1、行 业 研 究 2024.04.05 1 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 电 子 行 业 专 题 报 告 存储专题跟踪：HBM 引领 AI 存力扩容，产品切换加剧产能紧缺！分析师 郑震湘 登记编号：S04 佘凌星 登记编号：S05 行 业 评 级:推 荐 行 业 信 息 上市公司总家数 508 总股本(亿股)4,935.29 销售收入(亿元)52,017.61 利润总额(亿元)3,126.79 行业平均 PE 39.75 平均股价(元)27.31 行 业 相 对 指 数 表 现 数据来源：wind 方正证券研究所 相 关

2、研 究 电子周专题：AI 浪潮翻滚，国产厂商机遇良多2024.03.25 AMD 全面赋能 AI 应用生态圈，AI PC 时代已至2024.03.25 芯片功耗提升，散热重要性凸显2024.03.13 MWC 2024：科技巨头加速布局，AI 硬件创新不止2024.03.02 存储存储产品产品价格持续上涨价格持续上涨。现货价格来看，Nand Flash Wafer 价格持续上扬。以 1Tb Flash Wafer 为例，2023 年 3 月 13 日的现货均价 2.78 美元，到2024 年 3 月 18 日上升至 6.39 美元,涨幅达 98.4%。DRAM 价格同样全线上涨，以 DDR5

3、16G(2Gx8)4800/5600 为例，最新现货均价为 4.69 美元，较 24年 1 月 2 日上涨 10.4%。我们预计随着 AI 等领域对高性能计算的需求，DDR5产品有望迎来量价齐升。合约价来看，TrendForce 预计 24Q2 NAND Flash合约价格将大幅上涨 13%-18%，其中企业级 SSD 涨幅最高，达 20-25%。DRAM Q2 合约价预计季增 3-8%。4 月 3 日中国台湾花莲海域地震，从 FAB 厂分布来看，除台积电、联电两大 Foundry 外，中国台湾 FAB 产能主要为存储，其中包括美光 DRAM 的主要产能，以及南亚、华邦、旺宏三家利基型存储的产

4、能，后续或面临产线检修影响。结合近期三星上调企业级结合近期三星上调企业级 SSDSSD 涨幅，涨幅，2424Q1Q1利基存储价格拐点已现，我们继续强烈看多存储板块。利基存储价格拐点已现，我们继续强烈看多存储板块。AIAI 加速存力扩容，加速存力扩容，产品切换加剧产能紧缺产品切换加剧产能紧缺。站在当前时点对比上一轮周期，技术端来看，AI 服务器需求快速增长，由此带动 HBM 加速迭代，数据中心SSD 及 DRAM 也在持续升级，由此满足新一代数据中心及智能设备终端的产品需求。需求端来看，HBM 产能已排至 2025 年，服务器、PC、智能手机仍处于 AI 全面渗透的早期阶段，AIPhone、AI

5、PC 都将在 20242025 年开启放量，由此在未来几年全面带动各大应用领域的存储容量加速扩张。从供给端来看，原厂处于产能切换的关键期，DRAM 产能从 DDR4 向 DDR5 切换，将造成产能自然消耗 30%，而 HBM 晶圆产能消耗是 DDR5 的 3 倍，将进一步加剧存储产能紧缺。原厂谨慎规划资本开支，24 年新增资本开支主要用于高端产品产能扩张。产能紧缺伴随需求持续增长，将推动存储产能紧缺伴随需求持续增长，将推动存储价格价格持续上行。持续上行。HBMHBM 供不应求供不应求，三大，三大原原厂竞逐厂竞逐 HBM3EHBM3E。SK 海力士预计中长期内 HBM 需求的年增长率将达到约 6

6、0%，三星预测三星预测 20262026 年年 HBMHBM 出货量比出货量比 20232023 年高年高 13.813.8 倍，倍，20282028 年年 HBMHBM 年比年比 20232023 年高年高 23.123.1 倍倍。尽管 SK 海力士、三星电子和美光科技均在积极扩产，但 HBM 供应依旧紧张。SK 海力士表示 2024 年 HBM 产能已售罄，美光也表示 2024 年 HBM 产能已全部售罄，且 2025 年大部分产能也已分配完。同时三大家也正在推进 HBM3E 及最新产品的测试及量产。SK 海力士当前 HBM3E 已实现量产，预计 HBM 长期需求增长率超 60%，同时公司

7、已携手台积电，合作开发 HBM4。美光宣布已开始量产 HBM3E，并于 2024Q2 开始出货。三星已开始向客户提供 HBM3E 12H 样品，预计 24H2 开始大规模量产。大厂产能切换大厂产能切换逐步退出利基市场，逐步退出利基市场，利基存储价格拐点已至利基存储价格拐点已至。台系厂商月度营收同比显著增长，华邦电及南亚科 2 月营收分别为 62.7 亿及 30.51 亿新台币，同比分别增长 8.0%和 50.6%。华邦电表示 SLC NAND 和利基 DRAM 市场的需求正在逐渐增强，公司的中长期业绩增长仍然稳健；南亚科表示针对工业和汽车应用的 DDR3 产品 ASP 有所改善，预计 24 年

8、市场需求和价格有望持续逐季上升。我们预计伴随原厂产能转至 HBM 及 DDR5 等最新产品，利基存储供给端格局有望改善，SLC、中高容量 NOR、以及 DDR3 等产品经过长时间的价格调整和库存消化，伴随 Q2 需求复苏，有望迎来价格拐点。投资建议：投资建议：见尾页投资建议章节。风险提示：风险提示：下游需求不及预期，研发进度不及预期，行业竞争加剧。方 正 证 券 研 究 所 证 券 研 究 报 告-38%-30%-22%-14%-6%2%23/4/523/6/17 23/8/29 23/11/10 24/1/2224/4/4电子沪深300电子 行业专题报告 2 敬 请 关 注 文 后 特 别

9、声 明 与 免 责 条 款 s 正文目录 1.存储价格跟踪：AI 需求高增，中国台湾地震或对存储产能造成冲击.5 1.1 Nand 产品价格持续上扬.5 1.2 DRAM：高性能需求驱动高阶产品价格增长.6 1.3 合约价：企业级市场需求引领 Q2 价格上行，中国台湾地震或冲击存储产能.7 2.HBM 引领 AI 存力扩容，产品切换加剧产能紧缺.11 2.1 美光业绩修复超预期，AI 是重要驱动力.11 2.2 AI 加速存力扩容，存储价格持续上行.12 3.利基存储价格拐点已至.23 4.投资建议.25 5.风险提示.25 JXiXzW8VlXeVIUhVdYkXbRbPaQsQpPoMqM

10、jMoOqMfQrRtM6MrQnMMYpOmQNZsRnQ电子 行业专题报告 3 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表目录 图表 1:128Gb/256Gb Flash Wafer 现货均价（美元）.5 图表 2:512Gb/1Tb Flash Wafer 现货均价（美元）.5 图表 3:近期部分品牌 SSD 产品价格变动（美元）.5 图表 4:eMMC 产品均价（美元）.6 图表 5:部分 UFS 产品均价（美元）.6 图表 6:大容量 DDR4 现货均价变动（美元）.7 图表 7:小容量 DDR4 现货均价变动（美元）.7 图表 8:DDR5 近期现货均价

