1、2020 年深度行业分析研究报告目录1手机射频前端架构及行业现状71.1射频前端芯片概况71.25G 技术路线91.2.15G NR91.2.2NSA 作为过渡方案，SA 方案渐成主流101.2.35G 方案：Sub 6GHz 先行，mmWave 等待技术成熟122射频前端产业趋势：创新叠出，孕育国产机会142.1射频前端呈现模组化趋势142.2PA：GAAS 为主流技术，氮化镓技术处于导入期152.3开关主要采用 RF-SOI 工艺192.4滤波器由金属腔体向陶瓷腔体转变212.5LNA：SIGE 工艺开始兴起2235G 给射频带来价值量扩张233.1手机端：单机射频价值量扩张233.2基站
2、端：大规模天线技术增加射频天线用量253.2.15G 基站需求增长253.2.2大规模天线、工艺改进带来新增长点264射频前端产业链梳理274.1细分射频领域市场现状274.1.1PA284.1.2滤波器：SAW、BAW、LTCC 三种路线294.1.3开关304.1.4LNA314.2SOITEC 25 年深耕半导体创新，优化晶圆衬底325全球射频前端行业格局解析345.1高通捆绑 RF360，提供 5G 整合解决方案345.1.1RF360 完成整合，可提供 5G 射频前段模组整体解决方案345.1.2高通凭借平台优势，助 RF360 占得先机365.1.3高通是唯一提供毫米波解决方案的厂
3、商405.2苹果以博通、SKYWORKS、QORVO 为主力供应商415.2.1Qorvo 深耕 GaN，抢占化合物射频前端赛道415.2.2Skyworks 注重小基站射频应用435.3村田受益华为，5G 高端机型射频业务兴起455.3.1村田基本情况455.3.2村田为华为提供射频前端解决方案465.4博通专注苹果、三星475.5国产射频龙头：卓胜微495.6海思携手国产迎头赶上，国产替代远快于 4G515.6.1华为手机国产化供应链趋势明显515.6.2国内主导 5G 发展，渗透率快于 3G/4G535.6.3国内射频元器件主要厂商梳理53图表目录图表 1：从“香农定律”看通信技术演进方
4、向7图表 2：射频前端结构8图表 3：射频前端全球市场规模（十亿美元）8图表 4：2018 主要射频器件市场份额占比9图表 5：2018 年射频前端市场拆分9图表 6：5G 频段分布10图表 7：5G 网络架构演进11图表 8：5G 需求增多11图表 9：2G 网络到 5G 网络，时延与速度的变化12图表 10：全球 5G 频段分布12图表 11：世界各国在 SUB 6GHZ 频段分布13图表 12：世界各国在毫米波频段分布13图表 13：毫米波覆盖范围13图表 14：SUB 6GHZ 覆盖范围13图表 15：5G NR 毫米波覆盖范围广14图表 16：射频前端模组化方案14图表 17：射频前
5、端模组按频率划分15图表 18：典型 5G 射频前端设计方案15图表 19：AIP 模组15图表 20：一二三代半导体性能比较16图表 21：多级 GAAS PA 和等效 GAN PA 比较16图表 22：微波频率范围功率的工艺技术对比16图表 23：GAAS 供应链17图表 24：2018 全球 GAAS 设备市场份额17图表 25：2018 GAAS 代工厂市场份额17图表 26：中国 5G 基站 GAN PA 市场规模预测（亿元）18图表 27：稳懋最近两年生产量和销售量18图表 28：稳懋目前已进入量产的产品19图表 29：GAAS 代工竞争情况19图表 30：RF-SOI 工艺优势1
