800V 电压下,换装 SiC 技术有助于功率密度和效率的提升。在高压平台下,更高的开关频率和更高的电压摆幅率(dv/dt)降低了电机的谐波损耗,提高了系统效率。但当前SiC成本仍然较高,比同功率的 Si IGBT模块高出 3000元左右(150kW,500Arms为例)。随着成本下降和产能提升,据 NE 时代数据,我国新能源乘用车市场的 SiC 渗透率预计将在 2028 年达到 40%,同时专为 SiC 开发的封装形式将逐渐成熟,传统 HPD 封装份额可能逐渐下滑,晶圆也从完全依赖海外到本土产品开始有所应用。从产品结构来看,增长最快的将是 800V SiC,其次是主要用于 800V 四驱车辆的辅驱 800V IGBT,400V SiC的份额将先有所增加,然后开始下降。
800V 电压下,换装 SiC 技术有助于功率密度和效率的提升。在高压平台下,更高的开关频率和更高的电压摆幅率(dv/dt)降低了电机的谐波损耗,提高了系统效率。但当前SiC成本仍然较高,比同功率的 Si IGBT模块高出 3000元左右(150kW,500Arms为例)。随着成本下降和产能提升,据 NE 时代数据,我国新能源乘用车市场的 SiC 渗透率预计将在 2028 年达到 40%,同时专为 SiC 开发的封装形式将逐渐成熟,传统 HPD 封装份额可能逐渐下滑,晶圆也从完全依赖海外到本土产品开始有所应用。从产品结构来看,增长最快的将是 800V SiC,其次是主要用于 800V 四驱车辆的辅驱 800V IGBT,400V SiC的份额将先有所增加,然后开始下降。