1、 公司公司报告报告 | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 1 东微半导东微半导（688261） 证券证券研究报告研究报告 2022 年年 02 月月 20 日日 投资投资评级评级 行业行业 电子/半导体 6 个月评级个月评级 买入（首次评级） 当前当前价格价格 157.82 元 目标目标价格价格 224.4 元 基本基本数据数据 A 股总股本(百万股) 67.38 流通A 股股本(百万股) 14.25 A 股总市值(百万元) 10,633.34 流通A 股市值(百万元) 2,248.81 每股净资产(元) 10.13 资产负债率(%) 9.22 一年内最高/最低
2、(元) 160.88/121.10 资料来源：聚源数据 相关报告相关报告 股价股价走势走势 功率技术持续创新，打开中高压蓝海市场功率技术持续创新，打开中高压蓝海市场 募资提升企业竞争力，加码进军募资提升企业竞争力，加码进军 IGBT、超级硅蓝海市场。、超级硅蓝海市场。 2021 年 2 月 9 日公司发布发行结果公告， 本次发行募集资金总额 218,973.20 万元，扣除发行费用后募集资金净额 200,655.66 万元，发行股票数量 1684.4092 万股。募投项目产品技术组件依托于公司现有核心技术， 是当前技术于前沿技术领域的进一步拓展及延伸，助力公司纵向深耕超级结功率器件领域、横向拓
3、展丰富产品线，总建设周期为 3 年。 项目建成之后预计进一步深化巩固公司超级结领域地位；有望实现车规级 IGBT 及 12 英寸先进制程 IGBT 产品系列的研发和产业化，新一代超级硅产品的迭代及产业化。 功率半导体下游应用广泛，国产替代空间大。功率半导体下游应用广泛，国产替代空间大。 随着国民经济的持续发展， 功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，国内市场规模呈现稳健增长态势。其中 MOSFET 器件在下游的消费电子、通信、工业控制、汽车电子等领域占据了主要的市场份额，下游应用不断拓宽。与此同时，全球 MOSFET 器件市场基本被海外
4、厂商占据，2019 年前十大公司市场占有率达到 74.42%，国产替代具有广阔的发展空间。 东微半导体突破海外垄断，细分市场处国内领先地位东微半导体突破海外垄断，细分市场处国内领先地位。 公司在全球 MOSFET 功率器件市场份额中位列中国本土企业前十。公司为国内领先的高性能功率器件厂商之一，是国内最早能在超级结 MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土公司之一，东微半导体 2020 年实现的高压超级结与超级硅产品合计的销售收入约为 2.5 亿元，占全球高压超级结市场的份额为 3.8%，占中国高压超级结市场的份额经估算约为 8.6%。在国内同样实现高压超级结产品销售并披露销售数据的公司中居首位
5、， 与可比公司已有明显身位优势，在此细分市场占有率方面具有一定的优势。 创新产品超级硅性能对标氮化镓，有望成为第二成长曲线。创新产品超级硅性能对标氮化镓，有望成为第二成长曲线。 公司的超级硅 MOSFET 拥有高速开关以及低动态损耗的特性， 在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，但生产成本更低仅为同效率氮化镓器件的 20%，公司产品经过市场验证后预计会逐渐放量成为公司在消费领域的第二增长曲线。 投资建议投资建议：我们预计公司 20212023 年归母净利润分别为 1.43、2.02、3.01 亿元。根据 wind
6、一致性预测，参考可比公司 22 年平均 PE 为 76.7 倍，给予公司 75 倍 PE对应公司 22 年净利，市值为 151.2 亿元，对应目标价格 224.4 元/股，首次覆盖给予买入评级。 风险风险提示提示：下游需求波动风险、产品结构单一的风险、新产品研发不及预期的风险、短期内股价波动风险、市场竞争风险、供应商集中度较高的风险 财务数据和估值财务数据和估值 2019 2020 2021E 2022E 2023E 营业收入(百万元) 196.05 308.79 781.42 1,118.49 1,594.40 增长率(%) 28.22 57.51 153.06 43.14 42.55 EB
7、ITDA(百万元) 21.82 47.50 163.27 231.03 339.01 净利润(百万元) 9.11 27.68 142.74 201.60 301.20 增长率(%) (29.78) 203.88 415.61 41.24 49.40 EPS(元/股) 0.14 0.41 2.82 2.99 4.47 市盈率(P/E) 1,167.21 384.11 55.87 52.75 35.31 市净率(P/B) 66.07 25.38 14.20 10.84 8.29 市销率(P/S) 54.24 34.44 10.21 9.51 6.67 EV/EBITDA 0.00 0.00 47.
