1、 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 Table_Info1 电子电子 Table_Date 发布时间：发布时间：2024-05-23 Table_Invest 优于大势优于大势 上次评级:优于大势 Table_PicQuote 历史收益率曲线 Table_Trend 涨跌幅（%）1M 3M 12M 绝对收益 7%8%-12%相对收益 3%1%-5%Table_Market 行业数据 成分股数量（只）488 总市值（亿）63,052 流通市值（亿）30,962 市盈率（倍）59 市净率（倍）3 成分股总营收（亿）30,149 成分股总净利润（亿）983 成分股资产负债率（

2、%）45 相关报告 佰维存储（688525）：存储行业持续复苏，2024Q1 业绩高速增长-20240429 德明利（001309）：2023Q4 业绩高速成长，毛利率显著改善-20240228 江波龙（301308）：存储产品深耕多年，横纵向延伸打造一体化优势-20231112 Table_Author 证券分析师：李玖证券分析师：李玖 执业证书编号：S0550522030001 证券分析师：武芃睿证券分析师：武芃睿 执业证书编号：S0550522110001 研究助理：孟爽研究助理：孟爽 执业证书编号：S0550122070002 021-

3、61002910 Table_Title 证券研究报告/行业深度报告 景气度进入上行通道，国内厂商未来可期景气度进入上行通道，国内厂商未来可期 报告摘要：报告摘要：Table_Summary 需求：存储市场景气度迎来改善。需求：存储市场景气度迎来改善。全球存储芯片市场规模随半导体行业景气度同步波动，且振幅较大。中国存储芯片市场与全球市场周期同步，并且增速高于全球市场。2023Q3 以来，三大原厂控产效益显现，下游备货动能回温，主流产品价格提振。2023Q4 全球 DRAM 产业营收约为 175亿美元，NAND Flash 销售额约为 115 亿美元，均实现同环比双增长。供给：海外厂商寡头垄断，

4、国内厂商逐步突破。供给：海外厂商寡头垄断，国内厂商逐步突破。国外存储芯片厂商凭借先发优势和在终端市场的品牌优势，占据大部分市场份额。我国存储芯片行业起步较晚，本土存储芯片厂商处于投产初期，技术基础较为薄弱。近年来，国内厂商奋力追赶，在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距。2022 年全球 SSD 模组厂自有品牌渠道市场中，出货量前三为金士顿、威刚、金泰克，市占率合计 46%。2020 全球 eMMC 市场前五大厂商均为海外厂商，合计占比为 96%。我国存储模组市场空间较大，国产存储模组厂商持续推进自主可控进程，未来成长空间广阔。存储模组：低价库存受益于存储价格反转，国产自主可控赋能成长。

5、存储模组：低价库存受益于存储价格反转，国产自主可控赋能成长。江波龙：获得力成苏州先进的封装测试产能，完整布局封装测试，同时有望受益于国内信创产业成长红利。佰维存储：构筑研发封测一体化的经营模式，积极布局芯片 IC 设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域。德明利：自研主控提升竞争力，拥有多年的供应链经营以及产业链管理经验，自主可控需求下，较强的管理能力成为做大做强的重要基石。利基存储：背靠国内广阔市场，景气度有望迎来改善。利基存储：背靠国内广阔市场，景气度有望迎来改善。北京君正：面向汽车、工业等行业市场，存储芯片产品线能够提供丰富的品类，具有高品质、高可靠性的特点。东芯股份：拥有较强的自主研

6、发能力与核心技术，海外大厂淡出 SLC NAND，东芯 SLC NAND Flash 业务有望持续贡献营收增长。内存接口芯片：内存接口芯片：DDR5 渗透率快速提升，多品类开拓成长。渗透率快速提升，多品类开拓成长。澜起科技：全球内存接口芯片龙头，公司是全球可提供 DDR5 内存接口及模组配套芯片全套解决方案的两家龙头厂商之一，充分受益于 DDR5 产品升级&AI 算力需求提升。聚辰股份：SPD 产品的下游产品已覆盖行业主要内存模组厂商，与澜起占据该领域的先发优势，具备领先地位，有望受益于 DDR5 渗透率的快速提升。风险提示：风险提示：行业竞争加剧、新产品研发进度、盈利预测与估值不及预期 Ta

7、ble_CompanyFinance 重点公司主要财务数据重点公司主要财务数据 重点公司重点公司 现价现价 EPS PE 评级评级 2024E 2025E 2026 E 2024 E 2025 E 2026 E 佰维存储 46.70 1.74 2.50-26.84 18.68-增持 德明利 86.03 6.50 5.29 5.58 13.24 16.26 15.42 增持 江波龙 90.15 1.29 2.64-69.88 34.15-增持 聚辰股份 51.99 2.27 3.11-22.90 16.72-增持 东芯股份 20.69 0.82 1.18-25.23 17.53-增持 -30%-

8、20%-10%0%10%20%2023/52023/8 2023/11 2024/2电子沪深300 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 2/31 电子电子/行业深度行业深度 目目 录录 1.需求：行业低点已过，存储市场逐步复苏需求：行业低点已过，存储市场逐步复苏.4 1.1.存储市场周期波动显著，多种下游应用推动需求增长.4 1.2.2023 年底行业周期拐点显现，下游需求或迎来复苏.8 2.供给：海外厂商寡头垄断，国内厂商逐步突破供给：海外厂商寡头垄断，国内厂商逐步突破.13 2.1.存储价格回暖，2024Q1 原厂净利率转正.13 2.2.竞争格局较为集中，国内厂商逐

9、步突破.14 3.模组模组&利基型迎来业绩拐点，利基型迎来业绩拐点，DDR5 加速渗透加速渗透.18 3.1.江波龙：存储产品深耕多年，横纵向延伸打造一体化优势.18 3.2.佰维存储：持续加码研发投入，构筑研发封测一体化优势.19 3.3.德明利：2024Q1 业绩高速增长，新品营收增量显著.21 3.4.北京君正：产品具备高可靠性，行业市场有望迎来复苏.22 3.5.东芯股份：核心技术积累深厚，产品线拓展升级.23 3.6.澜起科技：内存接口芯片龙头，多路进击、爆发在即.25 3.7.聚辰股份：DDR5 SPD 爆发在即，车规 EEPROM 未来可期.26 4.风险提示风险提示.29 图表

