E2021E2022E2023E2024ESLC NAND 市场销售规模（亿美元）YoY图图6262：利基：利基SLC NAND SLC NAND 市场规模市场规模

102、表表1515：利基、主流：利基、主流NANDNAND分类分类 NAND存储器可以根据其类型和容量进行划分为利基产品和主流产品。利基产品：SLC NAND（Single-Level Cell NAND）属于利基产品。MLC NAND（Multi-Level Cell NAND）和TLC NAND（Triple-Level Cell NAND）属于主流产品。目前，大陆的一些存储芯片制造企业如兆易创新、东芯股份、北京君正等都在积极发力SLC NAND领域，而长江存储则主要专注于主流NAND，尤其是3D NAND技术，提供高容量的产品资料来源：DRAMexchang，Gartner，中国银河证券研究院

103、资料来源：DRAMexchang，Gartner，中国银河证券研究院金融报国客户至上523.2 NAND：使用场景不断拓展，赋能千行百业 以 NAND Flash 为例,其在汽车中主要用于 ADAS、IVI 等系统,用于存储连续数据。随着自动驾驶等级提升,ADAS 的 NAND 需求增长显著,L1/L2 级只需 8GB,L3 级需 128/256GB,L5 级可能超过 2TB,未来可能用 PCIe SSD。自动驾驶汽车内外感知设备持续增加,需要大量使用 NOR Flash、DRAM 等芯片。主机厂 车型L2级自动驾驶汽车L3级自动驾驶汽车L4级自动驾驶汽车L5级自动驾驶汽车智能座舱容量64-1

104、28GB128-512GB256-512GB512GB-1TB类型eMMCeMMC/UFSUFSUFSADAS/AD容量8-64GB128-256GB512GB-ITB1-2TB类型eMMCeMMC/UFS2.1 UFS3.0/PCIeSSDPCIe SSD表表1616：存储产品在车上用量预测：存储产品在车上用量预测图图6363：存储产品在车上使用情况：存储产品在车上使用情况资料来源：慧荣科技，中国银河证券研究院资料来源:慧荣科技，中国银河证券研究院金融报国客户至上533.2 NAND：提升密度单元和堆叠层数是提升存储容量的手段 固态硬盘主流的SSD采用TLC技术，未来将会普及QLC和PLC技

105、术。这些新技术使得每个存储单元可以存储更多的数据，例如4比特或5比特，进一步降低了每TB存储的成本。堆叠技术是另一个。NAND Flash SSD采用了堆叠技术，将存储单元从24层增加到32层、48层甚至更多。堆叠的层数越多，单位面积上可以容纳的数据量也越大。固态硬盘（SSD）的存储容量已经涵盖了多个选项，包括480GB、960GB、1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB等多种规格资料来源:mmdvc，中国银河证券研究院图图6464：密度单元提升对性能和成本的影响：密度单元提升对性能和成本的影响图图6565：层数堆叠对使用年限的影响：层数堆叠对使用年限的影响资料来源:mmdv

106、c，中国银河证券研究院金融报国客户至上543.2 NAND：4D NAND Flash可能成为新技术方向 SK海力士近年来研发出全新的4D NAND FLASH架构。这一架构在现有的3D NAND基础上,进一步增加了电路层的堆叠,实现了三维集成化设计。4D NAND的核心创新是在3D NAND存储单元阵列下方新增了一个周边电路层。这种高度集成化的设计大大缩小了电路板面积,不仅降低了制造成本,还进一步提升了存储容量。SK海力士已经完成了128层4D NAND芯片的样品制作和验证,并准备投入商业化生产。预计未来4D NAND芯片的层数还将持续增加,届时单片存储容量将实现飞跃资料来源：SK海力士，中

107、国银河证券研究院图图6666：3D NAND3D NAND与与2D NAND2D NAND的区别的区别图图6767：2D NAND2D NAND到到4D NAND4D NAND的概念图的概念图资料来源：SK海力士，中国银河证券研究院金融报国客户至上553.3 DRAM面临制程难题：单元缩小将面临难题 当前，存在8F2和6F2 DRAM单元，包括1T晶体管和1C电容器。未来，DRAM将继续采用1T+1C设计，但由于制程和结构限制，DRAM制造商正专注于发展4F2单元结构。在10nm级及以上的DRAM单元设计中，需要引入创新的工艺、材料和电路技术，如高NA EUV、4F2、1T DRAM、柱状电容

108、器、超薄高-k电容介质以及低-k ILD/IMD材料。预测DRAM厂商的D/R趋势表明，若坚持6F2 DRAM单元和1T+1C结构，2027-2028年将成为10nm D/R的终点。面对挑战，如3D DRAM、减少行选通问题、低功耗设计、刷新管理、低延迟、新功函数材料、HKMG晶体管和片上ECC等，DRAM单元缩小将面临难题。速度和感应裕量被广泛追求，例如三星在DDR5和GDDR6中采用的HKMG外围晶体管技术即优化BL感应裕量和速度。资料来源：半导体行业观察，中国银河证券研究院图图6868：从：从30nm 30nm 级到级到 10nm 10nm 级的级的 DRAM DRAM 单元设计和技术趋

