1、 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 代工龙头创领升级，产业联动芯火燎原 中芯国际(688981) 晶圆代工处产业链核心支柱位置，为国内半导体进口替代提供晶圆代工处产业链核心支柱位置，为国内半导体进口替代提供 关键支持，具有高技术门槛及集中度高的特点；公司作为中国关键支持，具有高技术门槛及集中度高的特点；公司作为中国 大陆晶圆代工龙头，在产能和技术皆具备得天独厚领先优势，大陆晶圆代工龙头，在产能和技术皆具备得天独厚领先优势， 除了引领工艺节点突破之外，对设备除了引领工艺节点突破之外，对设备国内本地品牌华为、联想、小米等，和本地芯片设计商海思、紫光展讯、 汇顶科技等发展，中国大陆成为全球最大的
2、半导体消费基地，为中芯国际带来充沛芯 片制造需求。按照地区划分，至 2019 年公司来自于中国大陆及香港地区的营收占比 已经超过 59%。 中芯国际成为国内半导体关键设备、材料发展的重要中芯国际成为国内半导体关键设备、材料发展的重要合作伙伴合作伙伴，公司公司本地化采本地化采 购比例逐渐提升，购比例逐渐提升，为为设备、材料和设备、材料和整个产业链整个产业链带来带来正向发展。正向发展。根据 2018 年中芯国际 社会责任报告信息，中芯国际积极支持本地供应链的发展，原物料供应链中的中国大 陆供应商占比逐渐上升，从 9.1%增加值 13.5%；中芯供给积极参与国产设备和国产材 料专项项目，推动国产设备
3、、国产材料的快速发展，间接创造就业机会； （1 1）国产）国产 设备方面：设备方面：支持覆盖 0.35 微米至 28 纳米的节点的国产设备，成功验证 25 个设备工 艺种类，约占 13%，覆盖工艺类型 35.6%，合作国产设备商包括北方华创、中微公司、 盛美股份等均有显著突破。 （2 2）国产材料方面：）国产材料方面：覆盖 0.35 微米至 14 纳米国产材料： 成功验证 112 种材料，约占全部材料的 14.7%。同时，为支持原物料本地化供应，中 芯国际持续与本地原物料供应商进行合作，持续加大本地原材料的评估力度，扩大本 地采购金额和比重，合作国产材料商包括，安集科技、上海新昇、华特气体等均
4、有显 著突破。从整体材料采购来看，截至 2018 年，公司本地原材料采购金额已达到 图 15 中国大陆本土芯片设计商、品牌方的快速增长， 为中芯国际带来大量芯片制造需求 图 16 中芯国际来自中国大陆本土客户的收入增长迅速 （百万美元） 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 图 17 中芯国际营业收入地区拆分（亿元） 图 18 中芯国际营业收入地区占比（%） 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 431 578 837852 1,067 1,4471,466 1,9851,833 0 500 1,000 1,500 2,000
5、 2,500 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 中芯国际来自于本土客户的营业收入 +20% CAGR 99.16 133.18 127.52 83.96 71.25 56.58 26.71 20.97 30.6 0 20 40 60 80 100 120 140 201720182019 中国大陆及香港美国其他 47.26% 59.09%59.39% 40.01% 31.61% 26.36% 12.73% 9.30% 14.25% 201720182019 中国大陆及香港美国其他 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重
6、要法律声明 16 11,379.2 万美元，达到原物料总采购金额的 16.72%，正在积极推动本地半导体产业 链建设。 图 19 中国大陆的产业链上游的半导体设备、材料和中芯国际协同，实现国产设备、材料从工艺验证到量产 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 图 20 2011-2018 年中芯国际本地原材料采购金额和占 比逐年增加（百万美元） 表 6 2018 年中芯国际对国产设备材料支持成果，成功 验证多种设备和材料的工艺类型 支持项目支持项目 内容和成果内容和成果 国产设备国产设备 支持设备范围：覆盖 0.35 微米至 28 纳米设备成果：成功验证 25 个设备工 艺种类，约占 13%，覆盖