8、91 43.97 29.79 资料来源：wind，天风证券研究所 -19%-9%1%11%21%31%41%51%-062021-10东微半导半导体沪深300 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 2 内容目录内容目录 1. 深耕功率器件专注创新，下游应用需求推动业绩持续向上深耕功率器件专注创新，下游应用需求推动业绩持续向上 . 4 1.1. 专注功率器件创新研发，科研成果落地有望推动公司快速发展 . 4 1.2. 公司下游覆盖新能源新型需求，创新产品量产开启公司新一轮成长 . 4 1.3. 创始团队深耕功率半导体研发
9、，产业基金参股看好公司未来发展 . 7 1.4. 下游应用需求增长+增加研发投入有望带动公司业绩持续向上 . 8 2. 功率器件下游应用广泛，国产替代空间大功率器件下游应用广泛，国产替代空间大 . 10 2.1. 全球功率半导体市场空间近 460 亿美元，MOSFET 应用地位显著 . 10 2.2. MOSFET 国产替代空间大，国内企业在细分赛道具备优势 . 11 3. 公司发挥功率器件创新技术优势，产品持续拓展公司发挥功率器件创新技术优势，产品持续拓展 . 12 3.1. 围绕功率器件进行技术储备，科研成果形成核心竞争力 . 12 3.2. 超级结 MOSFET 受益汽车电动化、高性能充
10、电器等需求快速发展。 . 14 3.3. 超级硅 MOSFET 性能对标氮化镓器件，有望开启第二增长曲线 . 16 3.4. TGBT 、Hybrid-FET 等创新型器件持续推动产业化，未来发展可期 . 17 4. 投资建议投资建议 . 17 5. 风险提示风险提示 . 18 图表目录图表目录 图 1：公司技术与产品发展历程 . 4 图 2：公司高压 GreenMos 全系列及各系列开关特性 . 5 图 3：公司中低压产品应用（电机驱动）系统原理图 . 5 图 4：公司超级硅功率器件对比传统氮化镓功率器件 . 6 图 5：公司国内外各领域终端用户 . 7 图 6：公司股权结构（2022 年
11、2 月） . 7 图 7：营业收入及同比增速（单位：亿元） . 8 图 8：归母净利润及同比增速（单位：亿元） . 8 图 9：毛利率和销售净利润率 . 9 图 10：四项费用率 . 9 图 11：研发投入（单位：亿元） . 9 图 12：研发人员（人数）. 9 图 13：全球功率半导体及分立器件市场规模（单位：亿美元） . 10 图 14：2019 年全球、中国功率分立器件占比 . 10 图 15：全球及中国 MOSFET 器件市场规模及增速（单位：亿美元） . 11 图 16：2019 全球 MOSFET 器件市占比 . 11 图 17：2019 中国 MOSFET 器件市占比 . 11
12、图 18：已立项技术 . 13 图 19：公司超级结 MOSFET 充电桩应用电路图及相关产品技术特点 . 15 eWbWyXlYkWcXyXqRmNoO8O9RbRmOoOpNtRjMrRtRkPtRpO7NpPyRwMsQpMMYmMrP 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 3 图 20：公司超级硅 MOSFET 具成本优势 . 16 图 21：公司超级硅 MOSFET 具有更高的功率密度 . 16 表 1：公司主要产品品类、规格、应用场景及技术特点 . 6 表 2：公司核心技术人员，从业经历丰富 . 8 表 3：国内主要竞争对手技术
13、特点及产品 . 12 表 4：东微半导体主要核心技术 . 12 表 5：GreenMOS 高压超级结功率器件的各系列特点 . 14 表 6：国内主要竞争对手技术特点及产品 . 15 表 7：国内主要竞争对手技术特点及产品 . 17 表 8：主营业务拆分预测（亿元） . 17 表 9：可比公司 . 18 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 4 1. 深耕功率器件专注创新，下游应用需求推动业绩持续向上深耕功率器件专注创新，下游应用需求推动业绩持续向上 1.1. 专注功率器件创新研发，科研成果落地有望推动公司快速发展专注功率器件创新研发，科研成
14、果落地有望推动公司快速发展 深耕功率器件研发，技术多年积累成为核心竞争力。深耕功率器件研发，技术多年积累成为核心竞争力。东微半导体成立于 2008 年，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司专注半导体器件技术创新，拥有多项半导体器件核心专利，已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一。自设立以来，公司采用 Fabless 运营模式，专注于功率器件的研发与销售，基于多年的技术积累和研发投入推动业务持续发展。 1 1）专注功率器件创新设计研发（）专注功率器件创新设计研发（2 2008008- -20132013 年）：年）：2008