10、目录图表目录 图图 1：半导体存储分类：半导体存储分类.4 图图 2：NAND Flash 存储颗粒架构升级示意图存储颗粒架构升级示意图.4 图图 3：全球半导体市场规模与存储芯片市场规模同比变化：全球半导体市场规模与存储芯片市场规模同比变化.5 图图 4：全球存储芯片市场规模：全球存储芯片市场规模.6 图图 5：中国存储芯片市场规模：中国存储芯片市场规模.6 图图 6：2021 年全球存储芯片市场产品结构年全球存储芯片市场产品结构.6 图图 7：2022 年全球存储芯片市场产品结构年全球存储芯片市场产品结构.6 图图 8：各终端内存单机搭载容量：各终端内存单机搭载容量.7 图图 9：各终端闪

11、存单机搭载容：各终端闪存单机搭载容量量.7 图图 10：全球：全球 NOR Flash 市场规模（亿美元）市场规模（亿美元）.7 图图 11：2022 年全球年全球 NOR Flash 应用占比应用占比.7 图图 12：我国数据中心市场规模：我国数据中心市场规模.8 图图 13：DRAM 合约价（美元）合约价（美元）.8 图图 14：手机：手机 DRAM 合合约价（美元）约价（美元）.9 图图 15：服务器：服务器 DRAM 合约价（美元）合约价（美元）.9 图图 16：全球：全球 DRAM 季度销售额季度销售额.9 图图 17：2023 年全球年全球 DRAM 各类别产品占比各类别产品占比.

12、10 图图 18：2024 年全球年全球 DRAM 各类别产品占比各类别产品占比.10 图图 19：NAND 合约价（美元）合约价（美元）.10 图图 20：NAND 固态硬盘合约价（美元）固态硬盘合约价（美元）.11 图图 21：MLC eMMC 合约价（美元）合约价（美元）.11 图图 22：全球：全球 NAND Flash 季度销售额季度销售额.11 图图 23：2023 年全球终端产品闪存容量需求占比年全球终端产品闪存容量需求占比.12 图图 24：2024 年全球终端产品闪存容量需求占比年全球终端产品闪存容量需求占比.12 图图 25：全球消费级：全球消费级 SSD 出货量出货量.1

13、2 图图 26：全球企业级：全球企业级 SSD 出货量出货量.12 图图 27：全球存储器主要：全球存储器主要生产基地生产基地.13 图图 28：海力士盈利能力：海力士盈利能力.13 eZaVaYbZfYeZcWaY8OaObRpNqQoMtPfQqQqNfQsQtM7NpPzQuOnPpOvPrMtM 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 3/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 29：美光盈利能力美光盈利能力.13 图图 30：海力士资本开支同比变化海力士资本开支同比变化.14 图图 31：美光资本开支同比变化：美光资本开支同比变化.14 图图 32：全球：全球 DR

14、AM 厂厂商份额占比商份额占比.14 图图 33：NAND FLASH 产业链构成产业链构成.15 图图 34：全球：全球 NAND Flash 厂商份额占比厂商份额占比.16 图图 35：NAND Flash 厂商技术进程厂商技术进程.16 图图 36：2022 年全球年全球 SSD 控制器芯片厂商市场占有率控制器芯片厂商市场占有率.17 图图 37：2022 年全球独立年全球独立 SSD 主控供应商市场占有率主控供应商市场占有率.17 图图 38：2022 年全球年全球 SSD 模组厂自有品牌渠道市场占有率模组厂自有品牌渠道市场占有率.17 图图 39：2020 年年 eMMC 全球市场份

15、额占比全球市场份额占比.17 图图 40：公司产品发展历程：公司产品发展历程.18 图图 41：江波龙营收：江波龙营收.19 图图 42：江波龙归母净利润：江波龙归母净利润.19 图图 43：SMART Brazil 净利率净利率.19 图图 44：力成苏州股权结构：力成苏州股权结构.19 图图 45：佰维存储营收：佰维存储营收.20 图图 46：佰维存储归母净利润：佰维存储归母净利润.20 图图 47：佰维存储产品线：佰维存储产品线.21 图图 48：德明利产品矩阵：德明利产品矩阵.21 图图 49：德明利营收：德明利营收.22 图图 50：德明利归母净利润：德明利归母净利润.22 图图 5

16、1：德明利经营模式：德明利经营模式.22 图图 52：北京君正营收：北京君正营收.23 图图 53：北京君正归母净利润：北京君正归母净利润.23 图图 54：北京君正毛利率及净：北京君正毛利率及净利率利率.23 图图 55：北京君正期间费用率：北京君正期间费用率.23 图图 56：东芯股份发展历程：东芯股份发展历程.24 图图 57：公司近年营收：公司近年营收.24 图图 58：公司近年归母净利润：公司近年归母净利润.24 图图 59：澜起科技业务概览：澜起科技业务概览.25 图图 60：各条产品线发展历程：各条产品线发展历程.25 图图 61：澜起科技营收：澜起科技营收.26 图图 62：澜

17、起科技归母净利润：澜起科技归母净利润.26 图图 63：聚辰股份发展历程：聚辰股份发展历程.27 图图 64：聚辰股份营收：聚辰股份营收.28 图图 65：聚辰股份归母净利润：聚辰股份归母净利润.28 表表 1：主要存储产品对比：主要存储产品对比.5 表表 2：聚辰股份主要产品线及应用：聚辰股份主要产品线及应用.27 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 4/31 电子电子/行业深度行业深度 1.需求：行业低点已过，存储市场逐步复苏需求：行业低点已过，存储市场逐步复苏 1.1.存储市场周期波动显著，多种下游应用推动需求增长 存储芯片品类较多，各自技术原理不同。存储芯片品类较

18、多，各自技术原理不同。根据断电后能否保留存储的信息，半导体储存可以分为易失性存储器（VM，Volatile Memory）和非易失性存储器（NVM，Non-volatile Memory）。易失性存储器主要分为动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic Random Access Memory）和静态随机存取存储器（SRAM，Static Random Access Memory），其中 DRAM 需要在数据改变或断电前进行周期性充电，保持电势，否则会丢失数据，SRAM 则不需要定期刷新。非易失性存储技术路线较多，其中 Flash Memory 能够快速擦写存储阵列块，分为 NAND Fla

19、sh 和 NOR Flash。根据内部电子单元密度，NAND Flash 分为 SLC、MLC、TLC 和 QLC。图图 1：半导体存储分类：半导体存储分类 数据来源：鲜枣课堂，东北证券 图图 2：NAND Flash 存储颗粒架构升级示意图存储颗粒架构升级示意图 数据来源：得一微招股说明书，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 5/31 电子电子/行业深度行业深度 各类各类存储产品存储产品的的性能及应用范围性能及应用范围有所不同有所不同。由于存储单元的技术原理以及电路结构不同，存储产品之间差别较为明显。NAND Flash 的存储阵列由存储单元通过串联方式连接而