7、工艺类型 35.6% 国产材料国产材料 验证材料范围：覆盖 0.35 微米至 14 纳米材料成果：成功验证 112 种材 料，约占全部材料的 14.7% 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 公司建立了高标准的供应商管理体系，公司建立了高标准的供应商管理体系，协同协同供应商共同成长供应商共同成长和技术升级，实现和技术升级，实现 从验证迈向量产的长期合作从验证迈向量产的长期合作。随着集成电路制造技术升级，制造工艺升级和设备、 材料已经密不可分，从单纯供应关系转为协同技术进步。根据中芯国际招股说明书讯 息，公司不仅是和主要供应商保持长期稳定合作关系，同时兼顾新供应
8、商的导入与培 养，加强供应链稳定安全；因此，除了满足相关资质，还要通过下列的一系列生产测 试过程：第一、需通过供应商准入机制：第一、需通过供应商准入机制：由公司质量保证部门、采购部门、生产部 门等，分别从产品质量、价格/物流/售后服务管理等不同的维度对供应商的能力进行 认证，确保供应商在各个方面均符合公司所处行业的严格规范和要求。二、样品测二、样品测 试试：初步生产样品；三、小批量试产三、小批量试产：客户按照公司提供的设计规则进行产品设计。 设计完成后，公司根据客户的产品要求进行小批量试产；四、风险量产四、风险量产：小批量试：小批量试 产后的样品经过封装测试、功能验证等环节，如果符合市场要求，
9、则进入风险量产产后的样品经过封装测试、功能验证等环节，如果符合市场要求，则进入风险量产 阶段。风险量产阶段主要包括产品良率提升、生产工艺提升、生产产能拓展等阶段。风险量产阶段主要包括产品良率提升、生产工艺提升、生产产能拓展等；五、；五、 大批量生产大批量生产：风险量产阶段完成且上述各项交付指标达标后，进入大批量生产阶段。 20.98 30.17 42.09 52.37 69.11 80.4376.87 113.38 0.00% 5.00% 10.00% 15.00% 20.00% 25.00% 30.00% 35.00% 40.00% 0 20 40 60 80 100 120 2011 20
10、12 2013 2014 2015 2016 2017 2018 本地原物料采购金额（百万美元） 本地采购占比 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 17 在大批量生产阶段，销售部门与客户确认采购订单量。生产计划部门。根据客户订单 需求安排生产、跟踪生产进度并向客户提供生产进度报告。 图 21 中芯国际半导体设备、材料的采购流程和管理体系 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 公司以多种渠道拓展客户，采用直销模式开展销售业务。公司以多种渠道拓展客户，采用直销模式开展销售业务。根据中芯国际招股说 明书讯息：公司拓展业务渠道包括：第一、第一、主动联系并拜访目标客户，主
11、动联系并拜访目标客户，推介与客户 匹配的工艺和服务；第二、第二、通过与设计服务公司、通过与设计服务公司、IP IP 供应商、供应商、EDA EDA 厂商、封装测试厂商、封装测试 厂商、行业协会厂商、行业协会与客户建立合作关系；第三、第三、通过主办技术研讨会等活动或参与半通过主办技术研讨会等活动或参与半 导体行业各种专业会展、峰会、论坛导体行业各种专业会展、峰会、论坛进行推广；第四、第四、客户通过公司网站、口碑传客户通过公司网站、口碑传 播等公开渠道播等公开渠道联系公司寻求直接合作；确立合作意向以后，公司销售团队与客户签 订订单，并根据订单要求提供集成电路晶圆代工以及相关配套服务，制作完成的产品
12、 最终将被发货至客户或其指定的下游封装、测试厂商。 图 22 中芯国际采用直销模式开展销售业务：公司通过上述营销方式与客户建立合 作关系后，将与客户直接沟通并形成符合客户需求的解决方案 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 1.4.1.4.募资加速募资加速 14nm14nm 以下先进制程，以下先进制程，推动营业推动营业 ;中国大陆作为全球最大的消费性电子产品市 场具备充沛需求，近十年来国家大力推动半导体产业发展；国内半导体产业发展的顺 序为封装、设计、制造；随着国内封装产业和设计产业蓬勃发展，制造端迎来良好的 配套服务和下游客户大量需求； （2 2）中国芯片设计公司）中国芯片设计公司海思、紫光展