15、 年公司成立之初专注于半导体器件结构和工艺的创新和研发； 2012 年制造出世界上首个半浮栅晶体管 （Semi-Floating Gate Transistor），可用于新型存储器，感光器件及功率器件等应用，该半浮栅器件技术论文并于 2013 年在美国科学期刊上正式发表。 2 2）科研成果产业化落地，自主研发产品实现量产（）科研成果产业化落地，自主研发产品实现量产（2 2014014- -20182018 年）：年）：2014 年开始量产国产化超级结系列高压大功率 MOSFET，成为国内工业级大功率系列高压 MOSFET 的供应商；2016 年 4 月，公司推出的 GreenMOS 系列超级结
16、 MOSFET 产品，打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位；同年公司原创结构的 SFGMOS 实现量产，进入到新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域。 3 3) ) 下游应用需求增长下游应用需求增长+ +国产体替代，有望推动业绩快速增长（国产体替代，有望推动业绩快速增长（2 2019019 年年- -至今）：至今）：2018 年以来，公司下游由于产品终端需求增长、国产替代持续推进等因素，进一步提高了产品的竞争力，丰富了产品结构，有望带动业绩持续增长。 图图 1：公司技术与产品发展历程公司技术与产品发展历程 资料来源：公司招股书，天风证券研究所 1.2. 公司下游覆盖新能源新型需求
17、，创新产品量产开启公司新一轮成长公司下游覆盖新能源新型需求，创新产品量产开启公司新一轮成长 公司主要产品包含公司主要产品包含 MOSFET 与与 IGBT，主要应用领域覆盖消费、工业、通信等。，主要应用领域覆盖消费、工业、通信等。公司工业级应用的收入主要来自各类工业及通信电源、新能源汽车充电桩和大功率照明电源领域等，各期收入占比在主营业务收入的 50%左右。消费类应用的收入主要来自消费电子设备和显示器电源领域等，各期收入占比在主营业务收入 30%左右。2019 年公司成为主要工业客户供应商后，开始向消费类市场开拓。 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披
18、露和免责申明 5 高压超级结高压超级结 MOSFET：产品具备动态损耗低、可靠性高等优势。：产品具备动态损耗低、可靠性高等优势。2020 年公司高压超级结MOSFET 占整体营收比例 80.66%，为主营产品。高压 MOSFET 功率器件通常指工作电压为400V 以上的 MOSFET 功率器件，通常包括平面型及超级结型。公司的高压 MOSFET 产品全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。在节能减碳的大趋势下，电源系统正追求小型化，高效化，公司 GreenMOS 系列高压超级结产品基于其高效率低阻抗的特点， 特别适用于直流大功率新能源汽车充电桩、 新能源、5
19、G 等应用领域。 图图 2 2：公司高压：公司高压 GreenMosGreenMos 全系列及各系列开关特性全系列及各系列开关特性 资料来源：公司官网、天风证券研究所 中低压屏蔽栅中低压屏蔽栅 MOSFET：适用于低电压的应用场景，具备稳定性、可靠性等优势。：适用于低电压的应用场景，具备稳定性、可靠性等优势。2020年公司中低压超级结 MOSFET 占整体营收比例 19.21%。中低压 MOSFET 功率器件通常指工作电压为 10V-300V 之间的 MOSFET 功率器件，更加适用于低电压的应用场景，应用于如电动工具、 智能机器人、 无人机等领域。 公司中低压 MOSFET 产品均采用屏蔽栅
20、结构，主要包括 SFGMOS 产品系列以及 FSMOS 产品系列。其中，SFGMOS 产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。 图图 3：公司中低压产品应用（电机驱动）系统原理图：公司中低压产品应用（电机驱动）系统原理图 资料来源：公司官网，天风证券研究所 超级硅超级硅 MOSFET：自主研发对标氮化镓功率器件的创新型产品，目前已进入量产阶段。：自主研发对标氮化镓功率器件的创新型产品，目前已进入量产阶段。超级硅 MOSFET 产品是公司自主研发、 性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅
21、基 MOSFET 产品，目前已有 18 种型号进入量产。公司的超级硅 MOSFET 采用硅基材料，具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞争优势，特别适用于高密度电源系统，如 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 6 新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器等领域。 图图 4：公司超级硅功率器件对比传统氮化镓功率器件：公司超级硅功率器件对比传统氮化镓功率器件 资料来源：公司官网、天风证券研究所 TGBT：自主研发：自主研发 IGBT 创新型器件结构，目前已进入量产阶段。创新型器件
22、结构，目前已进入量产阶段。IGBT 全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管 BJT 和 MOSFET 组成的复合全控型电压驱动式功率器件。公司的 IGBT 产品采用具有独立知识产权的 TGBT 器件结构，是一种区别于国际主流 IGBT 的创新型器件结构，目前达到可量产水平的产品规格共有 18 种，工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖 15A-120A。 表 1：公司主要产品品类、规格、应用场景及技术特点 主营业务主营业务 产品品类产品品类 产品示意图产品示意图 产品规格数产品规格数量（个）量（个） 应用领域应用领域 技术特点技术特点 MOSFET 高压超级结 MOSFET 997
23、 工业级：工业级：新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载充电器、5G 基站电源及通信 电源、数据中心服务器电源、工业 照明电源、光伏逆变器等 消费级：消费级：PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器等 低导通电阻、 低栅极电荷、 静态与动态损耗低 中低压屏蔽 栅MOSFET 526 工业级：工业级：电动工具、智能机器人、无人机、新能源汽车电机控制、逆变器、UPS 电源、动力电池保护板、高密度电源等 消费级消费级: :移动电源、适配器、数码类锂电池保护板、多口 USB 充电器、手机快速充电器、PC 电源等 特征导通电阻低， 开关速度快，动态损耗低 超级硅 MOSFET 19 工业级：工业级
24、：新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源等 消费级：消费级：快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC 适配器、TV 电源板等 极快的开关速 度与极低的动 态损耗 IGBT Tri-gate IGBT 38 工业级：工业级：新能源汽车充电桩、变频器、逆变 器、电机驱动、电焊机、太阳能、 UPS 电源等 消费级：消费级：电磁加热等 大电流密度， 开关损耗低，可靠性高，具有自保护特点 资料来源：公司官网、公司招股书、天风证券研究所 应用领域不断外拓， 客户覆盖国内主流品牌。应用领域不断外拓， 客户覆盖国内主流品牌。 公司产品需要通过较为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方将形成
25、长期稳定的合作关系。作为国内高性能 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 7 功率器件的优质供货商，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户，在汽车应用领域中， 新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如英飞源、 英可瑞、 特锐德、 永联科技等，5G 基站电源及通信电源领域的终端用户如华为、维谛技术、麦格米特等，以及工业电源领域的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等；在消费电子领域中，公司积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。 图图 5 5：公司国内外各领域终端用户：公司国内外各领域终端用户 资料来源：公司招
