SiC器件市场份额（2022年） 原图定位

SiC产业链主要包括衬底、外延、器件制造（设计、制造、封测）三大环节，国外企业在各环节形成垄断。从工艺流程上看，首先以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉，在特殊温场下生长不同尺寸的碳化硅晶锭，再经过多道加工工序得到碳化硅衬底；然后在衬底上生长一层微米级的晶体得到外延片；外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成碳化硅器件。从成本构成看，碳化硅产业链 70%的价值量集中在衬底和外延环节。硅基器件生产成本主要集中在后道晶圆制造，衬底成本仅占 7%。而碳化硅衬底和外延成本分别占 47%和 23%，后道（设计、制造和封测等）成本占比仅 30%。成本构成的差异说明上游衬底厂商掌握着核心的话语权，是国产化突破的关键。从竞争格局看，海外龙头起步较早，在产业链各环节占主导地位。衬底方面，根据Yole的数据，2022年 SiC衬底市场前两名分别是 Wolfspeed（53%）和 II-VI（19%），我国本土企业起步较晚，从事 SiC衬底生产的公司有天岳先进和天科合达等公司。外延方面，2020年Wolfspeed与昭和电工分别占据全球碳化硅导电型外延片市场 52%和 43%的市场份额，形成双寡头垄断。国内 SiC外延厂商 较少，主要有天域半导体、瀚天天成等企业，市占率较低。器件制造方面，目前 SiC MOSFET存在平面型和沟槽型两种技术路线，走平面型技术路线的公司主要有 Wolfspeed、安森美等，而走沟槽型路线的公司以英飞凌、Rohm为主。国内从事碳化硅功率器件&模块的公司有士兰微、新洁能、斯达半导、时代电气等。