20、成，擦除以“页”为单位，具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点，广泛应用于固态硬盘（SSD）、手机、平板、服务器、USB 驱动器和存储卡等。NOR Flash 的存储阵列通过各存储单元通过并联方式连接，在按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，具有芯片内执行、读取速度快的特点，应用于可穿戴设备、移动终端等。DRAM 读写速度快，常用于系统硬件的运行内存，对系统指令和数据进行处理。表表 1：主要存储产品对比：主要存储产品对比 项目项目 非易失性非易失性 易失性易失性 NAND Flash NOR Flash DRAM 存储原理 浮栅型 浮栅型/电子俘获型 电容充放电型

21、读取速度 较慢 较快 极快 擦除/写入速度 快 较慢 极快 存储容量 高（Gb/Tb）中（Mb/Gb）中（Mb/Gb）擦写次数 十万级别 十万级别-数据来源：东芯股份招股说明书，东北证券 全球存储芯片市场规模随半导体行业景气度同步波动，且全球存储芯片市场规模随半导体行业景气度同步波动，且振振幅较大。幅较大。根据全球半导体行业和存储芯片市场规模对比数据，存储芯片市场规模和半导体行业景气度同步变化，且存储芯片振幅更大。其原因是存储芯片标准化程度较高，供给端较为集中，供需错配导致周期性明显。2021 年全球半导体进入高景气周期，疫情宅经济带来消费电子、半导体产品需求暴增。2022 年半导体行业进入下

22、行周期后，存储芯片市场需求低迷，同比下降 13%。2023 年初全球半导体销售低迷，下半年反弹，全年半导体销售额同比下降 11%，存储芯片销售额下降 31%。2014-2022 年，我国存储芯片市场规模 CAGR 约为 11.7%，高于全球市场的 6.8%，中国存储芯片市场与全球市场周期同步，中国市场增速高于全球市场。图图 3：全球半导体市场规模与存储芯片市场规模同比变化：全球半导体市场规模与存储芯片市场规模同比变化 数据来源：Wind、WSTS，东北证券 -40%-20%0%20%40%60%80%全球半导体市场规模YoY全球存储芯片市场规模YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文

23、后的声明及说明 6/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 4：全球存储芯片市场规模全球存储芯片市场规模 图图 5：中国：中国存储芯片市场规模存储芯片市场规模 数据来源：WSTS，东北证券 数据来源：Yole、中研网，东北证券 DRAM和和NAND为主要产品，占比超过九成。为主要产品，占比超过九成。全球存储芯片市场以DRAM和NAND Flash 为主，2022 年 DRAM 和 NAND Flash 分别占比 56%和 40%，两者合计占比达到 96%，NOR Flash 市场规模占比约为 3%，其他存储产品市场规模占比约为 2%。图图 6：2021 年全球存储芯片市场产品结构年全球存储芯片

24、市场产品结构 图图 7：2022 年年全球存储全球存储芯片市场产品结构芯片市场产品结构 数据来源：Yole，东北证券 数据来源：Bloomberg，东北证券 AI 端侧部署或将较大拉动内存单机搭载容量端侧部署或将较大拉动内存单机搭载容量。根据 TrendForce 预测，2023 年 PC、智能手机、服务器中的内存单机搭载容量分别为 10.6、6.2、611.2GB，同比分别增长 9.0%、17.3%、13.6%；预计 2023 年 PC、智能手机、服务器中的闪存单机搭载容量分别为 612.78、214.62、3900.15GB，同比分别增长 10.1%、19.1%、16.4%。随着AI 部署

25、逐渐从云端走向移动端，AI 端侧部署或较大拉动 AIPC、AI 手机中的内存搭载容量。-40%-20%0%20%40%60%80%02040608001802014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023全球存储芯片市场规模（十亿美元）YoY-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%05001,0001,5002,0002,5003,0003,5004,0002014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022中国存储芯片市场规模（亿元）YoY56.2%40.1%2.1%0

26、.8%0.4%0.4%DRAMNANDNOREEPROM和其他SRAM/FRAM新兴非易失性存储56%40%3%2%DRAMNANDNOROther 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 7/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 8：各终端内存单机搭载容量：各终端内存单机搭载容量 图图 9：各终端闪存单机搭载容量：各终端闪存单机搭载容量 数据来源：TrendForce，东北证券 数据来源：TrendForce，东北证券 汽车电子及物联网有望拉动汽车电子及物联网有望拉动 NOR Flash 需求需求增长。增长。NOR Flash 在代码存储和低端嵌入式应用中广泛使用，201

27、6 年以来随着智能手机销量上升，同时 TWS 耳机等下游需求带动，2022 年全球 NOR Flash 市场规模达到 46.8 亿美元。2022 年汽车、电脑、工业、消费电子、无线通讯、有线设备在 NOR Flash 应用中的占比分别为 37%、19%、18%、11%、9%、5%。汽车电子、物联网等市场对读取速度要求较高，随着产业需求持续扩张，NOR Flash 市场规模有望持续增长。图图 10：全球：全球 NOR Flash 市场规模（亿美元）市场规模（亿美元）图图 11：2022 年全球年全球 NOR Flash 应用占比应用占比 数据来源：Bloomberg，东北证券 数据来源：Bloo

28、mberg，东北证券 AI 驱动力较强驱动力较强，HBM 等等存储需求持续增长。存储需求持续增长。受益于 AI 和云计算的迅速发展，我国数据中心市场规模增速迅猛，2017-2022 年数据中心市场规模由 354 亿元增长至1720 亿元，预计 2027 年增长至 5000 亿元，2023-2027 年间复合增长率为达到 24%。数据中心将较大拉动数据存储的需求规模，根据 IDC 预测，2025 年中国数据存储容量将达到 48.6ZB，占全球 27.8%。根据 TrendForce 数据，2022 年 AI 服务器出货量86 万台，预计 2026 年 AI 服务器出货量超过 200 万台，CAG

29、R 为 23%。AI 服务器出货量将较大拉动 HBM 需求增长，预计 2025 年全球 HBM 市场规模达到 150 亿美元。-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%0070802005200720092001720192021NORYoY37%19%18%11%9%5%AutomotiveComputingIndustrialConsumerWirelessCommunicationWiredInfrastructure 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 8/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 12：我