11、（美元）.7 图表 9:不同类别 Nand Flash 24Q2 合约价格预测.8 图表 10:不同类别 DRAM 24Q2 合约价格预测.9 图表 11:中国台湾存储产能分布.10 图表 12:美光营收及利润.11 图表 13:美光分部门业绩.11 图表 14:美光分部门业绩.12 图表 15:美光 FQ3-24 业绩指引.12 图表 16:2016-2017 年全球 IaaS 云服务市场.13 图表 17:全球服务器出货.13 图表 18:Nand 出货情况.13 图表 19:DRAM 及 Nand 价格走势.13 图表 20:美光 CY17 Q4 终端市场表述.13 图表 21:美光毛利

12、率变动.14 图表 22:Nand 最新路线图.14 图表 23:三星 3D Nand 技术路线.14 图表 24:三大原厂 HBM 解决方案研发速度.15 图表 25:三大终端应用存储容量需求成长情况.15 图表 26:全球服务器出货量增速.16 图表 27:AI 服务器出货量预估.16 图表 28:HBM 在 DRAM 市场中的份额（百万美金，千片/月）.16 图表 29:SK 海力士 HBM 产品时间线.17 图表 30:三星 HBM 技术路线图.17 图表 31:美光 HBM 技术路线图.18 图表 32:2025 年数据中心 SSD 容量相对 2023 年翻倍（EB）.18 图表 3

13、3:传统服务器与 AI 服务器的存储容量变化.19 图表 34:AIPC 出货预测.19 图表 35:英特尔关于 AIPC 的内存趋势判断.19 图表 36:全球智能手机出货预估.20 图表 37:AI phone 出货量预估.20 图表 38:美光及西部数据库存（亿美元）.21 图表 39:美光及西部数据存货周转天数（天）.21 图表 40:各大原厂资本开支表述.21 图表 41:2019-2020 年内存厂投片量.22 图表 42:DDR5 渗透率预估.22 图表 43:2024 年 Nand 及 DRAM 涨价预估.22 图表 44:华邦电月度营收（亿新台币）.23 图表 45:南亚科月

14、度营收（亿新台币）.23 电子 行业专题报告 4 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表 46:DDR3 现货均价变动（美元）.24 图表 47:DDR3 合约平均价变动（美元）.24 图表 48:大容量 SLC 现货均价（美元）.24 图表 49:中低容量 SLC 现货均价（美元）.24 电子 行业专题报告 5 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 1.存储价格跟踪：AI 需求高增，中国台湾地震或对存储产能造成冲击 1.1 Nand 产品价格持续上扬 NandNand FlashFlash WaferWafer：价格持续上扬。：价格持续

15、上扬。低容量 Flash Wafer（128GB）和中等容量Flash Wafer（256GB）现货价格持续上涨，其中 256GB Wafer 现货均价自 2023 年3 月 13 日的现货均价 0.96 美元涨至 3 月 11 日的 1.82 美元，涨幅达 89.6%。高容量产品以 1Tb Flash Wafer 为例，从 2023 年 3 月 13 日的现货均价 3.22 美元，到 2024 年 3 月 11 日上升至 6.39 美元,涨幅达 98.4%。图表1:128Gb/256Gb Flash Wafer 现货均价（美元）图表2:512Gb/1Tb Flash Wafer 现货均价（美

16、元）资料来源：iFind，方正证券研究所 资料来源：iFind，方正证券研究所 SSDSSD 品牌进入品牌进入 20242024 年后渠道跟踪价格坚挺。年后渠道跟踪价格坚挺。PCIe 产品中以三星 PCIE 3.0:970EVO+:1024GB:M.2 产品为例，3 月 15 日价格较 23 年 10 月 27 日上涨约18.6 美元，涨幅达 20.69%。SATA 产品中以 Crucial:SATA 3:MX500:1024 GB:2.5 inch 为例，3 月 15 日价格较 23 年 10 月 27 日上涨约 35.75 美元，涨幅约 44.29%。当前市场中的低价库存已得到充分消化，随

17、着下游需求复苏，加之原厂通过减产控制供给，2024 年 SSD 产品价格预期将继续走高。图表3:近期部分品牌 SSD 产品价格变动（美元）2023 年 2024 年 产品型号 10/27 11/10 11/24 12/25 12/29 1/12 1/26 2/16 2/27 3/15 Samsung:PCIE 3.0:970EVO+:1024 GB:M.2 89.9 103.9 108.9 112.7 119.3 120.7 111.6 106.4 114.6 108.5 Samsung:PCIE 4.0:980PRO:1024 GB:M.2 102.5 103.3 111.3 119.7 1

18、26.8 135.3 132.4 137.0 126.4 133.7 ADATA:SATA 3:28.5 28.7 30.4 31.8 33.0 33.6 33.2 33.9 33.7 34.5 SU630:240 GB:2.5 inch Kingston:SATA 3:45.8 46.5 47.7 46.2 47.4 48.8 49.4 50.6 52.3 51.9 A400:480 GB:2.5 inch Crucial:SATA 3:80.7 85.7 91.9 95.1 100.7 105.1 107.9 111.2 113.1 116.5 MX500:1024 GB:2.5 inch

19、 资料来源：iFind，方正证券研究所 0.40.81.21.62.02023/03/112023/04/112023/05/112023/06/112023/07/112023/08/112023/09/112023/10/112023/11/112023/12/112024/01/112024/02/112024/03/11现货平均价:Wafer:128Gb TLC现货平均价:Wafer:256Gb TLC0.01.02.03.04.05.06.07.08.02023/03/112023/04/112023/05/112023/06/112023/07/112023/08/112023/0

20、9/112023/10/112023/11/112023/12/112024/01/112024/02/112024/03/11现货平均价:Wafer:512Gb TLC现货平均价:Wafer:1Tb电子 行业专题报告 6 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s eMMCeMMC 及及 UFSUFS 产品价格持续攀升。产品价格持续攀升。eMMC 最新 3 月 26 日市场均价较 24 年初价格均小幅上涨，8GB/16GB/32GB/64GB产品价格上涨幅度依次为2.6%/4.2%/5.8%/23.7%，其中 64GB 产品价格上涨幅度最大。UFS 产品自2023年 9月

21、5 日起价格持续上涨，其中 128Gb 产品最新价格为 8.8 美元，256Gb 产品价格为 17.6 美元，涨幅相对 9月最低点分别为 87.2%/95.6%。图表4:eMMC 产品均价（美元）图表5:部分 UFS 产品均价（美元）资料来源：iFind，方正证券研究所 资料来源：iFind，方正证券研究所 1.2 DRAM：高性能需求驱动高阶产品价格增长 DDRDDR4 4 现价平稳小幅上涨现价平稳小幅上涨，近期现价小幅回落，近期现价小幅回落。（1 1）高容量 DDR4 产品现价延续上涨趋势，其中 DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps 的价格涨幅最大，现货均价从 1 月 2 日的