109、势单元设计和技术趋势资料来源：半导体行业观察，中国银河证券研究院图图6969：DRAM DRAM 的制程趋势情况的制程趋势情况金融报国客户至上563.3 DRAM竞争格局：高度集中，CR3达到95%根据CFM的闪存市场数据，2022年DRAM市场规模达到约791亿美元，使其在数字存储市场中占据领导地位。近年来，数据中心、智能手机、加密货币等市场需求的增长推动了DRAM市场的整体扩张。然而，2019年由于产能扩张和库存问题，市场规模出现了一定程度的下滑。DRAM市场集中度高，目前主要由巨头垄断，即三星、镁光和SK海力士。根据Trendforce的数据，2022年Q4，这三家企业的市场份额合计达到

110、95.8%，分别为45.10%、27.70%和23.00%。-60%-40%-20%0%20%40%60%80%02004006008006200202021DRAM市场规模（亿美元）yoy45.10%27.70%23.00%4.20%三星SK海力士美光其它图图7171：2022Q4 DRAM2022Q4 DRAM市场高度集中市场高度集中图图7070：全球：全球DRAMDRAM市场规模（亿美元）市场规模（亿美元）资料来源：Statista，中国银河证券研究院资料来源：TrendForce，中国银河证券研究院金融报国客户至上573.3 DRAM：行业分

111、布均衡，AI推动DDR5及HBM需求 根据产品分类，DRAM可主要分为DDR、LPDDR（低功耗）和GDDDR。其中，DDR主要在服务器和个人电脑领域应用，LPDDR主要用于移动手机领域，而GDDR则广泛应用于图像处理领域。DDR产品又分为利基型DRAM和主流DRAM。利基型产品市场较小，工艺成熟，一般很少扩充产能；主流产品市场规模大，较为先进工艺，类大宗属性强。自主研发的人工智能（AI）的普及使得AI训练模型对服务器DDR5和HBM需求带来了增量空间。由腾讯、阿里巴巴、百度和抖音等国内互联网企业带头，大幅增加了对AI服务器的需求，从而导致对DDR5和HBM的强劲需求。37%34%33%18%

112、16%16%31%33%34%14.00%17.00%17.00%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%202120222023E手机PC服务器其他图图7272：DRAMDRAM市场下游分类市场下游分类DDR(服务器PC等)DDR1DDR2DDR3DDR4DDR5LPDDR(手机、平板等)LPDDR1LPDDR2LPDDR3LPDDR4LPDDR5GDDDR(GPU等)GDDDR2GDDDR3GDDDR4GDDDR5GDDDR6图图7373：DRAMDRAM市场下游产品类型市场下游产品类型资料来源：中国闪存市场，中国银河证券研究院资料来源：中国闪存市场，中国银河证券

113、研究院金融报国客户至上583.3 DRAM：不断演进和迭代，DDR5新一代逐步普及0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20062008200022eDDR1/OtherDDR2DDR3DDR4/DDR4+资料来源：Statistia,DRAMexchange,中国银河证券研究院DDR2DDR2DDR3DDR3DDR4DDR4DDR5DDR5利基利基DRAMDRAMDDR2 512Mb 32M*16DDR2 1Gb 64M*16DDR3 1Gb 64M*16DDR3 2Gb 128M*16DDR3 4Gb 256M*16D

114、DR4 4Gb 256M*16DDR4 8Gb 512M*16主流主流DRAMDRAMDDR4 8Gb 1G*8DDR4 16Gb 2G*8DDR4 8GB U-DIMNDDR4 8GB SO-DIMMDDR4 16GB U-DIMMDDR4 16GB SO-DIMMDDR5 16Gb 2G*8DDR5 8GB U-DIMMDDR5 8GB SO-DIMMDDR5 16GB U-DIMMDDR5 16GB SO-DIMM图图7474：DRAMDRAM产品细分格局产品细分格局表表1717：利基：利基DRAMDRAM和主流和主流DRAMDRAM分类分类 DRAM作为存储细分市场不断经历迭代更新，其

115、中目前主流产品是DDR4。根据RAM和CPU的时钟频率是否同步，DRAM可分为同步DRAM（Synchronous DRAM，简称SDRAM）和异步DRAM。SDRAM已经经历了六代迭代，包括SDR、DDR1、DDR2、DDR3、DDR4和DDR5。每一代迭代都带来了显著的芯片性能提升。截至2021年，DDR4成为DRAM市场的主流产品，占据了90%的市场份额，而DDR和DDR3合计则占据了10%的市场份额。这一趋势显示DDR4的普及率不断上升，而较旧版本的DDR和DDR3正在逐渐退出市场。随着技术的不断进步，DRAM市场持续演变，未来可能会看到DDR5等新一代DRAM产品的进一步普及。资料来

116、源：IC Insights,中国银河证券研究院金融报国客户至上593.4 NOR FLASH：近20年主流厂商变化情况2001-2005年2006-2010年2011-2015年2016-2020年2021年AMD富士通三星电子旺宏电子华邦电子飞索半导体英特尔意法半导体恒亿硅存储赛普拉斯飞索半导体赛普拉斯美光科技微芯科技兆易创新爱特梅尔赛普拉斯美光科技微芯科技旺宏电子华邦电子兆易创新2003年合资成立2008年合资成立2010年被收购2010年退出市场2008年进入NOR Flash市场2016年合井2017年宣布退出低端NOR市场2017年宣布退出低端NOR市场2016年被收购资料来源：半导