13、讯、兆易创新海思、紫光展讯、兆易创新、 汇顶科技汇顶科技等等成长迅速成长迅速，为晶圆代工企业带来大量需求：为晶圆代工企业带来大量需求：国内近几年来大量投入研发， 包括华为海思、紫光展讯、兆易创新等企业均取得优异成绩，同时维持业绩高增长， 带动晶圆代工的大量需求；芯片设计是集成电路的开发过程，即通过系统设计和电路 设计，将设定的规格形成设计版图的过程，是仰赖于高端人才的技术密集型行业。 （3 3）中芯国际具备服务优势，）中芯国际具备服务优势，近年来已与境内外领先芯片设计厂商建立了长期稳定近年来已与境内外领先芯片设计厂商建立了长期稳定 合作关系合作关系。地缘优势和服务优势使得公司能够掌握行业、产品
14、最新技术动态，及时 了解和把握客户最新需求，准确地进行芯片产品更新升级，确保公司产品在市场竞争 中保持先发优势，同时积累产品行业应用经验，完善产品性能，提高产品质量水平。 图 32 2019 年中国大陆为全球唯一纯晶圆代工市场，逆势同比增长 6%（亿美元） 资料来源： IC Insight、华西证券研究所 315 107 81 40 34 308 114 81 36 30 0 50 100 150 200 250 300 350 美国中国亚太地区欧洲日本 20182019 +6% 图 33 2010-2019 年中国芯片设计公司的数量从 682 家增长为 1780 家（个） 图 34 2013
15、-2019 年中国大陆半导体制造、封装、设计 产业市场规模（亿元） 资料来源：IHS Markit、华西证券研究所 资料来源：中国半导体行业协会、华西证券研究所 582 534 569 632 681 736 13621380 16981780 0 500 1000 1500 2000 2000019 中国芯片设计企业数目 601 712 901 1,127 1,448 1,818 2,149 0 500 1,000 1,500 2,000 2,500 3,000 3,500 2000
16、19 半导体制造业半导体封装业半导体设计业 +24% CAGR 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 22 中芯国际作为中国大陆中芯国际作为中国大陆晶圆代工晶圆代工龙头，叠加国产化的重要性提升，可望龙头，叠加国产化的重要性提升，可望迎来市迎来市 场规模、行业地位的双重提升。场规模、行业地位的双重提升。全球晶圆代工将迎来三方面的变化： （1 1）全球半导）全球半导 体产业链第三次向中国大陆转移，未来十年甚至更长时间将留在大陆。体产业链第三次向中国大陆转移，未来十年甚至更长时间将留在大陆。全球半导体 三次转移过程如下：第一、美国转至日本：在日本成就了世界级半导体材料
17、企业，直 至今日垄断全球半导体材料供应；第二、日本转至韩国和中国台湾：在韩国成就了三 星、LG、海力士等存储芯片巨头；中国台湾则成就了全球逻辑芯片代工龙头台积电; 第三、中国台湾转移至中国大陆：中国半导体企业机会来临。中国大陆半导体材料、 设备自主可控将是长周期趋势。 （2 2）中国大陆集成电路贸易逆差持续增加，）中国大陆集成电路贸易逆差持续增加，晶圆代晶圆代 工工的的进口替代进口替代可望跨越周期迎来增长趋势可望跨越周期迎来增长趋势。根据中国半导体行业协会数据，至 2019 年，中国大陆集成电路贸易逆差为 2,040 亿美元；其中，中国大陆集成电路进口约为 3,060 亿美元，集成电路出口约为
18、 1,020 亿美元;2013-2019 年，中国大陆半导体持续 推动国产化，但是贸易逆差仍然持续扩大，显示国内半导体产业在降低贸易逆差的指 标上属于长周期发展趋势。 公司在中公司在中美贸易竞争背景下，美贸易竞争背景下，竞争地位将竞争地位将愈趋重要愈趋重要。半导体制造的能力，将决 定国家在科技和关键产业的领先地位，为了避免断链，产业链上下游将迎来区域性整 合，晶圆代工业务成为必争之地。半导体产业链从 20 世纪 50 年代开始，经历了多次 分合，未来将迈向产业链区域整合，晶圆代工的重要地位将逐步提升。全球半导体产 业的发展过程如下：第一、第一、产业链集于一身（产业链集于一身（2020 世纪世纪