6、9图表 31：不同工艺射频开关性能比较19图表 32：中国 5G 基站 GAN PA 市场规模预测20图表 33：RF-SOI 的工艺供应链20图表 34：RF-SOI 主要产品及应用20图表 35：不同介质腔体滤波器性能对比21图表 36：两种基站滤波器性能比较21图表 37：中国移动电话基站发展情况（万个）22图表 38：LNA 产品工艺性能对比22图表 39：英飞凌采用 SIGE 设计 LNA22图表 40：亚德诺采用 SIGE 设计 LNA22图表 41：TOWERJAZZ 的 SIGE 进展领先同行业厂商23图表 42：射频前端部件价、量提升23图表 43：5G 给 PA、滤波器带来
7、新的挑战23图表 44：射频元器件市场不断增长24图表 45：第一代 5G RFFE 成本溢价（美元）24图表 46：NOTE 10+ 5G 天线模组24. 25图表 48：中国宏基站数量（万个）25图表 49：全球小基站数量（千台）25图表 50：BTS 基站收发台出货量（百万件）26图表 51：RF LINEUP 出货量（百万件）26图表 52：基站天线演进过程26图表 53：MIMO 演进情况示意图26图表 54：5G 基站带来 PA、LNA 数量增长26图表 55：微波频率范围功率电子设备的工艺技术对比27图表 56：基站应用射频市场空间（亿美元）27图表 57：射频前端产业链27图表
8、 58：射频前端产业链收购兼并发展27图表 59：2017 年 PA 厂商市场份额比重28图表 60：射频芯片供应链梳理29图表 61：2017 年 SAW 厂商市场份额比重29图表 62：射频 SAW 供应链29图表 63：2017 年 BAW 厂商市场份额比重30图表 64：射频 BAW 供应链30图表 65：全球射频开关市场规模（亿美元）30图表 66：射频开关市场占比30图表 67：射频开关芯片供应链梳理31图表 68：全球射频 LNA 市场规模（亿美元）31图表 69：射频 LNA 市场占比31图表 70：射频 LNA 供应链32图表 71：SOI 晶圆应用情况32图表 72：主要
9、RF-SOI 加工工艺比较33图表 73：全球 SOI 晶圆需求估计（8 寸,千片）33图表 74：SOITEC 在行业中的地位34图表 75：2018 年 SOITEC 产品收入拆分34图表 76：2018 年 SOITEC 在 SOI 收入份额34图表 77：2016 年高通和 TDK 合资34图表 78：射频前端部件价、量提升34图表 79：RF 360 发展历史35图表 80：EPCOS 滤波器+高通 PA 组成 PAMID35图表 81：高通拥有从基带 MODEM SOC，RFIC 到 FEM 完整解决方案36图表 82：高通调制解调器-射频前端系统36图表 83：V50 THINQ
10、 5G 主板37图表 84：高通“射频前端+基带”解决方案：LG V50 THINQ 5G37图表 85：OPPO RENO 5G 主要射频前端组件38图表 86：OPPO RENO 5G 模块化 RFFE 设计38图表 87：MIX 3 5G 主要射频前端组件39图表 88：MIX 3 5G 采用完全模块化设计39图表 89：高通“射频前端+基带”解决方案：小米 1040图表 90：高通研究毫米波近 30 年40图表 91：毫米波频段分布41图表 92：美国毫米波技术市场规模（百万美元）41图表 93：QORVO 产品及应用领域41图表 94：QORVO 主要产品收入拆分（百万美元）41.