26、股书、天风证券研究所 1.3. 创始团队深耕功率半导体研发，产业基金参股看好公司未来发展创始团队深耕功率半导体研发，产业基金参股看好公司未来发展 产业股东产业股东+员工持股平台，助力公司业务持续发展。员工持股平台，助力公司业务持续发展。截至 2022 年 2 月，创始人王鹏飞直接持股 12.07%；创始人龚轶直接控股 9.96%。公司于 2018 年、2019 年对部分核心员工实施了三次股权激励，部分核心员工通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司权益。此外， 产业基金看好公司发展前景， 由大基金占股45.09%的聚源聚芯产业基金目前占股7.46%；由华为 100%控股的哈勃投资于 2020
27、 年 7 月 7 日入股，目前占总股本 4.94%。 图图 6 6：公司股权结构（：公司股权结构（2 2022022 年年 2 2 月）月） 资料来源：Wind，天风证券研究所 创始团队深耕半导体研发，具备海外背景经验丰富创始团队深耕半导体研发，具备海外背景经验丰富。公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系，公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘数十年，在不同的技术方向具有丰富的研发经验，并对行业的技术发展具备创新能力，对行业未来发展趋势具有前瞻性。 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 8 表表 2 2：公司核
28、心技术人员，从业经历丰富：公司核心技术人员，从业经历丰富 核心人员核心人员 职务职务 经历经历 龚轶龚轶 董事长兼总经理董事长兼总经理 硕士毕业于英国纽卡斯尔大学，曾担任美国超微半导体公司工程部工程师；德国英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门技术专家；并于 2008 年，与王鹏飞共同创办东微有限；现担任东微半导体董事长兼总经理。 王鹏飞王鹏飞 董事、首席技术官董事、首席技术官 博士毕业于德国慕尼黑工业大学，曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师；德国奇梦达公司（QimondaAG）技术创新和集成部门研发工程师；复旦大学微电子学院教授，现担任东微半导体首席技术官。 卢万松 董事、副总经理 硕士毕
29、业于上海交通大学安泰管理学院，曾担任泰瑞达采购部采购经理；施耐德自动化控制系统有限公司采购部采购经理；霍尼韦尔采购部全球采购经理；现任东微半导体副总经理。 刘磊 研发总监 硕士毕业于安徽大学电路与系统学院，曾担任华润上华半导体科技技术转移部工艺整合工程师；现任东微半导体研发部研发总监。 刘伟 监事会主席兼 资深研发工程师 本科毕业于南京邮电大学微电子学专业，曾担任东莞奇力新电子有限公司研发部工程师；苏州可胜科技有限公司研发部助理工程师；现任东微半导体研发部资深研发工程师兼任东微半导体职工代表监事、监事会主席。 毛振东 资深研发工程师 硕士毕业于中国科学院大学集成电路设计学院，曾担任华晶电子集团
30、有限公司扩散部工程师；华润上华科技有限公司技术开发部工程师；苏州硅能半导体科技股份有限公司研发部工程师；现任东微半导体资深研发工程师。 资料来源：公司招股说明书，天风证券研究所 1.4. 下游应用需求增长下游应用需求增长+增加研发投入有望带动公司业绩持续向上增加研发投入有望带动公司业绩持续向上 受益于新能源、通信等应用需求增长，公司业务快速发展。受益于新能源、通信等应用需求增长，公司业务快速发展。公司 2018、2019、2020、2021前三季度主营业务收入分别为 1.53 亿元、1.96 亿元、3.09 亿元以及 5.59 亿元，保持持续快速增长；归属于母公司净利润分别为 0.13 亿元、
31、0.09 亿元、0.28 亿元以及 0.93 亿元。期间内公司业绩的持续增长主要系受下游终端需求增长、进口替代等因素影响。此外 2021 年 1-9 月公司营业收入分为 5.59 亿，同比增长为 183.11%，增长较快主要系受益于新能源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求快速提升。 图图 7 7：营业收入及同比增速（单位：亿元）：营业收入及同比增速（单位：亿元） 图图 8 8：归母净利润及同比增速（单位：亿元）：归母净利润及同比增速（单位：亿元） 资料来源：wind，天风证券研究所 资料来源：wind，天风证券研究所 1.531.963.095.5928.10%57.65%183.