19、 5050 年代至年代至 7070 年代）年代）：最初能 发展集成电路产业的企业只有掌握包括产品设计、研发、加工制造在内的全套技术， 拥有集成电路材料制备和设备制造的大型公司（IDM-垂直整合制造工厂）；第二、第二、 集成电路与设备、材料业分离（集成电路与设备、材料业分离（20 20 世纪世纪 6060 年代至年代至 8080 年代）年代）：随着产业规模的扩大 和工业技术的提升，专业化分工的优势逐步显现，于是集成电路制造设备业、材料业 逐渐从这些 IDM 分离；第三第三、设计、制造、封装测试业的分离（设计、制造、封装测试业的分离（2020 世纪世纪 7070 年代至年代至 今）今）：专业的封装
20、测试公司开始出现，封测行业方面：率先从产业中独立出来，并 向劳动力和土地资源丰富的地区转移，例如马来西亚、菲律宾、中国大陆及台湾地区； 设计行业方面：随着计算机辅助工程（CAE）、辅助设计（CAD）和工艺模拟、仿真等 设计方法的发展，使大量专业集成电路设计公司应运而生，设计业兴起；制造行业方 面：随着制造工艺水平的提高，集成电路的产线建设、工艺研发及人才和资本需求不 断增加，多数 IDM 不愿或无力承担巨额投入所带来的风险，于是只专注于集成电路芯 片制造的企业兴起。第四：第四：区域性整合产业链以避免断链（未来趋势）区域性整合产业链以避免断链（未来趋势） ：在美中贸易 战及后疫情时代，关键核心产
21、业的策略性保护变得更为重要，半导体产业俨然成为科 技大国的必争之地，各国政府扩大对半导体厂的投资补助，同时，规划在国内形成自 主可控的半导体产业链，确保国家在军工、航太等先进芯片得以保持领先；例如： 图 35 全球半导体产业链第三次向中国大陆转移，可望 维持十年以上的较长周期 图 36 2012-2019 中国大陆集成电路进出口金额，市场 规模逐步扩大，贸易逆差同步增长（十亿美元） 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 资料来源：中国半导体行业协会、华西证券研究所 139 144 157 161 166 194 228 204 192 231 218 230 227 260 312 306 53
22、 88 61 69 61 67 85 102 0 50 100 150 200 250 300 350 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 集成电路贸易逆差集成电路进口金额 集成电路出口金额 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 23 美国美国致力寻求致力寻求全球晶圆代工龙头台积电前往美国设厂、中国大陆晶圆代工龙头中芯全球晶圆代工龙头台积电前往美国设厂、中国大陆晶圆代工龙头中芯 国际回归国际回归 A A 股；半导体制造（晶圆代工）股；半导体制造（晶圆代工）尤其尤其是产业链中最关键的一环。是产业链中最关键的一环。 表 8
23、 全球集成电路行业发展趋势：从全球化分工，迈向区域性产业链整合；中芯国际地位愈趋重要 产业发展阶段产业发展阶段 概述概述 产业链集于一身（产业链集于一身（2020 世世 纪纪 5050 年代至年代至 7070 年代）年代） （1）20 世纪 50 年代，集成电路诞生于美国。作为一项新兴技术，其研发、制造 等被少数大型企业掌握，而生产所用的设备、材料、制造工艺技术等又有高度专业 性，最初能发展集成电路产业的企业只有掌握包括产品设计、研发、加工制造在最初能发展集成电路产业的企业只有掌握包括产品设计、研发、加工制造在 内的全套技术，拥有集成电路材料制备和设备制造的大型公司（内的全套技术，拥有集成电路
24、材料制备和设备制造的大型公司（IDMIDM- -垂直整合制垂直整合制 造工厂）；造工厂）；（2）IDM 参与到集成电路产业是为自身制造的电子整机产品如电子设 备、通信设备、家用电器等提供服务，以此增加其整机产品的附加值，提升产品的 功能和质量，降低生产成本，争夺市场； 集成电路与设备、材料集成电路与设备、材料 业分离（业分离（20 20 世纪世纪 6060 年年 代代至至 8080 年代）年代） （1）20 世纪 60 年代中后期，随着产业规模的扩大和工业技术的提升，专业化分 工的优势逐步显现，于是集成电路制造设备业、材料业逐渐从这些集成电路制造设备业、材料业逐渐从这些 IDMIDM 分离分离