11、42图表 96：QORVO 主要客户收入占比42图表 97：每台 IPHONE 射频价值量（美元）42图表 98：全球基站数量（百万个）43图表 99：全球大规模天线射频收发芯片出货量（百万件）43图表 100：QORVO 在 GAN 工艺发展路径43图表 101：SKYWORKS 通过收购新公司来增强自身的产品线44图表 102：占 SKYWORKS 营业收入比重大于 10%的客户44图表 103：SKYWORKS 营业收入状况（百万美元）45图表 104：SKYWORKS 净利润（百万美元）45图表 105：SKYWORKS 研发费用（百万美元）45图表 106：村田主要产品收入占比46图
12、表 107：村田营收状况（百万美元）46图表 108：村田毛利率和净利率46图表 109：村田收购时间线46图表 110：MATE30 系列主要供应商47图表 111：博通主要业务、市场、客户47图表 112：博通发展历程47图表 113：博通营收状况（百万美元）48图表 114：博通主要产品收入占比48图表 115：公司 FBAR 设计主要产品48图表 116：AFEM-809249图表 117：IPHONE XS MAX-A210149图表 118：博通主要收入厂商占比49图表 119：卓胜微各类型产品、主要功能及量产时间表50图表 120：卓胜微主要客户销售额占比50图表 121：卓胜微
13、营收状况（百万元）50图表 122：卓胜微研发投入（百万元）50图表 123：MATE30 PRO 5G 半导体 BOM51图表 124：P30、P40 供应链对比52图表 125：全球 5G 普及率及预测53图表 126：全球 LTE、5G 渗透率对比53图表 127：5G 基站规划53图表 128：中国各频段手机出货占比53图表 129：国内主要射频前端芯片厂商54图表 130：国内射频产业链55图表 131：卓胜微盈利预测551手机射频前端架构及行业现状1.1 射频前端芯片概况射频前端芯片是无线通信的核心零部件，包括 PA、波滤器、LNA、 开关和 Tuner 等芯片。 香农定律是通信领
14、域的基础定律。回顾通信从 2G 到 5G 网络的发展， 基本沿着香农定律的脉络进行演绎。5G 网络通信速率高达 10Gbps， 高速率的核心技术来源于四个方面。（1） MIMO 天线：多根天线的应用提高了信道容量。（2） 小基站：网络密集化需要更多蜂窝基站数量，相应的 5G 基站 端投资大于 4G 网络。（3） 载波聚合：将多个频率的无线信号进行载波聚合，以提高传 输速度。（4） 高阶调制。使用更高阶的调制方式，增加通信容量。 通信技术沿着香农定律指出的四个方向不断向前演进。在香农定律趋 势下，通信系统（基站端、手机等终端）对射频前端芯片的性能及复 杂度要求愈来愈高。图表1： 从“香农定律”看
15、通信技术演进方向资料来源：Yole，研究所射频前端系统包含的芯片品类较多，包括如下细分产品方向。 功率放大器 PA：用于发射链路，将微弱信号放大为功率较高的信号。 滤波器：用于筛选信号中特定的频率成分通过，而极大地衰减或抑制 其他频率。开关：用于接收、发射通道之间的切换。 低噪放：用于接收来自天线中的小信号并放大信号功率。 多工器：是一组非叠加的滤波器，帮助通道的数位信号输往单一的接 收端。Tuner:用于发射机和天线之间，调谐后实现阻抗匹配。 Envelop Tracker:用于提高承载高峰均功率比信号的功放效率。 PaMid:由 PA、滤波器、双工器、开关组合构成的模块。DRx Modul
16、e:将开关电源、数字功放集成到一起的功率放大模块。 Transceiver:安装在一个部件上并共用一部分相同电路的无线电发报 机和收报机。图表2： 射频前端结构滤波器开关双工器双工器LNA开关开关PALNAPALNA开关PA基带芯片收发器资料来源：卓胜微、研究所根据 Yole 预测，2018-2025 年全球射频前端的市场规模将由 150 亿美 元增长到 258 亿美元，年复合增速高达 8%。其中增速最大的 Tuner 市场规模将从 2018 年的 5 亿美元增长到 2025 年的 12 亿美元，复合 增长率高达 13%。图表3： 射频前端全球市场规模（十亿美元）资料来源： Yole、研究所滤