22、 3.45 美元上升至 3 月 20 日的 3.65 美元，涨幅达 5.8%。（2 2）中低容量 DDR4 产品现价均有不同程度的涨幅，以 DDR4 8Gb(1Gx8)eTT 产品为例，3 月 20 日现货均价 1.38 美元较 1 月 2 日现货均价上涨 0.18 美元，涨幅约15%。DDR4 4Gb 512Mx8 eTT 产品 3 月 20 日现货均价 0.54 美元较 1 月 2 日现货均价上涨 0.09 美元，涨幅约 20%。1.01.52.02.53.03.54.04.55.02023/03/262023/04/262023/05/262023/06/262023/07/262023

23、/08/262023/09/262023/10/262023/11/262023/12/262024/01/262024/02/262024/03/26市场价:eMMC/8GB/5.1:平均价市场价:eMMC/16GB/5.1:平均价市场价:eMMC/32GB/5.1:平均价市场价:eMMC/64GB/5.1:平均价0.02.04.06.08.010.012.014.016.018.020.02023/03/262023/04/262023/05/262023/06/262023/07/262023/08/262023/09/262023/10/262023/11/262023/12/2620

24、24/01/262024/02/262024/03/26市场价:UFS/128GB:平均价市场价:UFS/256GB:平均价电子 行业专题报告 7 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表6:大容量 DDR4 现货均价变动（美元）图表7:小容量 DDR4 现货均价变动（美元）资料来源：iFind，方正证券研究所 资料来源：iFind，方正证券研究所 DDR5DDR5 产品产品 2424 年以来涨幅已超年以来涨幅已超 10%10%，有望量价齐升，有望量价齐升。DDR5 16GB 现货均价持续上涨，以 DDR5 16G(2Gx8)4800/5600 产品为例，最新现货均

25、价为 4.69 美元，较 23年 8 月低点上涨 0.82 美元，涨幅达 20.9%；较 24 年 1 月 2 日上涨 10.4%。我们预计随着 AI 等领域对高性能内存的需求，DDR5 用量将持续提升，DDR5 产品价格将持续上涨。图表8:DDR5 近期现货均价（美元）资料来源：iFind，方正证券研究所 1.3 合约价：企业级市场需求引领 Q2 价格上行，中国台湾地震或冲击存储产能 1 1）NandNand FlashFlash TrendForceTrendForce 预计预计 24Q2 24Q2 NAND NAND FlashFlash 合约价格将大幅上涨合约价格将大幅上涨 13%13

26、%-18%18%，其中企业级，其中企业级 SSD SSD 涨幅最高涨幅最高，达，达 2020-25%25%。尽管铠侠和西部数据从 24Q1 开始提高产能利用率，2.53.03.54.0现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(1Gx16)3200现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)32000.40.81.21.62.02023/03/202023/04/202023/05/202023/06/202023/07/202023/08/202023/09/202023/10/202023/11/202023/12

27、/202024/01/202024/02/202024/03/20现货平均价:DRAM:DDR4 8Gb(1Gx8)2666 Mbps现货平均价:DRAM:DDR4 8Gb(1Gx8)eTT现货平均价:DRAM:DDR4 4Gb 512Mx8 eTT现货平均价:DRAM:DDR4 4Gb(256Mx16)2400/2666现货平均价:DRAM:DDR4 4Gb(512Mx8)2400/26663.83.94.04.14.24.34.44.54.64.74.8现货平均价:DRAM:DDR5 16G(2Gx8)4800/5600电子 行业专题报告 8 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免

28、 责 条 款 s 但其他供应商的生产策略仍保持保守。相比 Q1，Q2 NAND 闪存采购量略有下降，整体市场的趋势仍受供应商库存减少和减产的影响。eMMCeMMC：需求主要由中国智能手机品牌推动，由于原厂减少供应，买家越来越多地采用组件制造商的解决方案来满足生产需求，推动中国模组厂商的出货量大幅增加，这一趋势可能会提高 eMMC 产品在智能手机客户中的渗透率。预计由于 NAND Flash 晶圆价格大幅反弹，第二季度 eMMC 合同价格将上涨 10%-15%。UFSUFS：市场受到印度和东南亚智能手机需求旺盛的提振，支撑了第二季度 UFS 强劲的订单势头。中国智能手机品牌正在增加第二季度订单，

29、以确保充足的库存水中国智能手机品牌正在增加第二季度订单，以确保充足的库存水平，从而提振需求。平，从而提振需求。旨在迅速实现收支平衡目标的闪存供应商预计将在第二季度将 UFS 合同价格推高 10%-15%。企业级企业级 SSDSSD：受益于北美和中国通信服务提供商不断增长的需求，预计 24H1 采购量将环比增长。由于一些买家试图在由于一些买家试图在 2424H2H2 旺季之前增加库存水平，预计第二季旺季之前增加库存水平，预计第二季度企业级度企业级 SSDSSD 合同价格将上涨合同价格将上涨 20%20%-25%25%。客户端客户端 SSDSSD：由于终端销售淡季，客户端 SSD 的购买策略更加谨

30、慎，部分 PC OEM削减了 24Q2 的订单。价格的快速反弹可能会抑制下半年订单的增长，预计第二季度 PC 客户端 SSD 合同价格涨幅将低于企业级 SSD，约为 10%-15%。3D Nand Wafer3D Nand Wafer：由于价格上涨导致原厂供应商无法满足中国智能手机品牌的订单，从而导致供应商转向模组厂商。因此，中国模组厂商继续保持高库存需求，以扩大与智能手机品牌的合作。随着厂商热衷于快速达成盈利目标，NAND Flash晶圆合约价格持续上涨。但由于传统淡季，Q2 wafer 价格增幅或明显低于 Q1，预计为 5%-10%。图表9:不同类别 Nand Flash 24Q2 合约价

31、格预测 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 2）DRAM PC DRAMPC DRAM：DDR5DDR5 逐步渗透逐步渗透，客户端客户端 Q2Q2 采购量上升。采购量上升。随着原厂大幅转至先进制程生产 DDR5，成本优化推动原厂获利明显改善，加上客户端对于 24H1 DRAM 涨价普遍电子 行业专题报告 9 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 已有心理预期，故 Q2 原厂仍将拉抬价格以增加获利，预估 PC DRAM 第二季合约价季增约 38%。Server DRAMServer DRAM：DDR5DDR5 渗透率至渗透率至 24Q124Q1 不及不及预期

32、，预期，客户端客户端 DDR5DDR5 库存库存持续增加持续增加。原厂在持续提高 DDR5 投片量，透过绑量的销售模式以改善获利，使 DDR5 合约价涨势逐渐转弱。DDR4 方面，因原厂产能转换后无需压价抛售，故 24Q2 DDR4 合约价涨幅将高于 DDR5，预估 Server DRAM 第二季合约价季增约 38%。Mobile DRAMMobile DRAM：客户客户库存水位健康，但需求库存水位健康，但需求仍需等待仍需等待回温。回温。伴随原厂减产，以及市场自 23H2 起，延续至 24Q1 的强劲需求，大幅降低原厂库存水位，改变供应端供过于求的议价劣势，但考虑客户端需求未见明显复苏，预估