25、，作 为辅助支撑行业发展起来； 设计、制造、封装测试设计、制造、封装测试 业的分离（业的分离（2020 世纪世纪 7070 年年 代至今）代至今） （1 1）封测业兴起：）封测业兴起：20 世纪 70 年代起，行业竞争加剧和封装测试工艺日渐成熟， 集成电路封装测试环节的技术逐渐转移到封装测试的工艺制程、生产管理、设备制 造和原材料技术中；IDM 为专注于核心优势，降低经营风险，逐步将封装测试环节 剥离，专业的封装测试公司开始出现，封测行业率先从产业中独立出来；专业的封装测试公司开始出现，封测行业率先从产业中独立出来； （2 2）设计业兴起：）设计业兴起：20 世纪 80 年代，随着计算机辅助工
26、程（CAE）、辅助设计 （CAD）和工艺模拟、仿真等设计方法的发展，使集成电路设计可独立于生产工艺 进行，同时，顺应产品多元化趋势，大量专业集成电路设计公司应运而生，设计大量专业集成电路设计公司应运而生，设计 业兴起；业兴起； （3 3）制造业兴起：）制造业兴起：20 世纪 80 年代，随着制造工艺水平的提高，集成电路的产线 建设、工艺研发及人才和资本需求不断增加，多数多数 IDMIDM 不愿或无力承担巨额投入不愿或无力承担巨额投入 所带来的风险，于是只专注于集成电路芯片制造的企业兴起；所带来的风险，于是只专注于集成电路芯片制造的企业兴起； （4 4）封测产业转移：）封测产业转移：封装测试业在
27、发展初期，技术和资金门槛较低，需要较多的 人力和土地资源，马来西亚、菲律宾、中国大陆及台湾地区的比较成本优势突出， 且当地政府大力支持和鼓励集成电路产业发展，因此全球集成电路产业的封装测试 环节大量向这些地区转移，亚太地区迅速发展成为全球集成电路封测基地；这些国 家或地区多数以封装测试业为基础，逐步发展设计业和制造业，最终形成三业并举 的格局。 区域区域性性整合整合产业链产业链以避以避 免断链免断链（未来趋势未来趋势） 半导体产业链从全球化分工迈向半导体产业链从全球化分工迈向区域性的区域性的关键链条整合。关键链条整合。在美中贸易战及后疫情 时代，关键核心产业的策略性保护变得更为重要，半导体产业
28、俨然成为科技大国的 必争之地，各国政府纷纷扩大对半导体厂的投资补助，同时，规划在国内形成自主规划在国内形成自主 可控的半导体产业链，确保国家在军工、航太等先进芯片得以保持领先；可控的半导体产业链，确保国家在军工、航太等先进芯片得以保持领先；例如： 美国力邀全球晶圆代工龙头台积电前往美国设厂、中国大陆晶圆代工龙头中芯国际 回归 A 股；半导体制造（晶圆代工）正是产业链中最关键的一环。 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 24 先进制程在逻辑、存储先进制程在逻辑、存储应用带来增量市场应用带来增量市场；成熟制程；成熟制程则则随着物
29、联网、随着物联网、AIAI 等电子等电子 化趋势维持稳定化趋势维持稳定存量需求存量需求。根据 IHS Markit、SUMCO 数据， （1 1）先进制程）先进制程，满足高满足高 端端性能需求性能需求：14nm 及以下的先进制程工艺，例如逻辑芯片(GPA、CPU、FGPA)、存储 芯片(SSD、DRAM)等，受益于智能手机、计算机、云计算、人工智能等终端半导体产 品技术升级，需求快速拉动；这些应用主要采用 12 英寸硅片制造，因此同步带动 12 英寸硅片需求量提升。 （2 2）成熟制程）成熟制程，满足，满足物联网应用的电子化物联网应用的电子化需求需求：28nm 及以上 微米的成熟制程工艺，将受
30、益于物联网和汽车电子为未来几年的持续渗透，成熟工艺 应用的特色芯片中各细分增速平均在 10%至 20%之间：第一、汽车电子增长来源：包 括车载雷达、车载传感器、车载图像识别、电动汽车的电源管理器和功率器件均需要 使用半导体产品。第二、物联网增长来源：包括智能家居、智能工厂、智能支付等终 端产品技术成熟，对于通信芯片、传感器等需求增加。 图 37 2015-2022 年全球晶圆代工市场按照技术节点拆分：先进工艺（14nm 及以 下）的升级和创新推动市场持续增长；成熟工艺市场则维持平稳。 （十亿美元） 资料来源：IHS Markit、华西证券研究所 1 3 6 8 3 6 7 9 9 3 3 5
31、4 4 4 2 7 7 7 6 6 6 7 4 1 1 1 0 0 0 0 10 10 10 9 8 9 9 9 6 7 7 7 6 6 7 7 7 7 7 75 5 5 5 3 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 2 5 5 5 5 4 4 4 4 8 7 8 8 7 7 7 6 1 2 2 2 2 2 2 2 0 10 20 30 40 50 60 70 2001820192020E2021E2022E 3nm5nm7nm10nm16/14/12nm 20/18nm28/22nm45/40nm65/55nm90nm 0.13/0.11m0.18/0