30、国数据中心市场规模我国数据中心市场规模 数据来源：头豹研究院，东北证券 1.2.2023 年底行业周期拐点显现，下游需求或迎来复苏 DRAM 价格进入上行通道价格进入上行通道，终端需求有望逐步回暖，终端需求有望逐步回暖。2021 年因疫情居家办公导致消费电子需求旺盛，同时供应链受阻，DRAM 价格到达较高水位。2022-2023Q3，DRAM 价格进入下行通道，存储芯片原厂为改善业绩恶化情况，主动降低稼动率，提升产品价格。根据 inSpectrum 数据，2023Q3 开始，DRAM 价格出现拐点，作为指标的 DDR4-8Gb 3200 MHz 的合约价格在 2023Q4、2024Q1 季度末

31、环比分别提升12%、10%。随着下游终端需求的逐步复苏，2024 下半年 DRAM 价格有望持续走强。图图 13：DRAM 合约价（美元）合约价（美元）数据来源：inSpectrum，东北证券（*表示主流密度）0%10%20%30%40%50%01,0002,0003,0004,0005,0006,0002002020212022 2023E 2024E 2025E 2026E 2027E我国数据中心市场规模（亿元）YoY02468101212/20163/20176/20179/201712/20173/20186/20189/201812/20183/20196/20

32、199/201912/20193/20206/20209/202012/20203/20216/20219/202112/20213/20226/20229/202212/20223/20236/20239/202312/20233/2024 *DDR4-8Gb-1Gx8 3200 MHz *DDR4-4Gb-512Mx8 3200 MHz 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 9/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 14：手机：手机 DRAM 合约价（美元）合约价（美元）图图 15：服务器：服务器 DRAM 合约价（美元）合约价（美元）数据来源：inSpectrum，

33、东北证券 数据来源：inSpectrum，东北证券 DRAM 销售额随全球半导体周期同步波动销售额随全球半导体周期同步波动，2023Q4 同环比均实现增长同环比均实现增长。DRAM 行业销售额随全球半导体周期同步波动，2022 年下半年，下游客户需求萎缩，DRAM厂商为降低库存，纷纷降价，2022 年全球 DRAM 销售额为 801 亿美元，同比下滑16%。2023Q4 全球 DRAM 产业营收为 174.6 亿美元，为 2023 年首次实现同环比双增长，同比增长 42%，环比增长 30%，主要原因系下游备货动能回温，三大原厂控产效益显现，主流产品价格提振。图图 16：全球全球 DRAM 季度

34、销售额季度销售额 数据来源：Statista、TrendForce，东北证券 AI 拉动数据中心服务器拉动数据中心服务器数量增长数量增长，DRAM 行业行业规模有望规模有望受益受益。根据 TrendForce 数据，DRAM 的前三大下游市场为手机、服务器和 PC，2023 年占全球 DRAM 市场的比例分别为 36.7%、37.2%和 12.5%。未来 AI 将长期驱动数据中心服务器市场增长，同时汽车电子、物联网等应用领域保持增长，有望带动 DRAM 市场规模稳定增长。001/20176/201711/20174/20189/20182/20197/201912/201

35、95/202010/20203/20218/20211/20226/202211/20224/20239/20232/2024*LPDDR4 32Gb*eMCP MLC eMMC 64GB+M.DDR 32Gb*eMCP MLC eMMC 128GB+M.DDR 48Gb*eMCP MLC eMMC 256GB+M.DDR 64Gb050030035011/20164/20179/20172/20187/201812/20185/201910/20193/20208/20201/20216/202111/20214/20229/20222/20237/202312/202

36、3DDR4-16GB Reg-DIMM*DDR4-32GB Reg-DIMM-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%051015202530Q2 10Q4 10Q2 11Q4 11Q2 12Q4 12Q2 13Q4 13Q2 14Q4 14Q2 15Q4 15Q2 16Q4 16Q2 17Q4 17Q2 18Q4 18Q2 19Q4 19Q2 20Q4 20Q2 21Q4 21Q2 22Q4 22Q2 23Q423DRAM季度销售额（十亿美元）YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 10/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 17：202

37、3 年全球年全球 DRAM 各类别产品各类别产品占比占比 图图 18：2024 年年全球全球 DRAM 各类别产品各类别产品占比占比 数据来源：TrendForce，东北证券 数据来源：TrendForce，东北证券 NAND 价格价格上行，上行，回升幅度较回升幅度较 DRAM 更大。更大。与 DRAM 价格走势大致相同，NAND产品价格在 2023Q3 见底，但 NAND 价格增长幅度较大，主要原因系 NAND 需求弹性高于 DRAM，前期价格下跌较多。根据 inSpectrum 数据，TLC 闪存 256Gb 的合约价格在 2023Q4、2024Q1 的季度末环比分别提升 56%、24%；

38、TLC 固态硬盘512GB 的合约价格在 2023Q4、2024Q1 的季度末环比分别提升 11%、24%；MLC eMMC 64GB 的合约价格在 2023Q4、2024Q1 的季度末环比分别提升 23%、12%。图图 19：NAND 合约价（美元）合约价（美元）数据来源：inSpectrum，东北证券（*表示主流密度）37%37%13%5%8%ServerMobilePCGraphicsConcumer38%36%13%6%8%ServerMobilePCGraphicsConcumer012345671/20203/20205/20207/20209/202011/20201/20213

39、/20215/20217/20219/202111/20211/20223/20225/20227/20229/202211/20221/20233/20235/20237/20239/202311/20231/20243/2024MLC闪存128Gb 16384Mx8MLC闪存64Gb 8192Mx8*TLC闪存512Gb*TLC闪存256Gb 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 11/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 20：NAND 固态硬盘合约价（美元）固态硬盘合约价（美元）图图 21：MLC eMMC 合约价（美元）合约价（美元）数据来源：inSpectru

40、m，东北证券 数据来源：inSpectrum，东北证券 库存逐渐出清库存逐渐出清，2024Q4 全球全球 NAND 营收营收同环比实现增长同环比实现增长。NAND Flash 自 2022 年下半年起需求下滑，供应链去库存，2022 年全球 NAND Flash 行业规模约为 600 亿美元。下游 PC、服务器、笔记本电脑和智能手机等需求不景气，2023 年全球 NAND Flash 销售额约为 383 亿美元，同比下滑 38%，其中 2023Q4 销售额约为 115 亿美元，同比增长 12%，环比增长 24%，为 2022Q3 以来首次实现同环比双增长。图图 22：全球：全球 NAND Fl