33、Mobile DRAM 第二季合约价季增 38%。Consumer DRAMConsumer DRAM：AIAI 相关需求相关需求仍仍稳健，部分电视及网通应用有库存回补需求，电稳健，部分电视及网通应用有库存回补需求，电信、网络招标项目进度缓慢，整体市况仍信、网络招标项目进度缓慢，整体市况仍较较弱。弱。观察原厂定价策略有明显差异，三大原厂受惠于 AI 热潮，在亏损压力之下，过去两季涨价态度明确；反观其他原厂库存压力仍在，涨价相对缓慢。目前整体市场供给充足，在价格持续上涨的情况下，买方已提前备货，预估Consumer DRAM Q2合约价涨幅将收敛至季增38%。图表10:不同类别 DRAM 24Q

34、2 合约价格预测 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 4 月 3 日中国台湾花莲海域地震，根据最近报道已修正为里氏 7.7 级。同时地震或将引发后续海啸，自然资源部海啸预警中心对台湾东部发布海啸级警报（红色），日本、菲律宾亦发布海啸预警。本次地震到达台湾半导体重镇新竹震度约 5 级左右，预计在厂房设备损坏方面影响有限，部分产线预计将发生停检，造成部分芯片品类短期交期拉长。从产业链跟踪来看，以美光为代表的厂商率先暂停 24Q2 DRAM 合约价报价评估影响，海力士及三星亦跟进停止报价。从 FAB 厂分布来看，除台积电、联电两大 Foundry 外，中国台湾 FAB 产能主要为存储，其

35、中包括美光 DRAM 的主要产能，以及南亚、华邦、旺宏三家利基型存储的产能，后续或面临产线检修影响。结合近期三星上调企业级 SSD 涨幅，Q1 利基型存储价格拐点已现，我们继续强烈看多存储板块。电子 行业专题报告 10 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表11:中国台湾存储产能分布 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 电子 行业专题报告 11 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 2.HBM 引领 AI 存力扩容，产品切换加剧产能紧缺 2.1 美光业绩修复超预期，AI 是重要驱动力 美光 FY24Q2(CY24Q1)业绩营收

36、 58 亿美元，超出 FY24Q1 指引（51-55 亿美元），yoy+58%，qoq+23%；毛利率 20%，超出指引（11.5%-14.5%），yoy-11.4pcts，qoq+19pcts；净利润 4.76 亿美元，同环比扭亏，FY24Q1 净利润-10 亿美元，FY23Q2净利润-21 亿美元；稀释后每股收益 0.42 美元，超出指引（0.21-0.35）。图表12:美光营收及利润 资料来源：Wind，方正证券研究所 FY24Q2 分事业部业绩：CNBU：收入 21.85 亿美元，yoy+59%，qoq+26%；MBU：收入 15.98 亿美元，yoy+69%，qoq+24%;EBU：

37、收入 11.11 亿美元，yoy+28%，qoq+7%；SBU：收入 9.05 亿美元，yoy+79%，qoq+39%。图表13:美光分部门业绩 资料来源：美光，方正证券研究所 FY24Q2 分产品业绩 1）DRAM：营收 42 亿美元，占比 71%，qoq+21%，yoy+53.4%，比特出货量环比低百分位增长，ASP 环比增长 18%-19%，其中超过 75%的 bits 集中于 1 和 1，1-gamma 将于 CY25 年批量生产。74.2 82.7 76.9 77.9 86.4 66.4 40.9 36.9 37.5 40.1 47.3 58.2 4.76-40-2002040608

38、0100营业收入（亿美元）净利润(NON-GAAP)（亿美元）电子 行业专题报告 12 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 2）NAND：营收 16 亿美元，占比 29%，qoq+27%，yoy+80%，比特出货量环比低百分位降低，ASP 环比增长超 30%，超过 90%的 bits 集中在 176 与 232 层，下一节点的 NAND 将于 CY25 年批量生产。图表14:美光分部门业绩 资料来源：美光，方正证券研究所 FY24Q3(CY24Q2)业绩指引：收入指引区间为（64-68 亿美元），中值 66 亿美元，yoy+73.7%，qoq+13.8%；毛利率指引

39、区间为（25%-28%），中值 26.5%，yoy+42.5pcts，qoq+6.5pcts；运营费用预计约为 9.75-10.05 亿美元；稀释后每股收益 0.38-0.52美元；2024 年 Capex 维持在 75-80 亿美元。图表15:美光 FQ3-24 业绩指引 资料来源：美光，方正证券研究所 2.2 AI 加速存力扩容，存储价格持续上行 以史为鉴，2016-2018 年周期复盘：大的产业趋势以及产品&产能升级，推动存储周期上行。在 2016-2018 年的存储周期中，有三点因素（供给、需求以及技术升级）推动周期上。需求端，当时的存储正从上一轮以 PC 及手机为主导的后周期供给过剩

40、行情走出，伴随全球数据中心建设热潮启动，数据中心服务器内存条及企业级 SSD等产品成为新的需求拉动点。从技术升级的角度来看，2016 年是 3D Nand 量产元年，Nand Flash 自 2D 走向 3D 架构，各大原厂纷纷推动 Nand 产能切换，由于先进产品更吃产能，导致供给端原厂产能严重不足，Nand 产品价格持续走高。与此同时，DRAM 制程也正式进入 1xnm 制程，同样受产能切换推动产品价格上行。电子 行业专题报告 13 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表16:2016-2017 年全球 IaaS 云服务市场 图表17:全球服务器出货 资料来源

41、：TechWeb，方正证券研究所 资料来源：wind，方正证券研究所 图表18:Nand 出货情况 图表19:DRAM 及 Nand 价格走势 资料来源：芯世相，方正证券研究所 资料来源：芯世相，方正证券研究所 具体看这轮周期（2016-2018 年）原厂业绩表现，以美光为例，伴随企业级市场需求高增，美光 CY17 Q4（FY18Q1）企业级 SSD 营收环比增长 50%，企业级 DRAM需求位元出货同比增长超 50%。同时伴随产能切换导致的供给端收缩，存储产品价格持续上升，美光毛利率自美光毛利率自 CY16Q2CY16Q2 毛利率达到毛利率达到 17.2%17.2%触底之后，一路上行最触底之

42、后，一路上行最高至高至 CY18Q3CY18Q3 的的 61%61%，净利率也从，净利率也从 CY16Q2CY16Q2 的的-7.4%7.4%，最高上行至，最高上行至 CY18Q3CY18Q3 的的 51.3%51.3%，利润率连续上涨达利润率连续上涨达 8 8 个季度个季度。图表20:美光 CY17 Q4 终端市场表述 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 电子 行业专题报告 14 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表21:美光毛利率变动 资料来源：wind，方正证券研究所 技术升级与技术升级与产业周期共振产业周期共振，本轮本轮 AIAI 引领的引领