117、体行业观察，中国银河证券研究院图图7575：近：近2020年年Nor FlashNor Flash主流厂商变化情况主流厂商变化情况金融报国客户至上603.4 NOR FLASH：具备片内执行的优势资料来源：Toshiba,Tech Target，中国银河证券研究院图图7676：NANDNAND和和NORNOR产品性能对比情况产品性能对比情况 NOR Flash是一种通用性的存储芯片，具有芯片内执行、读取速度快、没有坏块、稳定性高等特点，通常用于智能手机、消费电子、工控等领域代码存储需求。相比NAND，NOR芯片能够直接运行其内在代码，无需系统RAM就可直接运行，但是缺点在整体容量较小，一般为1

118、Mb-2Gb左右。NAND FlashNAND FlashNOR FlashNOR Flash用途文件存储代码存储、执行存储容量高低单位成本更低读写功耗更低待机功耗更低写速度更快读速度更快随机读取是表表1818：NOR FlashNOR Flash和和NAND FlashNAND Flash的对比的对比资料来源：CSDN，中国银河证券研究院金融报国客户至上613.4 NOR FLASH：市场空间超25亿美元，头部逐渐退出图图7777：20全球全球NOR FlashNOR Flash市场规模市场规模图图7878：NOR FlashNOR Flash市场格局市场格局

119、从市场空间来看，自2015年后，随着TWS耳机、智能连接设备、车载等领域的扩容，市场规模稳步增长，2020年市场空间达到25亿美元。从竞争格局来看，随着18年后美光和赛普拉斯退出NOR产品市场，当前，旺宏、华邦、兆易创新市场占有率排名前三，市场份额分别为26.2%、24.5%、18.8%。007080华邦旺宏兆易创新赛普拉斯其他资料来源：IC Insights，中国银河证券研究院资料来源：Statistia,DRAMexchange,中国银河证券研究院金融报国客户至上6204PART FOUR国内各领域均有厂商布局，关注优质国内存储厂商CHINA GALAXY SECUR

120、ITIES金融报国客户至上63国内存储芯片厂商一览表表1919：国内存储芯片厂商产品布局：国内存储芯片厂商产品布局资料来源：公司年报，中国银河证券研究院类别类别主流主流DRAM DRAM 主流主流NAND NAND 利基利基DRAMDRAM利基利基NAND NAND NOR FLASH NOR FLASH EEPROMEEPROMSRAMSRAM市场规模市场规模836836亿美元亿美元538538亿美元亿美元9393亿美元亿美元2121亿美元亿美元2929亿美元亿美元1010亿美元亿美元4 4亿美元亿美元存储存储FablessFabless兆易创新19%44%北京君正普冉股份71%29%东芯股

121、份7%58%17%聚辰股份78%恒烁股份86%澜起科技国科微35%存储存储IDMIDM长鑫存储长江存储存储模组存储模组江波龙嵌入式存储（52%）、移动存储（24%）、固态硬盘（18%）、内存条（5%）德明利移动存储（56.2%）、固态硬盘（38.61%）、嵌入式存储(2.59%)朗科科技闪存应用（58.03%）、移动存储（1.2%）、闪存控制芯片及其他（37.67%）佰维存储嵌入式存储（68%）、消费级存储（27%）、工业级存储（4%）、先进封测服务（1%）存储封测存储封测深科技DRAM封测长电科技DRAM、NAND封测通富微电DRAM、NAND封测金融报国客户至上644.1 兆易创新：存储为

122、基，多领域布局的头部IC设计厂商 兆易创新是一家国内领先的半导体设计厂商，兆易创新是一家国内领先的半导体设计厂商，成立于2005年4月，最初名为北京芯技佳易微电子科技有限公司。2009年12月，公司更名为北京兆易创新科技有限公司，并于2016年在上交所主板成功上市。公司在多个业务领域均有发展：存储业务：存储业务：兆易创新在2008年成功量产了180nm串行NOR Flash。2013年，公司推出了行业首款SPI NAND Flash。2017年10月，兆易创新与合肥产投合作，开展了19nm工艺的12英寸DRAM项目，标志着公司首次进入DRAM市场。到2021年6月，公司发布了首款自有品牌的DR

123、AM产品。MCUMCU业务：业务：2013年，公司发布了首款基于ARM Cortex-M3内核的32位通用MCU。此后，公司逐步增加在MCU领域的产品研发力度，并在2023年推出了基于Cortex-M7内核的超高性能MCU。传感器业务：传感器业务：2019年，兆易创新完成了对上海思立微电子科技有限公司100%股权的收购，正式进入传感器市场。图图7979：兆易创新发展历程：兆易创新发展历程资料来源：公司招股说明书，公司官网，公司公告，中国银河证券研究院金融报国客户至上654.1 兆易创新：业务稳健增长，多业务齐头并进 兆易创新在存储、兆易创新在存储、MCUMCU、传感器产品方面的业务发展呈现不同