32、.15m0.35/0.25m0.5m 图 38 2019-2022 年全球 12 英寸硅片需求量将从 6 百 万片/月增长至 8 百万片/月(百万片/每月) 图 39 2009-2018 全球逻辑芯片先进制程占比逐渐扩大 （%） 资料来源：SUMCO、华西证券研究所 资料来源：SUMCO、华西证券研究所 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 25 2.2.2.2.技术技术低功耗、耐久性突出。 智能卡、微处理器和物联网应用等 领域。 国内领先 非易失性存非易失性存 储技术平台储技术平台 涵盖
33、24 纳米、38 纳米以及 65 纳 米到 0.18 微米技术节点；具备低 成本，低功耗，高可靠性和高耐久性 等特点。 通信与数据处理、消费电子和工业 电子领域，如记忆卡和 USB 棒、手 机、移动设备、MP3、可穿戴设备、 玩具和游戏、数字电视、监控、智 能仪表、自动化和机器人等领域。 国内领先 混合信号混合信号/ /射射 频技术平台频技术平台 具备深阱 NFET 噪声隔离、低成本 金属电容、无额外光掩模等技术特 点；多阈值电压器件、高密度后段 金属电容。 消费电子、通信、计算机以及物联 网等市场领域。 国内领先 图像传感器图像传感器 技术平台技术平台 前照式工艺的后段介质层减薄以提 高响应
34、度，平台暗电流优化；堆叠 式中针对传感器晶圆的特殊制程优 化，降低暗电流。 智能手机、数码相机、监控/安防/ 医疗成像等领域。 国内领先 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 36 模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合信号/射频、图像传感 器等众多领域，为客户提供通用和定制化的技术解决方案。 图 57 2017-2019 年中芯国际 0.35m-40nm 特色工艺营收稳定（亿元） 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 特色工艺技术平台特色工艺技术平台新产品稳步推进新产品稳步推进，满足新兴应用的技术升级。，满足新
35、兴应用的技术升级。根据中芯国际 招股说明书数据，近年来，随着新兴应用的推陈出新，对除逻辑电路以外的其他集成 电路和半导体器件类型都提出了更高的要求；公司的特色工艺技术同步推进，包括高 清电视、AMOLED 手机等设备上所搭载的愈发强大的显示面板技术，推动静态随机存 储器的存储上限从早期的 10Mb、64Mb 不断演变至目前最先进的 128Mb，驱动着工艺 节点的不断升级，将静态随机存储器的工艺节点从早期的 80 纳米、55 纳米、40 纳 米，升级至目前先进的 28 纳米。高速非易失性存储在市场的驱动下快速演进，其从 最早的 8Mb 快速成长至如今的 48 纳米工艺节点 256Mb。嵌入式非挥
36、发性存储芯片因 广泛应用于汽车电子、消费电子、工业及无线通讯领域中，从 0.18 微米迅速发展到 40 纳米的工艺节点，向着面积更小、速度更快的方向前进。 39.2138.9 34.74 41.56 44.9754.58 3.01 3.93 3.3 23.8515.79 13.26 71.3977.62 77.08 5.94 7.62 8.34 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 201720182019 40/45nm55/65nm90nm0.11/0.13m0.15/0.18m0.25/0.35m 表 16 中芯国际特色工艺技术平台：升级工作和新产品
37、研发项目 研发项目名称研发项目名称 研发目标研发目标 所处所处 阶段阶段 研发研发 模式模式 参与研发参与研发 人员数量人员数量 28 28 纳米射频工艺纳米射频工艺 平台平台 基于 28HKC+平台，优化 0.9/1.8V RF 和 0.9/2.5V RF 平 台， 提供各类射频器件。主要应用于家用网络、RFCMOS 器件、路由器、WIFI、2.4G 芯片、移动端设备通信（信号 接收、发送装置）等毫米波应用。 工艺 优化 自主 研发 约 16 人 28 28 纳米高压显示纳米高压显示 驱动工艺平台驱动工艺平台 基于 28HKC+平台，增加中压和高压器件；与 40 纳米高压 显示驱动工艺平台相