43、的存储需求升级对应位元需求存储需求升级对应位元需求呈倍数呈倍数增增长长，而产能而产能历经减产历经减产以及以及高端产品产能消耗高端产品产能消耗，供给端严重不足供给端严重不足，供需缺口下供需缺口下存储存储价格后续上涨动能充足价格后续上涨动能充足。技术端来看，AI 服务器的需求正在快速增长，由此带动数据中心 DRAM 升级至 HBM并加速迭代；数据中心 SSD 也在升级，当前各大原厂正在开发介于 200+L300L 之间的下一代 Nand 产品，由此满足新一代数据中心及智能设备终端的产品需求。与此同时，三星宣布计划于 2025 年后率先正式进入 3D DRAM 时代，相较现有 2D DRAM 结构，

44、堆叠 DRAM 可在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容量有望提升至 100G 以上。图表22:Nand 最新路线图 图表23:三星 3D Nand 技术路线 资料来源：TechInsights，方正证券研究所 资料来源：半导体芯闻，方正证券研究所 17.1861.03-80-60-40-200204060802014-05-292014-08-282014-12-042015-03-052015-06-042015-09-032015-12-032016-03-032016-06-022016-09-012016-12-012017-03-022017-06-012017-08-312017

45、-11-302018-03-012018-05-312018-08-302018-11-292019-02-282019-05-302019-08-292019-11-282020-02-272020-05-282020-09-032020-12-032021-03-042021-06-032021-09-022021-12-022022-03-032022-06-022022-09-012022-12-012023-03-022023-06-012023-08-312023-11-302024-02-29销售毛利率(%)销售净利率(%)电子 行业专题报告 15 敬 请 关 注 文 后 特 别

46、 声 明 与 免 责 条 款 s 图表24:三大原厂 HBM 解决方案研发速度 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 从从需求端来看，服务器、需求端来看，服务器、PCPC、智能手机仍处于、智能手机仍处于 AIAI 全面渗透的早期阶段，全面渗透的早期阶段，HBMHBM 产能产能已排至已排至 20252025 年，年，AI PhoneAI Phone、AIPCAIPC 都将在都将在 2024202520242025 年开启放量，由此在未来几年开启放量，由此在未来几年全面带动各大应用领域的存储容量高速扩张。年全面带动各大应用领域的存储容量高速扩张。根据 TrendForce，2024 年

47、DRAM 及 NAND Flash 在各类 AI 延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高，服务器 DRAM 单机平均容量预估年增 17.3%；企业级 SSD 则预估年增 13.2%。图表25:三大终端应用存储容量需求成长情况 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 1 1）服务器：）服务器：根据 TrendForce，预估 2024 年全球服务器整机出货量约 1365.4 万台，年增约2.05%，其中AI服务器预计出货量约为167.6万台，同比增长约38.7%，占比约 12.2%。受益于人工智能服务器需求的增长，NVIDIA、AMD、C

48、SP ASIC 等主要厂商纷纷引入并量产先进 AI 芯片，由此推动服务器 DRAM 单机容量年增长率达17.3%，NAND Flash 单机容量年增长率约 13.2%。电子 行业专题报告 16 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表26:全球服务器出货量增速 图表27:AI 服务器出货量预估 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 服务器内部存储将在未来几年加速扩容服务器内部存储将在未来几年加速扩容：HBMHBM：20242024 年全球位元增速达到年全球位元增速达到 260%260%，占，占 DRAMDRA

49、M 行业营收比重将达行业营收比重将达 20%20%。根据TrendForce，到 2024 年底 HBM 预计产能将达到大约 270K/月（占总产能的 14%），预计年供给位元增长约为 260%。此外，HBM 占 DRAM 的营收份额将从 2023 年约为8.4%提升至 2024 年底的 20.1%。从产能角度来看，到 2024 年底三星的 HBM 月产能预计将达到约 130K，SK 海力士约为 120-125K。从当前主流 HBM3 产品市场份额来看，SK 海力士当前占有超过 90%的 HBM3 市场，同时三星份额有望快速提升。图表28:HBM 在 DRAM 市场中的份额（百万美金，千片/月

50、）资料来源：TrendForce，方正证券研究所 HBMHBM 供不应求。供不应求。AI 服务器需求的快速增长，也推动了对 HBM 的强劲需求。SK 海力士预计，中长期内 HBM 需求的年增长率将达到约 60%。尽管 SK 海力士、三星电子和美光科技均在积极扩产，但 HBM 供应依旧紧张。SK 海力士此前表示 2024 年 HBM产能已售罄，美光也表示 2024 年 HBM 产能已全部售罄，且 2025 年大部分产能也已分配完。同时三大家也正在推进 HBM3E 及最新产品的测试及量产。SKSK 海力士：海力士：H HBM3EBM3E 已实现量产，资本开支同比回升。已实现量产，资本开支同比回升。

51、海力士预计 2025 年 HBM 市场将增长 40%，预计预计 HBMHBM 长期需求增长率超长期需求增长率超 60%60%，立足需求可见性，海力士已量产 2024 年需求有望大幅增长的 HBM3E 产品，预计 2024 年 TSV 同比产能翻倍，同时拓展 AI 服务器模组如 MCR DIMM 产品。2023 年公司资本开支同比下降 50%以上，2024 年资本开支同比回升，重点关注 HBM 等先进工艺的高需求高附加值产电子 行业专题报告 17 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 品，保障产品扩产及研发动作顺利进行，优先考虑扩大先进工艺产品量产及 TSV与基础设施建

52、设。携手台积电，合作开发携手台积电，合作开发 H HBM4BM4。SK 海力士制定“一个团队战略”，其重要组成部分是与台积电建立 AI 芯片联盟，合作开发第六代 HBM 芯片（HBM4），HBM4 拟升级到更宽的 2048 位内存接口，以解决 1024 位内存接口“宽但慢”的问题，需要台积电先进封装技术验证 HBM4 的布局和速度，预计台积电将负责封装工艺，以提升产品兼容性。根据目前规划及进展，海力士将于 2026 年实现 HBM4 量产。同时SK 海力士计划在美国印第安纳州建立 HBM 内存封装工厂，届时有望与台积电亚利桑那州工厂合作，助力英伟达实现在美国生产 GPU。图表29:SK 海力士

53、 HBM 产品时间线 资料来源：SK Hynix，方正证券研究所 三星电子：扩大三星电子：扩大 T TSVSV 产量，加速推出产量，加速推出 H HBMBM 产品。产品。三星通过推出业界首个基于 1Bnm的行业最高容量 32G DDR5，增强公司在高密度 DDR5 市场的领导地位。生成式 AI的普及拉动市场对先进 HBM 性能和容量需求的不断增长，公司计划利用 TSV 产能的竞争力，进一步扩产以巩固公司 HBM 的竞争力。三星已开始向客户提供 HBM3E 12H 样品，预计于 24 年下半年开始大规模量产。三星三星预测预测 20262026 年年 HBMHBM 出货量比出货量比20232023