41、ash 季度销售额季度销售额 数据来源：DRAMeXchange、TrendForce，东北证券 NAND 主要下游为手机、主要下游为手机、PC 和服务器市场。和服务器市场。根据 TrenForce 数据，2023 年，NAND Flash 主要应用于手机市场的嵌入式存储产品、应用于 PC 的 cSSD 以及应用于服务器市场的 eSSD 产品，分别占比为 32.7%、24.5%、18.6%。利基型 NAND Flash 中，SLC NAND 读写速度更快，性能、可靠性更出色，寿命更久，因此在汽车、物联网和新兴嵌入式的需求中仍不可或缺。0204060801001201/20204/20207/2

42、02010/20201/20214/20217/202110/20211/20224/20227/202210/20221/20234/20237/202310/20231/20244/2024TLC固态硬盘1TB*TLC固态硬盘512GBTLC固态硬盘256GB01/20204/20207/202010/20201/20214/20217/202110/20211/20224/20227/202210/20221/20234/20237/202310/20231/20244/2024 MLC eMMC 64GB-60%-40%-20%0%20%40%60%80%0246

43、80Q110Q310Q111Q311Q112Q312Q113Q313Q114Q314Q315Q116Q316Q117Q317Q118Q318Q119Q319Q120Q320Q121Q321Q122Q322Q123Q323NAND Flash季度销售额（十亿美元）YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 12/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 23：2023 年全球终端产品闪存容量需求占比年全球终端产品闪存容量需求占比 图图 24：2024 年全球终端产品闪存容量需求占比年全球终端产品闪存容量需求占比 数据来源：TrendForce，东北证券

44、数据来源：TrendForce，东北证券 SSD 出货量未来整体保持增长趋势。出货量未来整体保持增长趋势。SSD 主要分为消费级和企业级，其中，消费级SSD 占比最高，主要应用于移动电子设备，如笔记本电脑、台式机等 PC OEM 前装市场和零售渠道市场。随着大容量存储和高性能存储的需求增长，SSD 在电脑端的搭载率进一步提升。2021 年，受全球 PC 整机出货量拉动，全球消费级 SSD 市场增幅较大，接近 3.5 亿块，预计 2025 年全球消费级 SSD 出货量约 3.8 亿块。企业级SSD 对于性能、可靠性、单盘容量以及使用寿命要求更高。2021 年全球企业级 SSD出货量突破 0.5

45、亿块，数据高速、快速响应的需求提升，有望带动企业级 SSD 出货量提升。图图 25：全球消费级：全球消费级 SSD 出货量出货量 图图 26：全球企业级：全球企业级 SSD 出货量出货量 数据来源：中国闪存市场，东北证券 数据来源：中国闪存市场，东北证券 32.7%24.5%18.6%3.6%20.6%MobilePCServerGame ComsoleOthers32.8%25.3%19.7%3.5%18.7%MobilePCServerGame ComsoleOthers 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 13/31 电子电子/行业深度行业深度 2.供给：供给：海外

46、厂商寡头垄断，国内厂商逐步突破海外厂商寡头垄断，国内厂商逐步突破 2.1.存储价格回暖，2024Q1 原厂净利率转正 海外原厂具备先发及规模优势，形成海外原厂具备先发及规模优势，形成寡头垄断。寡头垄断。国外存储芯片厂商凭借先发优势和在终端市场的品牌优势，占据大部分市场份额。海外行业头部厂商包括三星电子、美光科技、海力士、铠侠和西部数据等，各自在专注的大容量存储产品领域形成了寡头垄断的竞争格局。我国存储芯片行业起步较晚，本土存储芯片厂商处于投产初期，技术基础较为薄弱。近年来，国内厂商奋力追赶，在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距。图图 27：全球存储器主要生产基地：全球存储器主要生产基地

47、 数据来源：CFM 闪存市场，东北证券 2024Q1 存储原厂存储原厂净利率转正，资本开支有所恢复净利率转正，资本开支有所恢复。2023 年由于存储芯片价格下滑较多，各原厂财务亏损较为严重，现金流持续承压，因此放缓资本支出规划及先进制程的投入力度。随着存储原厂降低稼动率，存储芯片价格在 2023Q3 触底回升，各原厂利润率迅速提升，2024Q1 海力士及美光净利率实现转正，同时，其资本开支同比数据有所提升。图图 28：海力士盈利能力：海力士盈利能力 图图 29：美光盈利能力美光盈利能力 数据来源：Bloomberg，东北证券 数据来源：Bloomberg，东北证券 -60%-40%-20%0%

48、20%40%60%03/31/201906/30/201909/30/201912/31/201903/31/202006/30/202009/30/202012/31/202003/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/202303/31/2024毛利率净利率-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%02/28/201905/30/201908/29/201911/28/201902/27/20

49、2005/28/202009/03/202012/03/202003/04/202106/03/202109/02/202112/02/202103/03/202206/02/202209/01/202212/01/202203/02/202306/01/202308/31/202311/30/202302/29/2024毛利率净利率 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 14/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 30：海力士资本开支同比变化海力士资本开支同比变化 图图 31：美光资本开支同比变化：美光资本开支同比变化 数据来源：Bloomberg，东北证券 数据来源：

50、Bloomberg，东北证券 2.2.竞争格局较为集中，国内厂商逐步突破 DRAM 市场高度集中，竞争格局较为稳定。市场高度集中，竞争格局较为稳定。全球 DRAM 产品的主要供应商为韩国三星电子、韩国海力士和美国美光科技，2023Q4 各自份额占比分别为 46%、32%和20%，合计占比达到 98%。对于中小容量 DRAM 市场，主要参与者为南亚科技、芯成半导体等。图图 32：全球：全球 DRAM 厂商份额占比厂商份额占比 数据来源：DRAMeXchange、HIS、TrendFocus、TrendForce，东北证券 NAND Flash 存储芯片与主控芯片结合，组成存储器产品。其中，主控芯

51、片作为与存储芯片之间数据交换的中介，能够对数据信息存储、输入、输出等进行管理，其决定了存储器的最大容量、存取速度等多个重要性能参数以及信息安全性等。根据产品形态及接口协议的不同，NAND Flash 存储产品主要被划分为嵌入式存储产品、固态硬盘、存储卡、存储盘等。1）嵌入式存储产品嵌入式存储产品：内嵌于电子产品主系统中、具备嵌入式接口的存储产品。主要应用于消费电子产品的嵌入式存储介质，包括手机、平板电脑、可穿戴设备等轻薄化的电子产品，具体产品形态包括：eMMC、UFS 等。eMMC(embedded Multi Media Card)是实现 MMC 协议的嵌入式存储器，将 Nand Flash