17、波器和 PA 是射频前端领域最大的两个细分方向，合计占射频前端市场的 61%。其中滤波器约占 21%，PA 放大器占 40%，开关和 LNA占 6%。图表4： 2018 主要射频器件市场份额占比资料来源：Yole、研究所目前全球射频前端市场集中度较高，前四大厂商占据全球 85%的市场 份额，分别为 Skyworks（24%）、Qorvo（21%）、Avago（Broadcom）（20%）、Murata（20%）。目前各细分市场均为日美巨头垄断，市场 集中度较高。国内卓胜微等射频厂商已在开关、LNA 等领域实现突破， 实力比肩国际一线厂商。图表5： 2018 年射频前端市场拆分资料来源： Yol
18、e、研究所1.2 5G 技术路线1.2.1 5G NR通过 5G NR，信息传递将实现超低时延、高可靠性。5G NR 是在 OFDM 的基础上设计出的全球性 5G 标准，能够为下一代蜂窝移动技术打下 坚实基础，能兼容之前 4G 的技术，数据带宽达到 10Gbps。5G 可部 署频段分成了两个范围：FR1 和 FR2。FR1：450 MHz - 6000 MHz； FR2：24250 MHz - 52600 MHz。图表6： 5G 频段分布FR1 中的 NR 工作频带（FDD 模式）NR 操作频段上行链路（UL）工作频段下行链路（DL）工作频段双工模式BS 接收/UE 发送BS 发送/UE 接收
19、FUL_low - FUL_highFDL_low - FDL_highn11920 MHz - 1980 MHz2110 MHz - 2170 MHzFDDn21850 MHz - 1910 MHz1930 MHz - 1990 MHzFDDn31710 MHz - 1785 MHz1805 MHz - 1880 MHzFDDn5824 MHz - 849 MHz869 MHz - 894 MHzFDDn72500 MHz - 2570 MHz2620 MHz - 2690 MHzFDDn8880 MHz - 915 MHz925 MHz - 960 MHzFDDn12699 MHz - 7
20、16 MHz729 MHz - 746 MHzFDDn20832 MHz - 862 MHz791 MHz - 821 MHzFDDn251850 MHz - 1915 MHz1930 MHz - 1995 MHzFDDn28703 MHz - 748 MHz758 MHz - 803 MHzFDDn342010 MHz - 2025 MHz2010 MHz - 2025 MHzTDDn382570 MHz - 2620 MHz2570 MHz - 2620 MHzTDDn391880 MHz - 1920 MHz1880 MHz - 1920 MHzTDDn402300 MHz - 2400
21、 MHz2300 MHz - 2400 MHzTDDn412496 MHz - 2690 MHz2496 MHz - 2690 MHzTDDn511427 MHz - 1432 MHz1427 MHz - 1432 MHzTDDn661710 MHz - 1780 MHz2110 MHz - 2200 MHzFDDn701695 MHz - 1710 MHz1995 MHz - 2020 MHzFDDn71663 MHz - 698 MHz617 MHz - 652 MHzFDDFR1 中的 NR 工作频带（SDL、TDD、SUL 模式）NR 操作频段上行链路（UL）工作频段下行链路（DL）工
22、作频段双工模式BS 接收/UE 发送BS 发送/UE 接收FUL_low - FUL_highFDL_low - FDL_highn75N/A1432 MHz - 1517 MHzSDLn76N/A1427 MHz - 1432 MHzSDLn773300 MHz - 4200 MHz3300 MHz - 4200 MHzTDDn783300 MHz - 3800 MHz3300 MHz - 3800 MHzTDDn794400 MHz - 5000 MHz4400 MHz - 5000 MHzTDDn801710 MHz - 1785 MHzN/ASULn81880 MHz - 915 MH
23、zN/ASULn82832 MHz - 862 MHzN/ASULn83703 MHz - 748 MHzN/ASULn841920 MHz - 1980 MHzN/ASULn861710 MHz - 1780 MHzN/ASULFR2 中的 NR 工作频带（TDD 模式）NR 操作频段上行链路（UL）和下行链路（DL）工作频段双工模式n25726500 MHz - 29500 MHzTDDn25824250 MHz - 27500 MHzTDDn26027000 MHz - 40000 MHzTDDn26127500 MHz - 28350 MHzTDD资料来源：ittbank，研究所1.2