54、 年高年高 13.813.8 倍，倍，20282028 年年 HBMHBM 年比年比 20232023 年高年高 23.123.1 倍。倍。图表30:三星 HBM 技术路线图 资料来源：三星，方正证券研究所 电子 行业专题报告 18 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 美光：美光：HBM3EHBM3E 验证进入尾声，有望于验证进入尾声，有望于 20242024 年初量产年初量产。公司利用业界领先的数据中心解决方案组合来把握人工智能激增带来的机遇，其中包括 HBM3E、D5、多种类型的高容量服务器内存模块、LPDRAM 和数据中心 SSD，其中其中 20242024

55、年年 2 2 月月 2626 日，日，美光宣布开始量产其美光宣布开始量产其 HBM3EHBM3E。据悉，英伟达。据悉，英伟达 H200 Tensor Core GPUH200 Tensor Core GPU 将采用美光将采用美光 8 8层堆叠的层堆叠的 24GB24GB HBM3EHBM3E 内存，并于内存，并于 20242024 年第二季度开始出货。年第二季度开始出货。预计 2024 年 Capex位于 75-80 亿美金，以支撑 HBM3E 产量提升。图表31:美光 HBM 技术路线图 资料来源：美光，方正证券研究所 SeSer rver SSDver SSD：为满足更高容量、更好性能的应

56、用需求，2024 年 Server PCIe 5.0 SSD 的渗透率将较 2023 年翻倍成长，在容量上将有更多 8TB/16TB 及以上 PCIe SSD 在服务器市场上的应用增加。根据 TrendForce，当前传统服务器及前传统服务器及 AIAI 服务服务器的器的 Nand FlashNand Flash 平均容量约为平均容量约为 4.1TB4.1TB，这一数据将在未来增长至约，这一数据将在未来增长至约 8TB8TB。此外，在某些应用场景中，存储占服务器功耗约 35%，若通过更高存储密度和其它优化措施来降低这一比例，将节省大量的电力和成本。根据闪存市场，北美等地客户正在关注 32TB、

57、64TB 甚至 128TB 超大容量 SSD 需求。图表32:2025 年数据中心 SSD 容量相对 2023 年翻倍（EB）资料来源：TrendForce，方正证券研究所 5020025030035040020232024E2025E2026E2027E电子 行业专题报告 19 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s Server DRAMServer DRAM：HBM 更多应用于高带宽要求的使用场景，但缺点在于价格昂贵。与HBM 相比，GDDR 的成本更低，复杂性也更低。例如，GDDR6 用于 Nvidia 推理的Tesl

58、a T4 GPU 以及 L40S。此外数据中心也更多采用混合方案，将 GDDR 搭配 HBM使用，提供更加灵活高效的解决方案。TrendForceTrendForce 预计未来预计未来 AIAI 服务器的服务器的 DRAMDRAM 容容量将从量将从 1.21.2-1.7TB1.7TB 增长至增长至 2.22.2-2.7TB2.7TB，而传统服务器的内存容量为，而传统服务器的内存容量为 500500-600GB600GB。图表33:传统服务器与 AI 服务器的存储容量变化 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 2 2）AIPCAIPC：根据 TechInsights，2024 年全球笔

59、记本电脑出货量预计同比增长 11%，同时伴随 Windows 10 到 11 的升级周期以及 AI PC 的增长驱动，出货量在 2025年将达约 2.4 亿台。微软的 AI PC 规格要求 CPU 算力超过 40 TOPS，高通的Snapdragon X Elite、AMD 的 Ryzen 8000 系列（Strix Point）和英特尔的 Lunar Lake 等处理器都可以满足。对应 AIPC 存储硬件的首要需求是将 DRAM 容量扩展到至少 16GB，并同步推动 SSD 容量的提升。据此，笔记本电脑中 DRAM 容量将同比增长约 12.4%，并将在 2025 年进一步显著增长。与此同时，

60、客户端 SSD 的单机容量也呈上升趋势，2024 年增长率预计约为 9.7%。从长期来看，未来 AIPC 的内存容量将从 16GB 升级至 32GB 起步，自 2025 年起，搭载 64GB 内存的 AIPC 有望开始出货；从 SSD 的角度来说，AIPC 的升级点在于大模型文件巨大将驱动 SSD 容量增长，同时加载速度提升也对 SSD 读取性能提出更高要求。图表34:AIPC 出货预测 图表35:英特尔关于 AIPC 的内存趋势判断 资料来源：Omdia，方正证券研究所 资料来源：英特尔，方正证券研究所 3 3）智能手机）智能手机&AI phone&AI phone：根据 IDC 预测，智能

61、手机 2024 年出货预估达 12 亿支，年增 2.8%，其中 AI phone 出货量上看 1.7 亿支，占整体手机比重近 15%。从长电子 行业专题报告 20 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 期来看，根据 Counterpoint，预估 AI phone 出货量将在 2027 年达到 5.22 亿部，占智能手机的份额高达 40%，2023-2028 年 cagr 达 83%。AIPhoneAIPhone 搭载搭载 DRAMDRAM 容量预计将有容量预计将有 5050-100%100%的提升。的提升。具体到存储产品层面，2023 年由于供给过剩，内存价格大幅下

62、跌，价格较低的产品选择更具吸引力，并推动智能手机单机平均 DRAM 容量增加 17.5%，NAND 闪存容量增加 19.2%。美光预计AIphone 搭载的 DRAM 内存容量将有 50%-100%的增长，预计进入 2024 年伴随手机出货量恢复成长以及 AI phone 的陆续发布，智能手机中 DRAM 和 NAND 闪存单机容量仍将持续增长，TrendForce 预计对应容量增速分别为 14.1%和 9.3%。图表36:全球智能手机出货预估 图表37:AI phone 出货量预估 资料来源：IDC，方正证券研究所 资料来源：Counterpoint，方正证券研究所 从供给端来看，从供给端来

63、看，原厂库存持续优化，原厂库存持续优化，2424 年年个原厂个原厂对于扩产持谨慎态度，资本开支对于扩产持谨慎态度，资本开支主要集中在高端产品。而数据中心主要集中在高端产品。而数据中心 HBMHBM 等高阶产品对产能消耗更大，原厂等高阶产品对产能消耗更大，原厂产能将产能将持续紧缺持续紧缺。1 1）库存库存：西部数据库存自 23Q4 起已连续三个季度持续回落，FY24Q2 存货规模为32.2 亿元，库存水位已降至 20Q3 以来的新低，同时存货周转天数也进一步降低至 115 天，反应存储产品拉货动能持续提升。美光的存货尽管处于高位，但自FY24Q2 成品库存规模在下降，同时周转天数已有明显回落。实