32、11%0.00%20.00%40.00%60.00%80.00%100.00%120.00%140.00%160.00%180.00%200.00%0.001.002.003.004.005.006.00营业总收入YoY0.130.090.280.93-30.77%211.11%504.34%-100.00%0.00%100.00%200.00%300.00%400.00%500.00%600.00%0.000.200.400.600.801.00归属母公司股东的净利润YoY 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 9 产品结构持续优化，盈利
33、能力稳步向上。产品结构持续优化，盈利能力稳步向上。公司 2018、2019、2020、2021 前三季度的综合毛利率分别为 26.38%、14.93%、17.85%和 28.62%，波动较大，主要系产品以大功率芯片为主，其成本中晶圆原材料的成本占比较高，因此晶圆代工市场短期供需关系变动对公司的影响较大，上游晶圆代工价格出现较大波动，导致公司综合毛利率相应发生较大波动。由于公司主要产品为工业级应用且对功率半导体产品的性能和稳定性要求普遍高于消费级应用，其产品单价也较消费级应用的产品单价更高。2019 年中国 MOSFET 功率器件平均销售价格为 1.04 元/颗，全球价格为 1.25 元/颗。相
34、比之下，公司 2019 年度功率器件成品的整体平均销售价格为 2.19 元/颗，其中高压超级结 MOSFET 器件成品平均销售价格为2.36 元/颗。 图图 9 9：毛利率和销售净利润率：毛利率和销售净利润率 图图 1010：四项费用率：四项费用率 资料来源：wind，天风证券研究所 资料来源：wind，天风证券研究所 研发持续投入，技术型定位明确。研发持续投入，技术型定位明确。2018、2019、2020、2021 前三季度公司研发支出分别为0.16、0.12、0.16、0.29 亿元，研发投入整体保持稳定，随 2021 业绩攀升加大投入。截至2021 年 6 月 30 日，公司已获授权的专
35、利 53 项，包括境内专利 38 项，其中发明专利 37 项、实用新型专利 1 项，以及境外专利 15 项。公司在主要产品方面均已具备了国内领先的核心技术， 并在核心技术的基础上实现了高压超级结 MOSFET、 中低压屏蔽栅 MOSFET 产品的量产与销售。公司的高压超级结 MOSFET 产品运用了包括电容缓变技术、超低栅极电荷等行业领先的核心技术，使关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。 图图 1111：研发投入（单位：亿元）：研发投入（单位：亿元） 图图 1212：研发人员（人数）：研发人员（人数） 资料来源：Wind、天风证券研究所 资料来源：Wind、天风证券研究所 26.38%
36、14.93%17.85%28.62%8.49%4.65%8.97%16.59%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%20021前三季度销售毛利率(%)销售净利率(%)0.160.120.160.29-0.100.000.100.200.300.4020021前三季度销售费用管理费用研发费用财务费用0.160.120.160.290.000.050.100.150.200.250.300.3520021前三季度研发支出5202530201820192020
37、研发人员 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 10 2. 功率器件下游应用广泛，国产替代空间大功率器件下游应用广泛，国产替代空间大 2.1. 全球功率半导体市场空间近全球功率半导体市场空间近 460460 亿美元，亿美元，MOSFETMOSFET 应用地位显著应用地位显著 2021 年全球功率半导体市场规模接近年全球功率半导体市场规模接近 460 亿美元。亿美元。功率半导体分为功率 IC 和功率分立器件，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。