124、的趋势。存储业务：、传感器产品方面的业务发展呈现不同的趋势。存储业务：公司的主营来源，2022年占总收入的59.36%。然而，由于消费市场需求下滑，2022年的收入占比相比前一年有所下降。MCUMCU业务：业务：业务持续增长，2022年实现收入约28.29亿元。在过去五年中，MCU业务年均复合增长率达到了63%。这种增长得益于公司在工业和网络通信领域产品布局，收入增长弥补了消费领域的下滑。传感器业务：传感器业务：传感器业务的收入相对稳定，但由于2022年终端需求下滑，收入略有减少。在毛利率方面，存储和MCU业务由于产品市场需求增加和下游产品及客户结构的持续优化，毛利率保持较高水平。2022年，

125、存储和MCU的毛利率分别为40%和65%。相比之下，传感器产品的毛利率因价格降低和下游需求疲软而呈现下降趋势。图图8080：兆易创新收入和利润情况：兆易创新收入和利润情况资料来源：公司公告，中国银河证券研究院图图8181：兆易创新收入拆分（单位：亿元）：兆易创新收入拆分（单位：亿元）图图8282：兆易创新利润率情况：兆易创新利润率情况-50%0%50%100%150%200%02040608020022收入（亿元）归母净利润（亿元）收入YOY利润YOY00708090200212022存储芯片微控制器传感器

126、其他收入002002020212022毛利率（%）净利率（%）资料来源：公司公告，中国银河证券研究院资料来源：公司公告，中国银河证券研究院金融报国客户至上664.1 兆易创新：股权激励彰显公司长期发展信心 公司在公司在20232023年年7 7月推出了一项股权激励计划，体现了公司对长期稳定发展的承诺。月推出了一项股权激励计划，体现了公司对长期稳定发展的承诺。此股权激励计划涉及1018名员工，包括管理人员和核心骨干人员。公司计划以86.47元/股的价格授予他们总共1081.34万股股票期权，这占到了公告时公司总股本的1.62%。在业绩考核方面，公司采用

127、营业收入增长率作为主要的业绩指标。在业绩考核方面，公司采用营业收入增长率作为主要的业绩指标。在未来四年里，公司将以2018至2020年营业收入的平均值为基准，设定了逐年上升的营业收入增长目标，分别为110%、120%、160%和180%。这些目标对应的营业收入绝对值分别不低于69.619亿元、72.934亿元、86.195亿元和92.825亿元。此外，2023至2024年的业绩目标设定为不低于历史股权激励计划中的目标值，这体现了公司对未来发展的强烈信心。表表2020：兆易创新：兆易创新20232023年股权激励计划业绩考核目标年股权激励计划业绩考核目标资料来源：公司官网，公司公告，中国银河证券

128、研究院归属期归属期解锁比例解锁比例业绩考核目标业绩考核目标第一个归属期25%以 2018-2020 年营业收入均值为基数，2023 年营业收入增长率不低于 110%第二个归属期25%以2018-2020 年营业收入均值为基数，2024 年营业收入增长率不低于 120%第三个归属期25%以2018-2020 年营业收入均值为基数，2025 年营业收入增长率不低于 160%第四个归属期25%以2018-2020 年营业收入均值为基数，2026 年营业收入增长率不低于 180%金融报国客户至上674.2 北京君正：“存储+模拟+互联+计算”一体化发展 北京君正成立于2005年，由国内最早进行国产微处

129、理器研发的团队创立，公司自创立以来一直采用Fabless的商业模式，收购矽成之前，一直是国产32位嵌入式CPU芯片及配套软件平台的领先企业，2011年5月，公司在深交所创业板上市。从公司的历史进程上来看，公司起家于自主研发的从公司的历史进程上来看，公司起家于自主研发的CPUCPU技术。技术。公司最早在生物指纹识别、便携电子教育类产品、PMP（便携式播放器）领域大放异彩。随着智能手机产品在消费电子领域的异军突起，公司经营在短期内业绩放缓，随后公司战略转型AIOT市场，依靠公司多年在多媒体编码技术、AI算法等领域的持续投入，形成多项核心竞争力，在智能可穿戴设备、智能家居、二维码、智能门锁领域与多家

130、行业龙头合作，公司多项产品能力得到认可。2020年5月，公司并表北京矽成，并购后公司实现平台化发展，实现拥有存储、模拟、互联、计算的一体化平台IC企业。图图8383：北京君正发展历程：北京君正发展历程资料来源：公司招股说明书，公司官网，公司公告，中国银河证券研究院金融报国客户至上684.2 北京君正：“存储+模拟+互联+计算”一体化发展“存储+模拟+互联+计算”一体化发展，内部研发与外部并购并存。从公司整体业务条线来看，公司已从过去专注CPU技术拓展至MCU、智能视频芯片、存储芯片、模拟互联芯片的一体化发展模式。君正本部业务主要涵盖智能视频芯片和微处理器两大业务板块，2021年两块业务收入占比

