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【公司研究】2020年三安光电企业延伸布局射频产业链深度研究报告（55页）.pdf

编号：23399

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【公司研究】2020年三安光电企业延伸布局射频产业链深度研究报告（55页）.pdf

1、mNpQmMoQnMqMqRmOrMrOtO6McMaQtRoOoMmMjMqRoPfQoNpP8OmNsOvPtOpMxNmPpP 2020 年 11 月 28 日 P.3 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明内容目录内容目录一、化合物半导体龙头厂商，产业链垂直整合布局 . 7 1.1、LED 龙头厂商布局化合物半导体，大幅打开远期市场空间 . 7 1.2、LED 主业逐渐企稳，公司收入增速有所回暖 . 8 二、化合物半导体抢先卡位，垂直产业深度布局 . 11 2.1、化合物半导体在高频、高压领域具有性能优势 . 11 2.2、三安光电深度布局化合物半导体，抢先卡位优质赛道

2、. 15 三、氮化镓：高频率、高功率，射频领域需求快速增长 . 16 3.1、GaN 适用于高频、高功率，技术升级有望带来成本下降 . 16 3.2、射频领域：5G 基站是 GaN 重要成长驱动因素 . 20 3.3、电力电子：消费级快充应用快速增长，汽车电子潜在空间大 . 26 四、砷化镓：扎根消费电子射频领域，VCSEL 增量空间大 . 32 4.1 射频领域：通讯技术升级带动终端射频 GaAs PA 量价齐升 . 34 4.2 VCSEL：从光通讯向 3D Sensing，应用场景快速增加 . 37 五、碳化硅：高压、大功率器件核心材料，受益于新能源汽车 . 40 六、延伸布局射频产业链

3、，卡位 SAW 滤波器赛道 . 47 6.1、滤波器赛道受益 5G，迎来需求爆发 . 48 6.2、滤波器业务多年布局、蓄势待发 . 49 七、LED 行业逐渐触底，Mini/Micro 推动新成长 . 49 7.1、LED 应用场景广泛，行业逐渐触底 . 49 7.2、Mini/Micro LED 新型显示技术打开长期成长空间 . 51 7.3、迎接行业结构性创新机会，定增加码布局高端 LED 产品 . 53 八、盈利预测与投资建议. 54 九、风险提示 . 56 图表目录图表目录图表 1：公司产业链垂直整合布局 . 7 图表 2：三安光电股权结构 . 8 图表 3：三安光电营业收入 .

4、9 图表 4：三安光电归母净利润 . 9 图表 5：三安光电利润率 . 9 图表 6：三安光电研发费用 . 9 图表 7：LED 板块标的存货（亿元） . 10 图表 8：LED 板块标的 2020Q3 收入增速 . 10 图表 9：LED 板块标的毛利率表现 . 10 图表 10：不同化合物半导体应用领域 . 11 图表 11：化合物半导体材料性能更为优异 . 12 图表 12：半导体材料演进图 . 12 图表 13：不同化合物半导体的优势领域 . 12 图表 14：2017 年我国 SiC、GaN 电力电子及射频产业产值（亿元） . 13 图表 15：2018 年我国 SiC、GaN 电力

5、电子及射频产业产值（亿元） . 13 图表 16：我国 SiC、GaN 电力电子器件应用市场规模预估（亿元） . 14 图表 17：2018 年我国 SiC、GaN 电力电子器件应用市场分布 . 14 图表 18：公司产业布局示意图 . 15 2020 年 11 月 28 日 P.4 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 . 15 图表 20：氮化镓性能对比 . 16 图表 21：氮化镓器件结构示意图 . 16 图表 22：氮化镓的下游应用 . 17 图表 23：GaN 不同衬底的比较 . 17 图表 24：硅基 GaN 市场快速增长 . 18 图表 25：RF GaN 新增专利数

6、量（个），硅基 GaN 技术专利更为活跃 . 18 图表26：GaN不同衬底路径布局概览图 . 19 图表27：GaN产业链整合 . 19 图表 28：6 寸 GaN 单片成本下降趋势 . 20 图表 29：GaN 功率器件功率密度（W/in） . 20 图表 30：不同 GaN 器件的应用范围 . 20 图表 31：RF GaN 市场规模预期 . 21 图表 32：氮化镓射频器件市场结构（百万美元，2019 至 2023 年为 Yole 预测值） . 21 图表 33：我国 GaN 射频器件应用市场规模预估（亿元） . 22 图表 34：2018 年我国 GaN 射频器件应用市场分布 .