24、.2NSA 作为过渡方案，SA 方案渐成主流NSA 作为过渡方案，SA 方案渐成主流。制定 5G 标准的 3GPP 将接入网（5G NR）和核心网（5G Core）拆开，在 5G 时代各自发展。5G 核心网向分离式架构演进，实现网络功能、控制面和用户面的分立， 以此满足不同人群对不同服务的需求。5G NR（new radio）工作在 1GHz 到 100GHz 中，不后向兼容 LTE。其中的原因就在于 5G 网络不仅仅 是提供移动宽带设计，同时还要面向 eMBB（增强型移动宽带）、 URLLC（超可靠低时延通信）和 MTC（大规模机器通信）三大场景。 针对不同的场景也就推出了 5G NR、5G
25、 核心网、4G 核心网和 LTE 混 合搭配，组成多种网络部署选项。NSA 和 SA 主要有三大区别：（1） NSA 没有核心网组，而 SA 相反，拥有自己的核心网络。（2） 在手机系统性设计上，NSA 上搭载了 2 条链路，一个 4G 一 个 5G，互相连通。在 SA/NSA 共存模式下，手机端搭载了三 条通道，2 条 5G 通道及 1 条 4G 通道。（3） NSA 的终端双连接需要 LTE 和 NR 两种无线接入技术，而在SA 情况下只需要 NR 无线接入技术。 图表7： 5G 网络架构演进资料来源：华为、研究所5G 三大场景定义万物互联时代：增强型移动宽带（eMBB）、海量物 联网（m
26、MTCL）、高可靠低时延（uRLLC）。其中 eMBB 相当于 3G-4G 网络速率的变化，而 mMTCL 和 uRLLC 是针对行业推出的全新场景， 推动科技由移动物联网时代向万物互联时代转变。图表8： 5G 需求增多资料来源：36 氪，研究所由于在使用 NSA 组网的情况下，终端天线要采用 LTE 和 NR 两种无 线接入技术，一根天线连接 NR，另外一根连接 LTE。而在 SA 上，两根天线都连接了 NR，大大提升了上行效率，因此 5G 网络架构会 从 NSA 逐渐向 SA 演进。图表9： 2G 网络到 5G 网络，时延与速度的变化时延（Ms）速度（Gbps）1.414.01.21.20
27、12.112.01.010.00.88.00.60.40.20.490.281.30.120.096.04.02.00.00.20.30.42G3G3.5G4G5G0.0资料来源：Skyworks，研究所图表10：全球 5G 频段分布资料来源：Yole，研究所1.2.35G 方案：Sub 6GHz 先行，mmWave 等待技术成熟中日韩和欧洲选择 sub 6GHz 方案，美国由 mmWave 转向 Sub 6GHz 方案。在 sub6GHz 中，韩国和日本是最主要的 Ultra LTE 频谱使用者。 两个国家都考虑使用 5G NR 扩展 UHB 频谱。预计 UHB 5G 频谱还将 在欧洲、中国
28、、俄罗斯和印度扩展。在美国 FCC 尚未决定扩展到 UHB 频道。而在毫米波频谱中，N257 波段是在美国、韩国和日本推出的 5G 毫米波段的主要波段，欧洲、中国和世界其他地区在 2020 年晚些 时候将重点放在 N258 波段。最早出现的毫米波芯片将会支持 N257、和 N260。图表11：世界各国在 sub 6GHz 频段分布图表12：世界各国在毫米波频段分布资料来源：Yole，研究所资料来源：Skyworks，研究所毫米波技术还未成熟，sub 6Ghz 在目前阶段具有成本优势。国内和欧 洲对于毫米波的反映普遍比较冷淡，一方面是由于毫米波成本高，尽 管高通推出的下一代 5G 解决方案能够兼
29、容，但是技术不成熟导致性 能不够稳定。另一方面毫米波基础建设成本高，网络没有完全覆盖。 根据谷歌测算，在相同的资本支出上，sub 6GHz 能够覆盖毫米波近 4 倍的范围。美国政府之前采用毫米波方案的原因是 sub 6GHz 频段被 军方使用，无法商用。但由于毫米波覆盖面积小、传输不稳定等因素 影响用户使用体验，美国开始由毫米波转向 sub 6GHz。图表13：毫米波覆盖范围图表14：Sub 6GHz 覆盖范围资料来源：Google，研究所资料来源：Google，研究所毫米波的难度在于，毫米波基板要求能够实现高频高速，这对于材料、 加工精度要求大大提高。毫米波的信号传输有点像水管，水管越光滑，