38、比 SRAM 面积缩小 40%（0.127um）， 容量大于 64Mb，为高端显示提供技术解决方案。驱动芯片 主要应用智能手机、液晶电视、笔记本、高端显示器驱动 芯片、柔性显示驱动芯片、娱乐消费电子等产品。 工艺 优化 自主 研发 约 29 人 40 40 纳米高压显示纳米高压显示 驱动工艺平台驱动工艺平台 基于 40 纳米逻辑平台，提供了中压和高压器件，优化高 压显示驱动芯片 SRAM 单元，提供单芯片架构解决方案， SRAM 尺寸 0.19um。主要应用于 TFT-LCD 和 AMOLED 等中 小面板显示技术中。 工艺 优化 自主 研发 约 30 人 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔
39、细阅读在本报告尾部的重要法律声明 37 4.4.产能产能倍增倍增& &研发研发扩扩大大：加速加速打开打开公司公司中长期中长期赶超赶超空间空间 中芯国际中芯国际晶圆代工基地晶圆代工基地位于位于上海、北京、天津、深圳；其中，上海、北京、天津、深圳；其中，三个三个核心核心扩产基扩产基 地包括： （地包括： （1 1）中芯南方中芯南方：为上海合资厂，负责 12 英寸晶圆 14nm 及以下逻辑、存储 等先进制程研发和量产； （2 2）中芯北方：）中芯北方：为北京合资厂，负责 12 英寸晶圆负责 65nm 至 28nm 特色芯片成熟工艺的技术升级和量产； （3 3）中芯天津：）中芯天津：负责 8 英寸晶圆
40、的 0.35m-90nm 制程量产，用于指纹识别、电源管理、汽车电子等特色芯片。 图 58 中芯国际晶圆生产基地分布在上海、北京、天津、深圳 资料来源：中芯国际投资者关系报告、华西证券研究所 高性能高性能 CMOS CMOS 图图 像传感器工艺像传感器工艺 中芯国际携手国内外领先客户，以智能手机、安防、汽车 电 子 等 产 品 为 主 要 目 标 市 场 ， 立 足 于 2MP/5MP/8MP/12MP/48MP/64MP 等手机摄像头芯片、3D 识 别芯片、安防监控芯片等的量产与研发。目前， 中芯国际 CMOS 图像传感研发平台主要有 55 纳米后照式技术 （BSI）、55 纳米图形处理器（
41、ISP）量产，并着重于下一 代 40 纳米/28 纳米 ISP 平台的开发。 工艺 优化 自主 研发 约 28 人 嵌入式闪存平台嵌入式闪存平台 工艺（工艺（eFlasheFlash） 基于量产平台 55 纳米 e-Flash、0.11 微米 MCU、 90/55/40 纳米 MCU，40 纳米尚处研发阶段。主要应用于 物联网、各种智能卡芯片、安全芯片、工业、汽车电子等 领域。这些嵌入式闪存技术提供高性能、低功耗与卓越的 耐久性和资料保存解决方案。 工艺 优化 自主 研发 约 47 人 NOR Flash NOR Flash 存储存储 工艺工艺 提供 55NOR 与 48NOR 代工服务；其中
42、 48NOR 方案比 55NOR 面 积 缩 小 了 22% 。 应 用 市 场 主 要 在 Wi-Fi 、 Bluetooth、车载电子以及家电产品。65 纳米、55 纳米制 程 NOR Flash 的企业用户，是中芯国际主要发展的战略客 户。中芯国际将把 NOR 做到大容量、高质量，已有 65 纳 米 NOR、55 纳米 NOR 量产，目前着重于下一代 48 纳米 NOR 平台的开发。 工艺 优化 自主 研发 约 35 人 资料来源：中芯国际、华西证券研究所 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 38 三大基地密集扩产三大基地密集扩产，可望驱动新一轮营收增长
43、。可望驱动新一轮营收增长。根据中芯国际年报说明会、中 芯国际投资者关系报告、中芯国际招股说明书讯息和数据， （1 1）2020Q12020Q1 至至 2020Q42020Q4， 公司晶圆产出公司晶圆产出总总面积可望提升面积可望提升 15.5%15.5%；截至 2020Q1，公司晶圆总产能为 476K/月（8 英寸约当产能） ；按照公司规划产能测算，预计至 2020Q4 将达到 550K/月（8 英寸约 当产能） ，产能提升来自三大基地的快速扩产。 （2 2）中芯南方）中芯南方 1212 英寸晶圆先进制程英寸晶圆先进制程 14nm14nm 及以下扩产规划及以下扩产规划，月产能月产能从从 4K4K