7、22 图表 35：GaN 较 GaAs 大幅减少体积 . 23 图表 36：GaN 在基站侧的应用 . 23 图表 37：基站 GaN、GaAs、LDMOS 的比重 . 24 图表 38：国际上已经商业化的 RF GaN 工作频率范围 . 24 图表 39：全球 GaN 市场份额 . 25 图表 40：海外 RF GaN 厂商布局 . 25 图表 41：国内 GaN 厂商布局 . 26 图表 42：2018 年全球 GaN 功率器件市场快速增长 . 26 图表 43：2018 年全球 GaN 功率器件市场划分 . 27 图表 44：快充行业功率芯片公司 . 27 图表 45：纳微产品列表 .

8、28 图表 46：anker 采用了 PI 的 SC1933 氮化镓功率产品 . 28 图表 47：anker 另一款产品采用纳微的 GaN 功率芯片和驱动 . 28 图表 48：主流氮化镓快充芯片方案 . 29 图表 49：国内功率 GaN 器件布局 . 30 图表 50：GaN 芯片封装形式发展趋势 . 31 图表 51：国内功率 GaN 器件布局 . 31 图表 52：GaAs 和 Si 材料比较 . 32 图表 53：GaAs 衬底出货量 . 32 图表 54：GaAs 外延片出货量 . 32 图表 55：中国砷化镓元件市场规模（亿元） . 33 图表 56：全球砷化镓外延片市场竞争格

9、局 . 33 图表 57：全球砷化镓晶圆制造市场竞争格局 . 33 图表 58：目前 PA 产品市场占比 . 34 图表 59：PA 产品代工厂营收占比情况 . 34 图表 60：GaAs 在射频器件中的应用 . 34 图表 61：GaAs 在各下游领域占比情况 . 35 图表 62：消费电子终端 GaAs 材质 PA 渗透率逐步提升 . 35 图表 63：全球射频前端市场规模预测（亿美元） . 35 图表 64：全球射频开关销售收入（亿美元） . 36 图表 65：PA 价值量明显受益 4G 发展趋势（美元） . 36 2020 年 11 月 28 日 P.5 请仔细阅读本报告末页声明请仔细

10、阅读本报告末页声明：氮化镓射频器件工艺制程 . 36 图表 67：GaAs 晶圆和外延片的主要应用 . 37 图表 68：用于光电子领域的砷化镓出货量预计 . 37 图表 69：Vcsel 工作原理示意图 . 38 图表 70：三星 Galaxy Note 10+ ToF 结构中的 VCSEL . 38 图表 71：采用氮化铝(AIN)腔体封装的 Finisar 大功率 VCSEL . 38 图表 72：3D Image 和 Sensing 收入按市场类别划分（百万美元） . 39 图表 73：2019 至 2025 各领域 3D 感知市场占比（内 2019，外 2025） . 39 图表

11、74：2017 至 2027 年 GaAs 产业演进过程：从手机到汽车 . 39 图表 75：SiC 特性和优势 . 40 图表 76：SiC 应用领域 . 40 图表 77：SiC 下游应用比例 . 40 图表 78：碳化硅市场空间（百万美元） . 41 图表 79：SiC 较 Si 基产品能够大幅减少 Die Size . 42 图表 80：目前的主流 SiC 和 Si 基 IGBT 产品 . 42 图表 81：硅基 IGBT 与碳化硅基 MOSFET wafer cost 对比 . 42 图表 82：SiC 衬底尺寸发展趋势 . 43 图表 83：SiC 衬底价格（元/cm2）. 43 图表 84：SiC 外延片成本结构 . 43 图表 85：SiC 外延片价格（元/cm2） .

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