30、 信号损失越小，精度差一点信号马上衰减。图表15：5G NR 毫米波覆盖范围广资料来源：Yole、研究所2射频前端产业趋势：创新叠出，孕育国产机会2.1 射频前端呈现模组化趋势射频前端模组化是趋势，苹果等一线旗舰机型使用大量模组化射频组 件。做成单个分立器件相对容易，但模组化产品需要厂商具备强大的 射频设计能力。 手机射频前端设计呈模组化趋势，射频模组化将带来以下优势：解决 多频段带来的射频复杂性挑战，提供全球载波聚合模块化平台，缩小 RF 元件体积，加快手机产品上市时间等。图表16：射频前端模组化方案FliterPAFliterMore independent streamMove from
31、 diplexer to multiplexerGood path isolation, while enabling high CAUHB PAMiDMore DL CA LNAintegrationLNAMore BandsMore Filters Fliter44 MIMOAt least 4 antennaMain MB/HBFliterMain LBUHB PAMiDPAFliterHB PAMiDMHBPAFliterMB/HB PAMiDDiversity MB/HBHB PAMiDFliterDiversity LBLBLNAPAFliterFliterLB PAMiDInte
32、gration & densification in PAMiDDAxMLNALNAFliterFliterDAxMDAxMLNAFliterDAxMSwitchSwitchASMASMASMDiplexerMultiplexerTunerTunerTunerDual connectivity and the use of UHBSwitchSwitchTunerTunerSwitchSwitchSwitchTuner资料来源：Yole、研究所More DL CA / 44 MIMO proliferation of DRxM5G 驱动射频前端模组化。目前 5G 对于低频段的射频前端模组影响有
33、 限，中低端手机主要采用 SAW、BAW、PA 等分立方案。中高端手机 逐渐开始采用模组化方案。从由低到高的集成度来看，模组化方案包 括了 ASM、FEM、Div FEM 等低集成度方案，以及 LNA Div FEM、 PaMid 等高集成度方案。我们预计，随着 5G 手机的普及，低集成度 射频模组方案会率先向中低端手机渗透。模组集成器件集成度ASM射频开关、天线低FEM射频开关、滤波器低Div FEM集成 FEM中FEMiD射频开关、天线、双工器中PAiDPA、双工器中SMMB PA支持单模式多频带 PA中MMMB PA支持多模式多频带 PA中Tx ModulePA、射频开关中PAMiDFE
34、MiD、MMMD PA高LNA Div FEMDiv FEM、LNA高图表17：射频前端模组按频率划分图表18：典型 5G 射频前端设计方案资料来源：Yole、研究所资料来源：Yole、研究所5G 毫米波阶段将采用模组化射频方案。毫米波阶段采用 AiP 模块方 案，使射频前端模块集成天线以及射频前端功能。AiP 是基于封装材 料与工艺将天线与芯片集成在封装内实现系统级无线功能的技术，具 备缩短路径损耗、性价比高、符合小型化趋势等优点。从 AiP 产业链 结构来看，主要的模块设计方案厂商是高通、三星，主要制造和封测 厂商有台积电、日月光等。AIP 的材料较为特殊，国内厂商相比海外 还有一定差距。
35、图表19：AiP 模组资料来源： Hindawi、研究所2.2 PA：GaAs 为主流技术，氮化镓技术处于导入期 根据所用半导体材料不同，射频 PA 可以分为 CMOS、GaAs、GaN三大技术路线。CMOS 是使用最为廉价的沙子作为原材料制备硅，这 是第一代半导体材料。CMOS PA 于 2000 年便已经出现，于 2G 时代 进入手机市场，目前大多数电子产品中的元器件都是基于硅的标准 CMOS 工艺制作，技术成熟且产能稳定。图表20：一二三代半导体性能比较CMOSGaAsGaN禁带宽度1.121.423.42击穿场强（106V/cm）0.60.73.5热传导率(W/cm.K)1.50.61