52、、控制器和 eMMC 接口封装-100%-50%0%50%100%150%2018/3/12018/8/12019/1/12019/6/12019/11/12020/4/12020/9/12021/2/12021/7/12021/12/12022/5/12022/10/12023/3/12023/8/12024/1/1-100%-50%0%50%100%150%2018/3/12018/8/12019/1/12019/6/12019/11/12020/4/12020/9/12021/2/12021/7/12021/12/12022/5/12022/10/12023/3/12023/8/1202

53、4/1/10%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%Q111Q311Q112Q312Q113Q313Q114Q314Q115Q315Q116Q316Q117Q317Q118Q318Q119Q319Q120Q320Q121Q321Q122Q322Q123Q323SamsungSK HynixMicron GroupNanyaWinbondPowerchipElpidaOthers 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 15/31 电子电子/行业深度行业深度 在一起，简化系统存储设计，提升读写性能。UFS（Universal Flash Storage）

54、通用闪存，是应用 UFS 标准接口的 Flash，为移动设备提供高速读写速度，同时降低功率。2）固态硬盘固态硬盘（SSD，Solid State Drives）：大容量 NAND Flash 存储器，广泛应用于个人电脑、数据中心、人工智能、工控、安防、网络终端等诸多行业。3）存存储卡储卡：根据封装方式和接口协议不同，分为 Micro SD 卡、SD 卡、CF 卡、NM卡等多种类型，目前市场主要以 Micro SD 卡为主。应用范围包括安防监控、车载应用、高清摄影、智能终端等领域。存储盘即 U 盘，主要用于日常信息的存储、转移、携带等。图图 33：NAND FLASH 产业链构成产业链构成 数据

55、来源：得一微招股说明书，东北证券 海外巨头垄断大容量海外巨头垄断大容量 NAND Flash 市场市场，SLC NAND 我国厂商受益于国产化契机我国厂商受益于国产化契机。海外存储巨头专注于大容量 NAND Flash，2023Q4 三星电子、铠侠、西部数据、海力士、美光的份额占比分别为 37%、22%、14%、13%、10%，前五大厂商占比达到95%。目前 SLC NAND 供应商主要是中国台湾和大陆厂商，包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新等企业，其中华邦电子和旺宏电子占据较高的市场份额。相较于海外厂商，我国本土厂商更加贴近市场，国产化需求有望给中国企业带来良好的发展契机。请务必阅读正文后的声

56、明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 16/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 34：全球：全球 NAND Flash 厂商份额占比厂商份额占比 数据来源：DRAMeXchange、TrendForce，东北证券 图图 35：NAND Flash 厂商技术进程厂商技术进程 数据来源：TrendForce，东北证券 我国大陆我国大陆 SSD 主控芯片厂商逐步突破，市占率实现提升。主控芯片厂商逐步突破，市占率实现提升。全球固态硬盘主控芯片厂商主要分为两大类：第一类是自研自用固态硬盘主控芯片厂商，销售固态硬盘模组，包括三星等 NAND Flash 原厂和群联电子；第二类是独立固态硬盘主控芯片厂商

57、，销售固态硬盘主控芯片和解决方案，该类厂商包括慧荣科技、联芸科技、Marvell、瑞昱、英韧科技、得一微等。根据 CFM 闪存市场数据，2022 年 SSD 主控芯片出货中，NAND 原厂自研自用、独立主控厂商、非 NAND 原厂自研自用的出货量占比分别为 51.34%、37.11%、11.56%。2022 年全球独立 SSD 控制器芯片厂商排名前三为慧荣技术、联芸科技、得一微，市占率分别为 56.17%、17.88%、11.73%。近年来中国大陆厂商在 SATA、PCIe3.0、PCIe4.0 主控芯片市场逐步突破，2022 年中国大陆SSD 主控芯片厂商占据中国大陆 SSD 主控芯片出货量

58、的 30%，市占率逐步提升。0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%Q1 10Q3 10Q1 11Q3 11Q1 12Q3 12Q1 13Q3 13Q1 14Q3 14Q2 15Q4 15Q2 16Q4 16Q2 17Q4 17Q2 18Q4 18Q2 19Q4 19Q2 20Q4 20Q2 21Q4 21Q2 22Q4 22Q2 23Q4 23SamsungKioxiaWDCSK HynixMicronIntelOthers 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 17/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 36：2022 年全球年全球 SSD

59、控制器芯片厂商市场占有控制器芯片厂商市场占有率率 图图 37：2022 年全球独立年全球独立 SSD 主控供应商市场占有主控供应商市场占有率率 数据来源：CFM 闪存市场，东北证券 数据来源：CFM 闪存市场，东北证券 海外厂商占据存储模组市场头部地位。海外厂商占据存储模组市场头部地位。根据 TrendForce 数据，2022 年全球 SSD 模组厂自有品牌渠道市场中，出货量前三的分别为金士顿、威刚、金泰克，市占率分别为 28%、9%、8%。根据闪存市场数据，2020 全球 eMMC 市场中，前五大厂商分别为三星、铠侠/西部数据、海力士、美光、金士顿，其市占率分别为 37%、28%、16%、

60、9%、4%，合计占比为 94%。图图 38：2022 年全球年全球 SSD 模组厂自有品牌渠道市场模组厂自有品牌渠道市场占有率占有率 图图 39：2020 年年 eMMC 全球市场份额占比全球市场份额占比 数据来源：TrendForce，东北证券 数据来源：江波龙招股说明书，东北证券 51.34%37.11%11.56%独立主控厂商NAND原厂自研自用其他56.17%17.88%11.73%14.22%慧荣技术联芸科技得一微其他28%9%8%8%6%5%3%3%3%3%24%KingstonADATAKimtigoLexarNetacColorfulPNYTeclastGIGABYTETran

61、scendOthers37%28%16%9%4%4%2%SamsungKioxia+WDSK HynixMicronKingstonLongsysOther 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 18/31 电子电子/行业深度行业深度 3.模组模组&利基型迎来业绩拐点，利基型迎来业绩拐点，DDR5 加速渗透加速渗透 3.1.江波龙：存储产品深耕多年，横纵向延伸打造一体化优势 存储产品深耕多年，产品应用广泛存储产品深耕多年，产品应用广泛。江波龙主要聚焦于存储产品和应用，拥有嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、移动存储及内存条四大类产品线，公司品牌包括行业类存储品牌 FORESEE

62、 以及消费类存储品牌 Lexar（雷克沙）。江波龙目前拥有固件算法开发、存储芯片测试、集成封装设计、存储芯片设计等核心竞争力，能够提供消费级、车规级、工规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案，产品广泛应用于消费电子、工业、通信、汽车、安防、监控等市场。图图 40：公司产品发展历程：公司产品发展历程 数据来源：江波龙招股说明书，东北证券 2023Q4 存储市场复苏，存储市场复苏，2023 年营收突破百亿。年营收突破百亿。2023 年前三季度，终端消费需求萎靡，国际存储原厂美光、三星、海力士等厂商业绩均出现明显亏损。2023 年第三季度尾声开始，国际存储原厂采取减产及削减资本开支等措施收到明显效