38、同时，随着国民经济的快速发展， 功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、 轨道交通、智能电网、 变频家电等诸多市场， 国内市场规模呈现稳健增长态势。 根据 Omdia 数据， 2019年全球功率半导体行业规模达到 464 亿美元，较 2018 年下降 3.5%，整体市场依旧呈现一定波动性。所有品类中，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间大。 图图 13：全球功率半导体及分立器件市场规模（单位：亿美元）全球功率半
39、导体及分立器件市场规模（单位：亿美元） 资料来源：Omdia，招股说明书，天风证券研究所 功率器件中功率器件中 MOSFET 占比超过占比超过 50%，开关速度快，开关速度快+损耗低主要应用在中小功率场景。损耗低主要应用在中小功率场景。MOSFET全球市场份额达到 52.51%； IGBT 为第三大产品， 2019 年全球市场份额达到9.99%。中国市场中， MOSFET、 IGBT 占2019年中国功率分立器件市场份额分别为53.98%与9.77%，总体比例与全球市场的情况基本一致。MOSFET 主要应用于中小功率场合如电脑电源、家用电器、工业电源、充电桩等，具有门极输入阻抗高、驱动功率小、
40、电流关断能力强、开关速度快、开关损耗小等优点。 图图 1414：2 2019019 年全球、中国功率分立器件占比年全球、中国功率分立器件占比 资料来源：Omdia，招股说明书，天风证券研究所 4459486711531569.1%-3.5%-7.1%6.5%4.8%4.4%4.0%13.6%-4.2%-10.6%2.8%2.7%1.3%2.0%-15.00%-10.00%-5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%0050060020020E2021E2022E2023E2
41、024E全球功率半导体市场规模全球功率分立器件市场规模增长率增长率 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 11 2020 年全球年全球 MOSFET 市场规模近市场规模近 75 亿美元， 随增新能源应用需求持续增长。亿美元， 随增新能源应用需求持续增长。 根据 Omdia的统计，2019 年全球 MOSFET 器件市场需求规模达到 84.20 亿美元，受疫情影响，2020 预计市场规模下降至 73.88 亿美元，但预计未来全球 MOSFET 器件市场将继续保持平稳回增。2019 年我国 MOSFET 器件市场规模为 33.42 亿美元，20
42、17 年-2019 年复合年均增长率为 7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C 接口的持续渗透持续带动 MOSFET 器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET 器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。 图图 15：全球及中国全球及中国 MOSFETMOSFET 器件市场规模及增速（单位：亿美元）器件市场规模及增速（单位：亿美
43、元） 资料来源：招股说明书，天风证券研究所 2.2. MOSFET 国产替代空间大，国内企业在细分赛道具备优势国产替代空间大，国内企业在细分赛道具备优势 MOSFET 全球市场主要被海外厂商垄断，国产替代空间大。全球市场主要被海外厂商垄断，国产替代空间大。2019 年全球 MOSFET 器件市场需求规模达到 84.20 亿美元， 根据 Omdia， 受疫情影响 2020 预计市场规模下降至 73.88 亿美元，但预计未来全球 MOSFET 器件市场将继续保持平稳回增。全球 MOSFET 器件市场基本被海外厂商占据，英飞凌排名第一，市场占有率达到 24.79%，前十大公司市场占有率达到 74.4
44、2%，海外厂商优势明显。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比 3.93%、3.09%和 1.80%。 图图 1616：2 2019019 全球全球 MOSFETMOSFET 器件市占比器件市占比 图图 1717：2 2019019 中国中国 MOSFETMOSFET 器件市占比器件市占比 资料来源：招股说明书，天风证券研究所 资料来源：招股说明书，天风证券研究所 72.8984.6184.273.8876.0476.9976.6577.0228.7133.6633.4229.5330.430.4829.9329.7-15.00%-10.