131、约为总收入的22.33%。并购北京矽成后，拓展存储和模拟互联新品领域，在存储芯片方面，拓展SRAM、DRAM、Flash三大类产品，应用行业包括车规级、工业领域和消费领域，模拟互联芯片包括LED驱动芯片、DC/DC芯片、触控传感芯片、车用微处理器芯片、LIN、CAN总线、G.vn等在内的模拟和互联芯片业务线。资料来源：公司官网，公司公告，中国银河证券研究院图图8484：北京君正产品分类：北京君正产品分类金融报国客户至上694.2 北京君正：业务多元发展，车载存储持续保持稳定 北京君正在并表北京君正在并表ISSIISSI（北京矽成）之后，实现了显著的业务增长：（北京矽成）之后，实现了显著的业务增

132、长：从2019年到2021年，公司营收从3.4亿元增长至52.7亿元。但归母净利润增长较缓，从0.6亿元增至9.3亿元，并表ISSI为公司业务带来快速增长。2022年，由于消费市场需求疲软和竞争加剧，营收增长放缓至54.1亿元，同比仅增长2.6%；归母净利润为7.9亿元，同比减少14.8%。并购完成后，存储为公司核心业务，2022年存储芯片收入占比达到75%、智能视频芯片（12%）、模拟及互联芯片（9%）、微处理器芯片（2%）。2022年各业务领域的毛利率分别为：存储芯片36.9%、智能视频芯片26.3%、模拟及互联芯片53.0%、微处理器芯片51.8%。图图8585：北京君正收入和利润情况：

133、北京君正收入和利润情况资料来源：公司公告，中国银河证券研究院图图8686：北京君正收入拆分（单位：亿元）：北京君正收入拆分（单位：亿元）图图8787：北京君正利润率情况：北京君正利润率情况-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%002002020212022收入（亿元）归母净利润（亿元）收入YOY利润YOY05540452002020212022毛利率（%）净利率（%）00200212022存储芯片智能视频芯片模拟及互联芯片资料

134、来源：公司公告，中国银河证券研究院资料来源：公司公告，中国银河证券研究院金融报国客户至上704.2 北京君正：车载类客户长期供应链稳定 客户结构稳定，多家客户结构稳定，多家Tier 1Tier 1厂商合作。厂商合作。ISSI凭借多年技术沉淀和技术积累，形成良好商业口碑，公司目前已拥有多家头部汽车供应商以及工业客户，在汽车领域，公司客户包括大陆集团（Continental）、德尔福（Delphi）、博世（Bosch）、法雷奥（Valeo）等，工业企业包括西门子、松下、通用电气、霍尼韦尔等。其其中汽车领域产品准入门槛高，认证周期长，但供应链稳定，具备大客户属性，公司进入国家头部企业供应链，证明公司

135、产品具备强核心竞争能力。ISSIISSI多产品进入存储认证，产品矩阵不断扩大。多产品进入存储认证，产品矩阵不断扩大。车载存储芯片从可靠性、外部环境兼容和使用寿命均为要求最高领域，目前ISSI车载存储芯片已通过大部分Tier 1客户认证并实现长期的批量供货。图图8888：ISSIISSI矽成各领域部分客户矽成各领域部分客户表表2121：公司部分在汽车领域产品：公司部分在汽车领域产品产品产品类类型型客量客量（GB）总线宽度总线宽度接口时钟频率接口时钟频率DDR4 SDRAMx8、x16800MHz、933MHz、1066MHz、1200MHz48x8、x16x8、x161200 MH7，1333

136、MHz，1600 MHz800MH2、933MHz、1066MHz、1200MHz、1333MHz、1600MHzDDR3 SDRAM1x8、x16666MHz、800MHz4x8、x16666MHz、8OOMHz、933MHz资料来源：公司官网，公司公告，中国银河证券研究院资料来源：公司官网，公司公告，中国银河证券研究院金融报国客户至上714.3 澜起科技：全球内存接口芯片龙头企业 公司深耕于内存接口芯片领域，主要产品包括从DDR2-DDR5全系列内存接口芯片。澜起科技股份有限公司于2004年成立，2013年9月在纳斯达克上市，2014年底退市并由浦东科技和中国电子共同收购完成私有化。产品下

137、游主要为DRAM存储器，最终被应用于数据中心、云计算和人工智能等诸多领域。公司上述DDR系列内存接口芯片已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，并逐步占据全球市场的重要份额。该公司的产品组合主要分为两个核心类别：互连类芯片和津逮服务器平台。互连类芯片包含了多种类型的芯片，主要有：内存接口芯片（负责处理内存与其他计算部件之间的数据交换）、内存模组配套芯片（提升内存模组的效能和工作效率）、PCle Retimer芯片（提高PCle信号的传输质量和距离）MXC芯片。在津逮服务器平台，包括津逮CPU、混合安全内存模组(HSDIMM)。同时，公司也在积极进行技术创新，正在开发一种基于“近内存计算架构

138、”的AI芯片。图图8989：澜起科技发展历程：澜起科技发展历程资料来源：公司招股说明书，公司官网，中国银河证券研究院资料来源：公司招股说明书，中国银河证券研究院金融报国客户至上724.3 澜起科技：全球内存接口芯片龙头企业 业务结构方面，澜起科技主要以互联类芯片为核心业务，同时也在积极拓展计算类芯片领域。互联类芯片：业务结构方面，澜起科技主要以互联类芯片为核心业务，同时也在积极拓展计算类芯片领域。互联类芯片：这一类别始终是公司的基础业务。从2018年到2022年，互联类芯片在公司总营收中的占比分别为99%、99%、98%、67%、74%；计算类芯片业务拓展：计算类芯片业务拓展：从2021年开始