36、.3电子迁移率(cm2/V.s)0饱和电子速率(107cm/s)10.82.5材料成本低中高工艺发展情况成熟发展中初期资料来源：EETOP、研究所整理相比于第一代的硅（Si），锗（Ge）之类的单质半导体材料，第二代 半导体材料主要使用 GaAs 或 SiGe。随着手机信号从 2G 进化到 3G 和 4G，虽然电子设备中的其他原件仍然可以使用硅，但硅已经难以 满足射频器件的要求。CMOS 击穿电压弱，电子迁移率低，饱和电子 速率低，特别是带宽会随着频率增加迅速减少，CMOS 仅在 3.5GHz 频率内有效。而 GaAs 电子迁移率比硅高 6 倍，有较高的击穿电压， 可以用于
37、超高速、超高频器件应用，比同样的 Si 元件更适合操作在高 功率的场合。目前移动端 3G/4G 主要采用 GaAs PA，除了前述的 GaAs 工艺在性能上的优势，更是因为其技术成熟稳定可靠，比起更新的半 导体材料如 GaN 来说，更适合民用市场。图表21：多级 GaAs PA 和等效 GaN PA 比较图表22：微波频率范围功率的工艺技术对比资料来源：analog、研究所资料来源：analog、研究所全球最大 GaAs 晶圆代工服务厂商稳懋（Win Semiconductor）是该 市场上的龙头公司。根据 Strategy Analytics 数据，2018 年全球砷化镓 元件市场（含 ID
38、M 厂的组件产值）总产值约为 88.7 亿美元，创历史。其中稳懋的市占率全球第四，约为 6.0%。在砷化镓晶圆代工市场，2018 年代工市场规模为 7.47 亿美元。稳懋于 2010 年起成为全球 第一大砷化镓晶圆代工半导体厂商，2018 年市占率为 71.1%。图表23：GaAs 供应链供应链供应链厂商砷化镓基板Freiberger, AXT Inc., Sumitomo砷化镓泵晶圆IQE, 全新, SCIOCS,Sumika, 英特磊, 联亚砷化镓 IC 设计Microsemi, 络 达, RDA,立积砷化镓整 合元件厂Skyworks， Qorvo，博通， Lumentum， II-VI
39、，Finisar砷化镓晶圆代工稳懋, 宏捷，環 宇，联颖砷化镓 IC 封装同欣 , 菱生砷化镓 IC 测试全智, 日月光, 硅格, 京元电砷化镓终端 应用手机苹果,三星, LG,华为,OPPO,Vivo,HTC基站华为,爱立信,诺基亚，思科资料来源：稳懋，研究所整理图表24：2018 全球 GaAs 设备市场份额图表25：2018 GaAs 代工厂市场份额三菱电子2%雷神公司Qorvo2%其他10%GCS8%宏捷科技9%稳懋71%1%其他12%M/A-COM3%亚德诺半导体Skyworks 32%3%村田3%SEI 3%稳懋6%博通9%Qorvo 26%资料来源：Strategy analyt
40、ics，研究所资料来源：Strategy analytics，研究所第三代半导体材料 GaN 在性能上显著强于 GaAs，但成本较高。GaN 禁带宽度更宽，击穿电压更强，饱和电子速率更快，能承受更高的工 作温度（热导率高）。虽然目前 GaAs 技术成熟，现有的移动端 3G/4G 主要采用 GaAs PA， 但是 GaN 是一种相对较新的技术，能实现更高的电压，大幅简化输 出合成器、减少损耗，因而可以提高效率，减小芯片尺寸，劣势仅是 缺乏低成本的衬底。目前 GaN 在部分基站端应用率先实现替代 GaAs。 随着技术攻关进程加快，GaN 将成为高射频、大功耗应用的主要方案。图表26：中国 5G 基
41、站 GaN PA 市场规模预测（亿元）121.71076832.72.44.27.2604020020020202120222023资料来源：TOPOLOGY、研究所稳懋 GaAs 晶圆产量保持逐年稳步增长。这是因为 GaAs 晶圆制造市 场中 IDM 公司虽然占有超过 50%的生产规模，但近几年由于专业代 工相对具有成本优势，加上 IDM 公司对于产能扩充的投资趋于保守， 因此持续释出更大比率的订单给以稳懋为代表的晶圆制造代工厂。截 至 2018 年稳懋的晶圆 A、B、C 厂合计月产能 32,000 片，是目前全球 产能最大的砷化镓晶圆厂，2019 年延续 2018 年的扩充计划，预计今 年旺季时月产能将扩充为 36,00037,000 片。图表27：稳懋最近两年生产量和销售量资料来源：稳懋、研究所在无线通讯领域稳懋主要提供 HBT 和 pHEMT 两大类 GaAs 电晶体 制程技术。二者均为最尖端的无线宽频通讯微波制程技术，目前稳懋 的产品线可满足 100MHz 至 100GHz 内各种不同频带无线传输系统的 应用。与竞争对手相比稳懋
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