45、00%-5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%0070809020020E2021E2022E2023E2024E全球MOSFET器件市场规模中国MOSFET器件市场规模增长率增长率1.8%3.1%3.9%4.1%4.5%5.4%6.3%8.9%11.6%24.8%0.0%10.0%20.0%30.0%扬杰科技华润微电子安世半导体万代半导体威世半导体瑞萨电子东芝意法半导体安森美英飞凌2.9%3.3%3.3%4.1%4.2%4.8%4.8%5.4%16.8%25.0%0.0%10.0%20.0%30.0%吉林华微电子安世半导
46、体扬杰科技瑞萨电子万代半导体意法半导体华润微电子东芝安森美英飞凌 公司报告公司报告 | | 首次覆盖报告首次覆盖报告 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 12 东微半导体突破海外垄断，在细分产品市场中处于国内领先。东微半导体突破海外垄断，在细分产品市场中处于国内领先。市场份额方面，公司在全球MOSFET 功率器件市场份额中位列中国本土企业前十。 根据 Omdia 统计报告， 2019 年全球 MOSFET 销售额为 84.20 亿美元，销售额排名前列的均为海外 MOSFET 厂商；在中国本土厂商中，2019 年公司的 MOSFET 销售收入位列第七位。公司为国内领先的高性能功率器件厂商之一
47、， 是少数能在超级结 MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土公司之一， 根据 Omdia，东微半导体 2020 年实现的高压超级结与超级硅产品合计的销售收入约为 2.5 亿元， 占全球高压超级结市场的份额为 3.8%， 占中国高压超级结市场的份额经估算约为 8.6%。同样实现高压超级结产品销售并披露销售数据的公司包括新洁能和龙腾半导体，在该产品上 2019 年新洁能全球及中国市场占有率分别为 1.7%、3.8%；2020 年龙腾半导体高压超级结 MOSFET 全球、中国市场占有率分别为 0.7%、1.6%。与新洁能以及龙腾相比，东微半导体更加专注于高压超级结 MOSFET 产品，在此细分市场
48、占有率方面具有一定的优势。 表表 3 3：国内主要竞争对手技术特点及产品：国内主要竞争对手技术特点及产品 公司公司 2 2020020 营收（亿元）营收（亿元） 经营模式经营模式 技术特点技术特点 华润微电子 69.77 IDM 模式为主 其产品包括-100V 至 1500V 范围内低、中、高压全系列MOSFET， 生产的器件包括沟槽栅MOS、 平面栅VDMOS 及超结 MOS 等 扬杰科技 26.17 IDM、Fabless 并行 专业从事二极管系列产品，包括快恢复二极管、齐纳二极管、整流桥等，目前正逐步开发自己的 MOSFET 产品。 华微电子 17.19 IDM 模式 其产品主要为功率半
49、导体，主要包括二极管、三极管、双极型功率晶体管、MOSFET 和 IGBT。 新洁能 9.55 Fabless 模式为主 主要产品包括沟槽型功率MOSFET、 超结功率MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和 IGBT 等。 士兰微 42.81 IDM 模式 产品主要包括集成电路和功率半导体，功率半导体产品主要为功率集成电路、 二极管、 三极管、 MOSFET、 IGBT 等。 东微半导体 3.09 Fabless 高压超级结 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET、IGBT 等高性能功率半导体器件 资料来源：公司招股说明书，天风证券研究所 3. 公司发挥功率器件创新技术优势，产品持续拓展公司发
50、挥功率器件创新技术优势，产品持续拓展 3.1. 围绕功率器件进行技术储备，科研成果形成核心竞争力围绕功率器件进行技术储备，科研成果形成核心竞争力 自主研发不断突破，形成功率半导体自主知识产权的核心技术。自主研发不断突破，形成功率半导体自主知识产权的核心技术。东微半导体作为一家技术驱动型企业基于多年的技术积累和研发投入，在功率半导体器件领域拥有了强大自主研发能力并形成了多项专利。截至 2021 年 6 月 30 日，公司已获授权的专利 53 项，包括境内专利 38 项， 其中发明专利 37 项、 实用新型专利 1 项， 以及境外专利 15 项。 2017 年，公司获得苏州市超级结功率器件工程技术
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