64、际上，自 FY24Q1开始，美光已提前持有部分战略库存以优化成本和降低风险，美光表示若不包括这部分战略库存，FY24Q1 季度末库存天数约为 142 天，仅比目标库存水平高出 22天。同时美光自 FY24Q1 开始已在提升DRAM产能，充分反应其库存已至正常水位。电子 行业专题报告 21 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表38:美光及西部数据库存（亿美元）图表39:美光及西部数据存货周转天数（天）资料来源：Wind，方正证券研究所 资料来源：Wind，方正证券研究所 2 2）资本开支）资本开支：三大原厂 2022-2023 年资本开支放缓，近期资本开支都集中于

65、高端产品以及提升良率，形成新增产能至少需要到 25 年底到 26 年，故美光及海力士均表示 24 年 HBM 产能已经售罄，25 年产能也已分配完毕，美光预计公司 HBM bit 份额将在 2025 年与整体 DRAM bit 份额相当。图表40:各大原厂资本开支表述 资本开支相关表述 SK 海力士 24 年预计资本开支约 10 万亿韩元（约合 76 亿美元），23 年实际资本开支 9.5 万亿韩元，约70.8 亿美元，此前预计 6 万亿-7 万亿韩元。SK 海力士资本开支意在满足 AI 时代激增的需求，投资将聚焦于两方面：第一是为高附加值 DRAM 芯片扩建设施，包括 HBM3、DDR5 及

66、 LPDDR5；第二是升级 HBM 的 TSV（硅通孔）先进封装技术。同时 SK 海力士预计 24 年上半年 NAND 闪存市场依旧疲软，公司将限制NAND 闪存投资，甚至计划降至最低水平。三星 23 年在研发方面的投资达到创纪录的 28.34 万亿韩元（213 亿美元），并拨出 53.1 万亿韩元用于年度资本开支，为半导体繁荣做好准备。24 年公司内存资本支出预计将增加 15%。公司计划继续减产以使库存水平正常化，同时增加 HBM 和 DDR5 等高价值产品的产量。这种选择性削减方法以 HBM 为中心，符合去年的资本支出限制。美光 资本开支在 2023 年的基础上（70 亿美元）增加 5-1

67、0 亿美元，全年资本开支在 75 亿美元至 80亿美元之间，高于去年的部分主要是为了支持 HBM3E 的产量增长。预测 2024 财年的 WFE（晶圆设备）支出将同比下降。公司计划到 24 财年结束时，DRAM 和 NAND 的晶圆产能都将比 2022 财年的峰值水平低两位数。资料来源：方正证券研究所整理 3 3）产能产能：本轮下行周期全球 DRAM 产能至 23H2 已跌至 2019 年的投片量水平，同时原厂产能处于切换的关键期，一方面一方面 DRAMDRAM 产能从产能从 DDR4DDR4 向向 DDR5DDR5 加速切换，加速切换，DDR5DDR5产品线转换将造成产品线转换将造成 DRA

68、MDRAM 厂产能自然减损逾厂产能自然减损逾 30%30%；另；另一方面一方面 HBMHBM 供不应求供不应求，HBMHBM 晶晶圆消耗是圆消耗是 DDR5DDR5 的的 3 3 倍倍，考虑考虑产品良率产品良率将将进一步压缩进一步压缩 DRAMDRAM 产能产能，DRAMDRAM 产能产能往后往后看看势必势必紧缺紧缺。48.3 53.8 56.3 66.6 83.6 81.3 82.4 83.9 82.8 84.4 35.4 36.5 36.6 36.4 38.6 37.7 39.8 37.0 35.0 32.2 00708090美光科技西部数据164.5 160.8 1

69、59.8 157.5 159.3 125.0 131.0 126.6 122.1 119.9 002023Q22023Q32023Q42024Q12024Q2美光科技西部数据电子 行业专题报告 22 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表41:2019-2020 年内存厂投片量 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 图表42:DDR5 渗透率预估 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 需求增长需求增长伴随产能紧缺伴随产能紧缺，推动存储周期持续上行。，推动存储周期持续上行。前文已述及美光此前上行周期毛利

70、率连续增长超 8 个季度，本轮存储周期价格上行超 2 个季度，而 AI 带动的存储需求仍处于释放的早期阶段，我们预计 24H1 受减产影响存储价格仍将持续上行，而 24H2 伴随 AI 相关新品发布，存储需求有望加速释放，将推动价格持续增长。TrendForce 也给出 2024 年存储产品价格的成长预估，预计 24Q2 由于前期补货完成，二季度又为传统淡季，故预判 DRAM 及 Nand 合约价涨幅均将收敛至 3-8%。但从产业实际情况来看，由于市场需求增长超出预期，最近的 2-3 周，企业级 SSD已出现缺货现象，而由于 Nand 减产仍在持续，客户担心 24H2 货量不足，正不断提前加大

71、采购存储产品，三星电子也计划 24Q2 上调企业级 SSD 价格 20%至 25%，此前计划的价格上调幅度为 15%。图表43:2024 年 Nand 及 DRAM 涨价预估 资料来源：TrendForce，方正证券研究所 23Q123Q223Q323Q4E24Q1E24Q2E24Q3E24Q4E5%710%1015%1520%2833%4045%5055%6065%8%1520%2328%3035%4045%5055%6065%70%23Q123Q223Q323Q4E24Q1E24Q2E24Q3E24Q4EBull Case40%50%5560%6065%75%80%Base Case253

72、0%4045%4550%5560%70%75%Bull Case2833%3338%4853%5558%Base Case2530%3035%4348%50%16%6%10%15%2025%Intel DDR5 platformAMD DDR5 platformDDR5SupplyProductionCustomersAdoption10%电子 行业专题报告 23 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 3.利基存储价格拐点已至 台系厂商月度营收同比台系厂商月度营收同比显著显著增长。增长。华邦电子及南亚科技 2 月营收分别为 62.7 亿及 30.5 亿新台币，同比增长

73、分别达 8.03%和 50.56%。1）华邦电表示 SLC NAND 和利基 DRAM 市场的需求正在逐渐增强，公司的中长期业绩增长仍然稳健。2）南亚科表示针对工业和汽车应用的 DDR3 产品 ASP 有所改善，预计 24 年市场需求和价格有望持续逐季上升。图表44:华邦电月度营收（亿新台币）图表45:南亚科月度营收（亿新台币）资料来源：Wind，方正证券研究所 资料来源：Wind，方正证券研究所 DDR3&DDR4DDR3&DDR4：国际大厂高阶国际大厂高阶 DRAMDRAM 产能切换，利基产能切换，利基 DRAMDRAM 供给格局优化。供给格局优化。三星、SK海力士及美光等主要原厂正积极将

74、其产能转向 HBM 和 DDR5 等 AI 相关应用的高阶内存产品，DDR3 和利基 DDR4 供给端产能有望显著减少。而利基 DRAM 库存已于23 年充分去化，自 24Q1 末开始 AI、网通需求提升，DDR4 价格持续走高，DDR3 亦出现供给紧缺，价格逐步上涨。华邦电大幅调涨二季度 DDR3 报价，涨幅达 20%。同时华邦电预估Q2或Q3的DDR3市场即会达到供需平衡或略微供不应求的状况，有助于延续价格上涨趋势。从现货价格来看，以 DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 产品为例，现货均价从 1 月 2 日1.04 美元波动上涨至最新现货均价为1.06美元，涨幅为 1.9%。D