139、，津逮服务器平台的放量使其在公司总营收中的比重逐渐增加，2021年和2022年，津逮服务器平台分别占总营收的33%和26%，后续公司专注发展互联业务芯片。从毛利率角度来看，在2019至2022年间，澜起科技的互联类芯片毛利率呈现下降趋势，主要是因为DDR4内存接口芯片在产品生命周期后期面临较大的价格压力，2022年的毛利率为59%，预计随着DDR5渗透率的提高，公司互联类芯片的毛利率将逐步止跌并趋于稳定。图图9191：澜起科技收入和利润情况：澜起科技收入和利润情况图图9292：澜起科技收入拆分（单位：亿元）：澜起科技收入拆分（单位：亿元）图图9393：澜起科技利润率情况：澜起科技利润率情况01

140、020304050607080200212022毛利率（%）净利率（%）05540200212022内存接口芯片津逮服务器平台-50%0%50%100%150%00022收入（亿元）归母净利润（亿元）收入YOY利润YOY资料来源：公司公告，中国银河证券研究院资料来源：公司公告，中国银河证券研究院资料来源：公司公告，中国银河证券研究院金融报国客户至上734.3 澜起科技：接口芯片业务覆盖从D2到D5的各个世代 澜起科技的内存接口芯片业务覆盖从澜起科技的内存接口芯片业务覆盖从DDR2DDR

141、2到到DDR5DDR5的各个世代，并且在的各个世代，并且在DDR5DDR5时代加速了在行业中的布局。时代加速了在行业中的布局。公司先后推出了多代内存接口芯片，包括：DDR2 AMB（高级内存缓冲器）、DDR3 RCD及MB（内存缓冲芯片）、DDR4 RCD及DB、DDR5 RCD及DB等。这些芯片被广泛应用于不同代数的内存模组，如DDR2 FBDIMM（全缓冲双列直插内存模组）、DDR3、DDR4和DDR5 RDIMM及LRDIMM等。2021年10月，公司量产了DDR5第一子代内存接口芯片（RCD和DB）及内存模组配套芯片。2022年5月，公司成为业界首家试产DDR5第二子代RDC芯片的企业

142、，该芯片的速率可达5600MT/s，且即将量产。2022年12月，公司再次领先业界，推出了DDR5第三子代RCD工程样片，该芯片支持高达6400MT/s的数据速率，并已向主流内存厂商送样。资料来源：招股说明书，公司官网，公司公告，中国银河证券研究院表表2222：澜起科技内存接口演进：澜起科技内存接口演进世代世代产品产品应用应用支持速率支持速率DDR5Gen2.0 DDR5 RCD 芯片DDR5 RDIMM 和 LRDIMMDDR5-5600Gen1.0 DDR5 DB 芯片DDR5 LRDIMMDDR5-4800Gen1.0 DDR5 RCD 芯片DDR5 RDIMM 和 LRDIMMDDR5

143、-4800DDR4Gen2 PIUS DDR4 DB 芯片DDR4 LRDIMMDDR4-3200Gen2 PIUS DDR4 RCD 芯片DDR4 RDIMM、LRDIMM 和 NVDIMMDDR4-3200Gen2 DDR4 DB 芯片DDR4 LRDIMMDDR4-2666Gen2 DDR4 RCD 芯片DDR4 RDIMM 和 LRDIMMDDR4-2666Gen1.5 DDR4 DB 芯片DDR4 LRDIMMDDR4-2400Gen1.5 DDR4 RCD 芯片DDR4 RDIMM 和 LRDIMMDDR4-2400Gen1.0 DDR4 DB 芯片DDR4 LRDIMMDDR4-

144、2133Gen1.0 DDR4 RCD 芯片DDR4 RDIMM 和 LRDIMMDDR4-2133DDR3DDR3 MB 芯片DDR3 LRDIMMDDR3-1866DDR3 RCD 芯片(1.5V/1.35V 1 1.25V)DDR3 RDIMMDDR3-1866DDR3 RCD 芯片(1.5V 1 1.35V)DDR3 RDIMMDDR3-1333DDR2DDR2 AMBDDR2 FBDIMM金融报国客户至上744.4 东芯股份：国产中小容量SLC NAND存储芯片龙头 东芯半导体股份有限公司成立于2014年11月26日，由闻起投资和CD香港共同出资建立，总部位于上海，同时在深圳拥有一家

145、分公司，同时在南京、中国香港、韩国均设有子公司，是目前国内少数拥有自主知识产权专注中小存储芯片领域的研发设计厂商，也是国内少数拥有NAND Flash、NOR Flash、DRAM产品等存储芯片解决方案的厂商。从产品下游布局来看，公司存储芯片产片在工业控制、通讯网络、消费电子、移动设备和物联网领域均有布局。从公司发展历程来看，公司于2015年初在中芯国际的工艺平台开始SLC NANS产品研发，同年成功研发拥有自主知识产权的1Gb SPI NAND Flash芯片，此后持续在产品制成、容量上进行技术研发迭代，于2016年获上海市高新技术企业认定，2019年公司完成股份制改革，2021年末公司成功