63、果，存储芯片价格开始回暖。随着终端消费电子市场逐步回暖，存储行业走出下行周期，市场需求复苏，主流存储价格持续上涨。公司积极抓住市场机遇，结合自身技术优势，大力拓展业务，取得明显成效，三季度末存货周转天数连续下降，2023 全年销售收入首次突破百亿元。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 19/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 41：江波龙营收：江波龙营收 图图 42：江波龙归母净利润：江波龙归母净利润 数据来源：Wind，东北证券 数据来源：Wind，东北证券 SMART Brazil 进军巴西市场，收购力成苏州补足封测能。进军巴西市场，收购力成苏州补足封测能。202

64、3 年 8 月，公司拟发行可转债募集资金 30 亿元，其中 SMART Brazil 81%股权收购项目预计总投资 14.50亿元，拟使用募集资金 12.80 亿元；力成苏州 70%股权收购项目预计总投资 9.51 亿元，拟使用募集资金 9.20 亿元，补充流动资金项目拟使用募集资金 8 亿元。1）SMART Brazil 为巴西市场规模领先的存储芯片封装测试与存储器制造商，在巴西拥有成熟运作的生产基地，产线包括 DRAM 和 NAND Flash 的产品。随着 5G 通信、HPC、汽车电子、物联网等产业的带动，巴西存储芯片市场空间广阔，凭借SMART Brazil 完善的供应链，以及当地稳定

65、的合作关系，有望为公司业绩增长做出贡献。2）力成苏州拥有超过 25 年的封装测试量产经验，是我国大陆地区较早拥有 12 英寸晶圆封装测试技术、多层晶片叠封技术的企业之一，其多晶片封装（MCP）具有优势，同时具备 WBGA 封装技术。2022 年力成苏州营收为 3.91 亿元，占江波龙加工费及其他成本的 43%。通过收购力成苏州 70%股权，公司获得力成苏州先进的封装测试产能，完整布局封装测试，增强产业链一体化整合能力。图图 43：SMART Brazil 净利率净利率 图图 44：力成苏州力成苏州股权结构股权结构 数据来源：可转债募集可行性分析报告，东北证券 数据来源：可转债募集可行性分析报告

66、，东北证券 3.2.佰维存储：持续加码研发投入，构筑研发封测一体化优势 存储行业持续复苏，营收同比大幅增长。存储行业持续复苏，营收同比大幅增长。2023Q4 以来，存储行业回暖，下游客户需求持续增长，海内外客户拓展顺利。2024Q1 公司实现营收 17.27 亿元，同比增长-50%0%50%100%150%200%250%020406080100120营业收入（亿元，左轴）YoY-1400%-1200%-1000%-800%-600%-400%-200%0%200%400%600%-10-5051015归母净利润（亿元，左轴）YoY0%2%4%6%8%10%12%14%2021.8-2022.

67、72022.8-2023.1 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 20/31 电子电子/行业深度行业深度 306%，实现归母净利润 1.68 亿元，同比增长 233%。价格方面，随着市场供需关系逐步改善，一季度产品价格不断上涨。目前手机端客户有明显复苏迹象，得益于一线大客户的开拓，预计今年智能手机领域将有较大的增长。图图 45：佰维存储营收：佰维存储营收 图图 46：佰维存储归母净利润：佰维存储归母净利润 数据来源：Wind，东北证券 数据来源：Wind，东北证券 持续加码研发投入，构筑研发封测一体化优势。持续加码研发投入，构筑研发封测一体化优势。2024Q1 研发投入约

68、 1 亿元，同比增长超过 200%。公司围绕半导体存储器产业链，构筑研发封测一体化的经营模式，积极布局芯片 IC 设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域。公司与国际主流存储晶圆原厂建立长达 10 余年合作关系，通过上游资源整合优势，持续为下游提供品质稳定、高性能的半导体存储器产品。凭借可靠的产品品质，公司产品获得终端厂商的广泛认可。一线客户拓展顺利，股权激励实现成长赋能。一线客户拓展顺利，股权激励实现成长赋能。公司致力于国内外一线客户的拓展，不断构建优质客户矩阵。海外方面，公司在北美、拉美、印度、欧洲、中国台湾等地均拥有市场营销团队，公司将借助全球化运营及交付服务网络，进一步提升国际市场占

69、有率。公司积极实施股权激励，有效凝聚管理层、员工和股东的力量，共同致力于公司的长期发展。-50%0%50%100%150%200%250%300%350%055402002120222023 2024Q1营收（亿元，左轴）YoY-1200%-1000%-800%-600%-400%-200%0%200%400%-7-6-5-4-3-2-10123归母净利润（亿元，左轴）YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 21/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 47：佰维：佰维存储产品线存储产品线 数据来源：佰维存储年报，东北证券

70、3.3.德明利：2024Q1 业绩高速增长，新品营收增量显著 存储模组深耕多年，产品获得广泛应用存储模组深耕多年，产品获得广泛应用。德明利主要从事闪存主控芯片和存储模组产品的研发与销售。公司 2008 年成立，目前拥有移动存储、固态硬盘、嵌入式存储三大产品线，产品矩阵覆盖移动存储、固态硬盘、嵌入式存储和自研芯片四大业务。移动存储产品包括 SD 卡、Micro SD 卡、NM 卡等存储卡模组以及存储盘模组。公司固态硬盘可满足大容量存储的应用需求，SATA3和PCIe均已拥有不同级别产品。嵌入式存储产品主要为 eMMC，广泛应用于各类智能终端。图图 48：德明利产品矩阵：德明利产品矩阵 数据来源：

71、德明利公告，东北证券 经营业绩延续高增长态势，新品收入增量显著。经营业绩延续高增长态势，新品收入增量显著。2024Q1 年公司实现营收 8.11 亿元，同比增长 169%，实现归母净利润 1.95 亿元，同比增长 546%，业绩实现高速增长的 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 22/31 电子电子/行业深度行业深度 主要原因系存储行业价格自 2023 年三季度起处于上升通道，公司前期积极备货，库存管理水位较优，销售收入规模、毛利率增长保持良好态势，净利润水平同比大幅增加，同时，前期新增产品销售收入增量显著，规模化效应显现，推动业绩持续增长。图图 49：德明利营收：德明利