75、DR3/4GB/256Mx16合约均价较 2023 年 7 月的 1.02 美元谷底上升至今年 1 月的 1.20 美元，涨幅达17.6%。48.9 57.5 68.8 56.8 61.4 69.9 63.1 64.2 67.7 63.0 63.7 65.1 64.0 62.1 0070802023年1月2023年2月2023年3月2023年4月2023年5月2023年6月2023年7月2023年8月2023年9月2023年10月2023年11月2023年12月2024年1月2024年2月22.5 20.3 21.5 22.6 23.1 24.6 24.4 25.7 27

76、.2 26.7 28.7 31.6 30.6 30.5 0552023年1月2023年2月2023年3月2023年4月2023年5月2023年6月2023年7月2023年8月2023年9月2023年10月2023年11月2023年12月2024年1月2024年2月电子 行业专题报告 24 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 图表46:DDR3 现货均价变动（美元）图表47:DDR3 合约平均价变动（美元）资料来源：iFind，方正证券研究所 资料来源：iFind，方正证券研究所 SLC NANDSLC NAND：库存改善，价格已至底部。库存改善

77、，价格已至底部。随着主要制造商逐步退出该领域，目前部分厂商的 SLC NAND 产品库存已耗尽，同时订单接收情况持续向好。今年以来，SLC NAND Flash 价格趋于稳定。以市场上较为常见的高容量产品为例，16GB SLC NAND Flash 的价格在 7.36 至 7.40 美元之间小幅波动，而 8GB 产品的价格则位于 2.77 至 2.84 美元区间，我们认为 SLC 价格已基本触及底部。图表48:大容量 SLC 现货均价（美元）图表49:中低容量 SLC 现货均价（美元）资料来源：iFind，方正证券研究所 资料来源：iFind，方正证券研究所 NOR FlashNOR Flas

78、h：库存改善，库存改善，高容量高容量产品产品价格价格有望有望率先率先复苏。复苏。NOR Flash 产品的终端需求持续增温，带动下游企业加大采购力度。OEM 及系统制造商的库存迅速下降至大约两周的水平，迫切需要补充库存。在需求上升与供应减少双重影响下，预计2024 年 1 月 NOR Flash 产品报价将上涨 5%，并在 2024 年第二季度进一步上涨10%。基于此，预计 2024 年随着新产品的推出和产品线的扩展，代表利基存储市场的厂商如兆易创新、东芯股份等，有望在市场上行周期中实现快速成长。2.836.06.57.07.58.08.59.09.510.02.52.62.72.82.93.

79、03.12023/03/202023/04/202023/05/202023/06/202023/07/202023/08/202023/09/202023/10/202023/11/202023/12/202024/01/202024/02/202024/03/20现货平均价:Flash:SLC 8Gb 1GBx8（左）现货平均价:Flash:SLC 16Gb 2GBx8（右）0.50.70.91.11.31.5现货平均价:Flash:SLC 1Gb 128MBx8现货平均价:Flash:SLC 2Gb 256MBx8现货平均价:Flash:SLC 4Gb 512MBx8电子 行业专题报告

80、25 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 4.投资建议 建议关注：HBM 产业链：香农芯创，雅克科技，兆易创新，深科技；通用存储国产化及模组价格拐点：兆易创新，德明利，江波龙，深科技等；配套供应链：北方华创、中微公司、拓荆科技、中科飞测、精测电子、长川科技、新益昌、雅克科技、鼎龙股份、兴森科技、安集科技、正帆科技等；利基型存储拐点：兆易创新，东芯股份，普冉股份，北京君正；PCIe 升级：澜起科技，龙迅股份，聚辰股份。5.风险提示 下游需求不及预期：存储行业是强周期行业，如果下游需求复苏不及预期，则在当前行业底部期间，相关公司经营业绩仍将持续承受较大压力。研发进度不及

81、预期：存储产品技术持续升级，如果相关公司不能准确把握市场需求，持续研发新品保持竞争力，存在市场份额丢失风险。行业竞争加剧：存储行业近年来有新厂商持续进入，如果新增厂商持续增加，供给持续过剩，则会对相关公司产品出货及价格造成一定压力。电子 行业专题报告 26 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款s分析师声明分析师声明 作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，保证报告所采用的数据和信息均来自公开合规渠道，分析逻辑基于作者的职业理解，本报告清晰准确地反映了作者的研究观点，力求独立、客观和公正，结论不受任何第三方的授意或影响。研究报告对所涉及的证券或发行人的评价是分析师

82、本人通过财务分析预测、数量化方法、或行业比较分析所得出的结论，但使用以上信息和分析方法存在局限性。特此声明。免责声明免责声明 本研究报告由方正证券制作及在中国（香港和澳门特别行政区、台湾省除外）发布。根据证券期货投资者适当性管理办法，本报告内容仅供我公司适当性评级为 C3 及以上等级的投资者使用，本公司不会因接收人收到本报告而视其为本公司的当然客户。若您并非前述等级的投资者，为保证服务质量、控制风险，请勿订阅本报告中的信息，本资料难以设置访问权限，若给您造成不便，敬请谅解。在任何情况下，本报告的内容不构成对任何人的投资建议，也没有考虑到个别客户特殊的投资目标、财务状况或需求，方正证券不对任何人

83、因使用本报告所载任何内容所引致的任何损失负任何责任，投资者需自行承担风险。本报告版权仅为方正证券所有，本公司对本报告保留一切法律权利。未经本公司事先书面授权，任何机构或个人不得以任何形式复制、转发或公开传播本报告的全部或部分内容，不得将报告内容作为诉讼、仲裁、传媒所引用之证明或依据，不得用于营利或用于未经允许的其它用途。如需引用、刊发或转载本报告，需注明出处且不得进行任何有悖原意的引用、删节和修改。评级说明：评级说明：类别类别 评级评级 说明说明 公司评级 强烈推荐 分析师预测未来12个月内相对同期基准指数有20%以上的涨幅。推荐 分析师预测未来12个月内相对同期基准指数有10%以上的涨幅。中

84、性 分析师预测未来12个月内相对同期基准指数在-10%和10%之间波动。减持 分析师预测未来12个月内相对同期基准指数有10%以上的跌幅。行业评级 推荐 分析师预测未来12个月内行业表现强于同期基准指数。中性 分析师预测未来12个月内行业表现与同期基准指数持平。减持 分析师预测未来12个月内行业表现弱于同期基准指数。基准指数说明 A股市场以沪深300 指数为基准；香港市场以恒生指数为基准，美股市场以标普500指数为基准。方正证券研究所联系方式：方正证券研究所联系方式：北京：西城区展览馆路 48 号新联写字楼 6 层 上海：静安区延平路71号延平大厦2楼 深圳：福田区竹子林紫竹七道光大银行大厦31层 广州：天河区兴盛路12号楼隽峰苑2期3层方正证券 长沙：天心区湘江中路二段36号华远国际中心37层 E-mail：