146、登陆科创板。图图9494：公司产品应用领域：公司产品应用领域图图9595：公司发展历程：公司发展历程资料来源：公司招股说明书，中国银河证券研究院资料来源：公司招股说明书，中国银河证券研究院金融报国客户至上754.4 东芯股份：业绩短期受困，静待底部反转 20222022年公司存储市场的困难时期，面临了短期的业绩挑战。年公司存储市场的困难时期，面临了短期的业绩挑战。2022年，公司实现了11.46亿元的营业收入，同比微增1.03%，主要系半导体行业的周期性波动、市场需求和库存问题，市场的终端需求大幅减少，企业库存问题也从下游传导至上游，进一步抑制了存储芯片产品的需求。2022年，公司的NOR F

147、lash产品收入同比下降了61.47%，主要系消费电子需求减少，公司的技术服务费收入同比增长了99.70%，这一增长主要是由于2022年根据项目进度的增加，按照履约进度确认的技术服务收入增加所致。2022年，由于业下行周期和消费电子市场需求的疲软，公司的部分产品销量和价格出现下滑，进而影响了其毛利率和净利率。2022年，公司的毛利率为40.58%，相较于上一年同期减少了1.54%，2022年，公司的毛利率为40.58%，相较于上一年同期减少了1.54%。展望2023年，我们认为存储周期底部基本确认，后续静待公司底部反转图图9696：东芯股份收入和利润情况：东芯股份收入和利润情况资料来源：公司公

148、告，中国银河证券研究院图图9797：东芯股份收入拆分（单位：亿元）：东芯股份收入拆分（单位：亿元）图图9898：东芯股份利润率情况：东芯股份利润率情况-500%0%500%1000%1500%2000%2500%-505820022收入（亿元）归母净利润（亿元）收入YOY利润YOY024680022NANDMCPDRAMNOR技术服务其他业务-30-20-502002020212022毛利率（%）净利率（%）资料来源：公司公告，中国银河证券研究院资料来源：公司公告

149、，中国银河证券研究院金融报国客户至上764.4 东芯股份：国产中小容量SLC NAND存储芯片龙头 公司专注于公司专注于2D SLC NAND Flash2D SLC NAND Flash的设计和研发，并提供了多样的存储容量选项，从的设计和研发，并提供了多样的存储容量选项，从512Mb512Mb到到32Gb32Gb不等。不等。这些产品设计上具有灵活性，支持SPI或PPI类型接口，其中PPI NAND主要针对工业类客户。此外，这些产品还支持3.3V和1.8V两种电压选项。公司的NAND产品以其丰富的品类、低功耗和高可靠性而闻名，这些特点使它们在多个领域得到广泛应用，包括通讯设备、安防监控、可穿戴

150、设备和移动终端等。1xnm1xnm闪存项目和车规级闪存产品为公司新增长亮点。闪存项目和车规级闪存产品为公司新增长亮点。随着存储芯片发展，2013年国际领先NAND Flash制程由2xnm逐渐转向1xnm，先进制程是提高存储芯片的成本优势的关键，在车规领域，随着ADAS传感器融合、多屏和大屏车载娱乐以及高速智能网联汽车通讯等应用的日益兴盛，系统均普遍采用大容量NOR Flash或SLC NAND Flash。在车规级闪存产品方面，公司顺应智能汽车发展趋势，有望打造公司新盈利增长点。资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院图图9999：东芯股份在：东芯股份在SLC NANDSLC NAND的布局

151、的布局图图100100：公司未来向车规级和：公司未来向车规级和1xnm1xnm存储芯片继续研发存储芯片继续研发资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院金融报国客户至上7705PART FIVE投资建议与风险提示CHINA GALAXY SECURITIES金融报国客户至上78投资建议投资建议投资建议 存储芯片赛道属于高成长强周期行业存储芯片赛道属于高成长强周期行业，我们认为现在当下时点是存储芯片赛道下一轮周期的新起点我们认为现在当下时点是存储芯片赛道下一轮周期的新起点，在在AI/AI/国产化国产化/需求复苏需求复苏叠加数字经济对存力的需求不断抬升的背景下叠加数字经济对存力的需求不断抬升的背景下

152、，看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇。建议关注存储芯片设计公司兆易创新、北京君正、澜起科技、东芯股份、聚辰股份、普然股份、恒烁股份、国科微，模组厂商关注江波龙、德明利、朗科科技、佰维存储，关注相关产业链封测厂商深科技、长电科技、通富微电等。股票代码股票代码股票名称股票名称股价股价（元）（元）总总市值市值（亿元）（亿元）EPSEPS（元元）PEPE2023E2023E2024E2024E2025E2025E2023E2023E2024E2024E2025E2025E603986.SH兆易创新71.60477.501.062.103.1067.3834