44、 增长至增长至 3 35 5K K：截至 2020 年 6 月，公司 14nm 及以 下月产能为 6K，预计 2020Q4 将扩张至 15K 片；至 2021 年将转向导入新一代 N+1 制 程（约同业 10nm） ；2022 年目标量产 N+2 制程（预测约为同业 7nm） ，N+1/N+2 合计月 产能为 20K。因此，公司未来三年目标规划为 14nm 及以下先进制程月产能为 35K。 （3 3）中芯北方）中芯北方 1212 英寸晶圆成熟制程英寸晶圆成熟制程 65nm65nm- -24nm24nm 扩产规划，扩产规划，月月产能产能从从 50K50K 增长至增长至 60K60K 片。片。20
45、19Q4 中芯北方预计新增月产能 20K，截至 2020Q1 已经从 40K 扩张至 50K，预 计 2021 年前将持续扩张至每月 60K。 （4 4）中芯天津）中芯天津 8 8 英寸晶圆成熟制程扩产规划英寸晶圆成熟制程扩产规划, ,月月 产能从产能从 63K63K 增长至增长至 150K150K。至 2020 年，公司规划天津、上海、深圳三个 8 英寸产月产 能将新增 30K：其中，天津厂 2018 年底起开始推动扩产项目，预计目标建成 8 英寸 晶圆月产能 150K，将成为全球单体规模最大的 8 英寸集成电路生产基地。 图 59 截至 2020Q1 中芯国际共有 8 英寸和 12 英寸合
46、计 7 条产线，总产能约当 8 英寸 47.6 万片/月 图 60 中芯南方、中芯北方、中芯天津为公司三大扩产 基地，产能均规划有明显提升 资料来源：中芯国际投资者关系报告、华西证券研究所 资料来源：中芯国际投资者关系报告、华西证券研究所 表 17 中芯国际旗下产线未来三年扩产规划：我们测算，中芯南方 12 英寸将扩产至 3 万 5 千片/月，其中 2020 年底达到 1 万 5 千片/月；中芯北方 12 英寸将扩产至 6 万片/月；中芯天津将扩产至 15 万片/月 企业主体企业主体 产线尺寸产线尺寸 技术节点技术节点 2019Q12019Q1 2019Q22019Q2 2019Q32019Q
47、3 2019Q42019Q4 2020Q12020Q1 规划目标规划目标 中芯上海中芯上海 8 英寸 0.35m-90nm 112,000 115,000 112,000 115,000 115,000 115,000 12 英寸 14nm 及以下 10,000 8,000 8,000 2,000 2,000 2,000 中芯北京中芯北京 12 英寸 0.18m-55nm 47,000 50,000 50,000 52,000 52,000 52,000 中芯天津中芯天津 8 英寸 0.35m-90nm 58,000 57,000 58,000 58,000 63,000 15,000 中芯深
48、圳中芯深圳 8 英寸 0.35m-0.15m 45,000 50,000 52,000 55,000 55,000 55,000 12 英寸 - 3,000 3,000 3,000 - - - 中芯北方中芯北方 （合资）（合资） 12 英寸 65nm-24nm 33,000 36,000 37,600 41,000 50,000 6,000 中芯南方中芯南方 （合资）（合资） 12 英寸 14nm 及以下 - - - 3,000 4,000 35,000 合计合计约约当当 8 8 英寸英寸 424,250 440,250 440,250 443,850 448,500 资料来源：中芯国际投资者关系报告、华西证券研究所 证券研究报告|公司深度研究报告 请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 39 14n14nm m 进入进入量产量产后后产能利用率接近满载，收入产能利用率接近满载，收入增长增长可望同步产能放量。可望同步产能放量。根据中芯 国际年报信息， （1 1）公司产能利用率达）公司产能利用率达 9999%,%,已经接近满载：已经接近满载：2019 下半年起，公司产 能利用率逐步上升，接近 99%的水平，整体产能接近满载； ( (2)2)14nm14nm FinFETFinFET 先进制先进制 程量产程量产和和扩产扩产同步
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