153、.0823.12300223.SZ北京君正65.04313.211.241.932.6557.8837.1824.52688766.SH普冉股份84.0963.50-0.821.633.32-44.0525.31688110.SH东芯股份25.97114.85-0.020.450.86-158.0930.26688123.SH聚辰股份52.7083.361.282.503.3856.0428.6915.60688416.SH恒烁股份42.4035.040.170.961.64423.9274.6725.92688008.SH澜起科技52.36597.670.451.211.86159.0859

154、.1128.14300672.SZ国科微55.66120.861.171.822.6061.2439.2821.44301308.SZ江波龙87.37360.72-1.550.901.60-79.7454.55001309.SZ德明利90.87102.91-1.281.87-56.1148.47300042.SZ朗科科技32.9866.090.140.400.55501.75178.9159.97000021.SZ深科技14.95233.310.480.600.72147.93119.9120.86600584.SH长电科技28.99518.580.991.662.0672.1843.1414

155、.04002156.SZ通富微电26.07395.330.170.600.83412.44119.3931.24资料来源：Wind(数据截至2024/3/10)，中国银河证券研究院表表2323：公司估值及盈利预测：公司估值及盈利预测金融报国客户至上79风险提示 下游市场需求不及预期的风险；存储类新技术研发不及预期的风险；下游客户拓展不及预期的风险；IC设计厂商上游晶圆厂价格波动的风险；金融报国客户至上80分析师承诺及简介评级标准本人承诺以勤勉的执业态度，独立、客观地出具本报告，本报告清晰准确地反映本人的研究观点。本人薪酬的任何部分过去不曾与、现在不与、未来也将不会与本报告的具体推荐或观点直接或

156、间接相关。高峰，北京邮电大学电子与通信工程硕士，吉林大学工学学士。2年电子实业工作经验，6年证券从业经验，曾就职于渤海证券、国信证券、北京信托证券部。2022年加入中国银河证券研究院，担任电子团队组长，主要从事硬科技方向研究。王子路，英国布里斯托大学金融与投资硕士，山东大学经济学学士，2年科技产业研究经验，2020年加入中国银河证券研究院，从事电子行业研究。评级标准评级标准评级评级说明说明评级标准为报告发布日后的6到12个月行业指数（或公司股价）相对市场表现，其中：A 股市场以沪深 300指数为基准，新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）为基准，北交所市场以

157、北证50指数为基准，香港市场以摩根士丹利中国指数为基准。行业评级推荐：相对基准指数涨幅10%以上中性：相对基准指数涨幅在-5%10%之间回避：相对基准指数跌幅5%以上公司评级推荐：相对基准指数涨幅20%以上谨慎推荐：相对基准指数涨幅在5%20%之间中性：相对基准指数涨幅在-5%5%之间回避：相对基准指数跌幅5%以上金融报国客户至上81本报告由中国银河证券股份有限公司（以下简称银河证券）向其客户提供。银河证券无需因接收人收到本报告而视其为客户。若您并非银河证券客户中的专业投资者，为保证服务质量、控制投资风险、应首先联系银河证券机构销售部门或客户经理，完成投资者适当性匹配，并充分了解该项服务的性质

158、、特点、使用的注意事项以及若不当使用可能带来的风险或损失。本报告所载的全部内容只提供给客户做参考之用，并不构成对客户的投资咨询建议，并非作为买卖、认购证券或其它金融工具的邀请或保证。客户不应单纯依靠本报告而取代自我独立判断。银河证券认为本报告资料来源是可靠的，所载内容及观点客观公正，但不担保其准确性或完整性。本报告所载内容反映的是银河证券在最初发表本报告日期当日的判断，银河证券可发出其它与本报告所载内容不一致或有不同结论的报告，但银河证券没有义务和责任去及时更新本报告涉及的内容并通知客户。银河证券不对因客户使用本报告而导致的损失负任何责任。本报告可能附带其它网站的地址或超级链接，对于可能涉及的

159、银河证券网站以外的地址或超级链接，银河证券不对其内容负责。链接网站的内容不构成本报告的任何部分，客户需自行承担浏览这些网站的费用或风险。银河证券在法律允许的情况下可参与、投资或持有本报告涉及的证券或进行证券交易，或向本报告涉及的公司提供或争取提供包括投资银行业务在内的服务或业务支持。银河证券可能与本报告涉及的公司之间存在业务关系，并无需事先或在获得业务关系后通知客户。银河证券已具备中国证监会批复的证券投资咨询业务资格。除非另有说明，所有本报告的版权属于银河证券。未经银河证券书面授权许可，任何机构或个人不得以任何形式转发、转载、翻版或传播本报告。特提醒公众投资者慎重使用未经授权刊载或者转发的本公

160、司证券研究报告。本报告版权归银河证券所有并保留最终解释权。免 责 声 明联 系机构请致电：机构请致电：深广地区：程 曦 chengxi_苏一耘 suyiyun_上海地区：陆韵如 luyunru_李洋洋 liyangyang_北京地区：田 薇 唐嫚羚 tangmanling_中国银河证券股份有限公司 研究院中国银河证券股份有限公司 研究院深圳市福田区金田路3088号中洲大厦20层上海浦东新区富城路99号震旦大厦31层北京市丰台区西营街8号院1号楼青海金融大厦