72、营收 图图 50：德明利归母净利润：德明利归母净利润 数据来源：Wind，东北证券 数据来源：Wind，东北证券 主控芯片研发持续推进，存储器智能制造项目竣工启用。主控芯片研发持续推进，存储器智能制造项目竣工启用。2023 年公司自研 SD6.0 存储卡主控芯片、SATA SSD 主控芯片完成回片验证。公司积极推动两款主控芯片量产流片，未来配合量产工具，能够快速导入移动存储模组产品中，提升模组产品的稳定性和成本优势。公司另有多颗主控芯片立项，随着芯片研发平台及固件研发平台的建设和完善，自研主控有望加速量产及导入。智能制造（福田）存储产品产业基地已完成竣工验收并正式启用，覆盖原材料检验、测试、S

73、MT 等多环节。图图 51：德明利经营模式：德明利经营模式 数据来源：德明利公告，东北证券 3.4.北京君正：产品具备高可靠性，行业市场有望迎来复苏 2024Q1 计算与模拟类计算与模拟类芯片芯片同比增长，同比增长，行业市场尚待回暖行业市场尚待回暖。2024Q1 公司实现 10.07亿元，同比下滑 5.80%，实现归母净利润 0.87 亿元，同比下滑 23.90%。其中，消费-50%0%50%100%150%200%250%300%024680营收（亿元，左轴）YoY-100%0%100%200%300%400%500%600%0.00.51.01.52.02.5归母净利

74、润（亿元，左轴）YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 23/31 电子电子/行业深度行业深度 类市场的产品线计算芯片销售收入同比增长，但工业、医疗等领域客户存在库存压力，全球行业市场需求尚未明显复苏，面向行业市场的产品线存储芯片销售收入同比下降。受益于办公设备、白色家电、部分消费市场的需求回暖以及国内汽车客户的需求增长，公司模拟芯片产品的销售收入同比增长。图图 52：北京君正营收：北京君正营收 图图 53：北京君正归母净利润：北京君正归母净利润 数据来源：Wind，东北证券 数据来源：Wind，东北证券 图图 54：北京君正毛利率及净利率：北京君正毛利率及净利率 图

75、图 55：北京君正期间费用率：北京君正期间费用率 数据来源：Wind，东北证券 数据来源：Wind，东北证券 坚持自研，高可靠性获得客户认可。坚持自研，高可靠性获得客户认可。在视频、影像、AI 等技术领域，公司主要核心技术均为自主研发，尤其在 CPU 内核领域，公司坚持自主研发、自主可控。面向汽车、工业等行业市场，公司存储芯片产品线和模拟与互联芯片产品线能够提供丰富的品类，具有高品质、高可靠性的特点。3.5.东芯股份：核心技术积累深厚，产品线拓展升级 聚焦中小容量通用型存储芯片，聚焦中小容量通用型存储芯片，“专精特新”小巨人快速成长“专精特新”小巨人快速成长。东芯股份专注于中小容量通用型存储芯

76、片的研发、设计和销售，是国内少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2014 年公司成立，目前总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司。2019 年公司完成股改，正式变更为东芯半导体股份有限公司。2021 年公司于科创板上市。2022 年公司成为工信部第四批“专精特新”小巨人企业。-100%0%100%200%300%400%500%600%00营收（亿元，左轴）YoY-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%0归母净利润（亿元，左轴）YoY0%5%1

77、0%15%20%25%30%35%40%45%毛利率净利率-10%0%10%20%30%40%50%销售费用率管理费用率研发费用率财务费用率 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 24/31 电子电子/行业深度行业深度 图图 56：东芯股份发展历程：东芯股份发展历程 数据来源：东芯股份公众号，东北证券 2023 业绩暂时承压，利基型市场有望迎来拐点业绩暂时承压，利基型市场有望迎来拐点。2017-2021 年，公司营业收入保持增长，主要原因为全球网络基础设施不断完善，互联网技术快速发展，电子消费场景多元化为公司提供良好的发展环境。2017-2019 年公司产品未实现盈利，原因

78、包括产品导入周期长、产品开拓初期成本尚不具备优势、持续研发及运营投入较大，同时半导体下行周期带动产品价格波动下行。2021 年实现归母净利润 2.62 亿元，同比增长1240%，盈利大幅增长的主要原因系规模效应显现，高毛利率产品占比提升，同时财务费用降低。2022 年归母净利润下滑较多，主要原因系研发费用及计提的存货跌价准备增长较大。2023 年实现营收 5.31 亿元，同比下滑 53.70%，归母净利润亏损 3.06 亿元，由盈转亏，同比下滑 265.13%，业绩下滑的主要原因系下游需求不振，公司经营暂时承压。图图 57：公司近年营收：公司近年营收 图图 58：公司近年归母净利润：公司近年归

79、母净利润 数据来源：Wind，东北证券 数据来源：Wind，东北证券 自主研发核心技术，未来增长自主研发核心技术，未来增长动能充足动能充足。经过多年研发投入，公司在 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片的设计核心环节拥有较强的自主研发能力与核心技术。公司研发团队在电路设计、工艺制造、封装测试等环节拥有多年的从业经历和经验积累。在以客户需求为导向下，公司持续完善研究开发的系统化平台，为产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。凭借持续的技术创新能力，公司先后被评-60%-40%-20%0%20%40%60%02468101214营业收入（亿元）YoY-400%-200%0

80、%200%400%600%800%1000%1200%1400%-4-3-2-10123归母净利润（亿元）YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 25/31 电子电子/行业深度行业深度 为上海市高新技术企业、国家级“专精特新”小巨人企业等。未来随着产品线不断拓展，公司经营业绩有望迎来长足发展。3.6.澜起科技：内存接口芯片龙头，多路进击、爆发在即 从内存接口芯片起家一路成长为国际领先的数据处理及互连芯片设计公司。从内存接口芯片起家一路成长为国际领先的数据处理及互连芯片设计公司。公司成立于 2004 年，主营业务包括互连类芯片、津逮服务器平台和基于“近内存计算架构”的

81、AI 芯片，除互连类芯片中的 CKD 芯片、内存模组配套芯片，公司其余产品主要应用于数据中心服务器市场。图图 59：澜起科技业务概览：澜起科技业务概览 数据来源：澜起科技公告，东北证券 图图 60：各条产品线发展历程各条产品线发展历程 数据来源：澜起科技公告，东北证券 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 26/31 电子电子/行业深度行业深度 内存接口芯片恢复增长，内存接口芯片恢复增长，新品营收放量新品营收放量。2023 年公司实现营收 22.86 亿元，同比下降 37.76%，实现归母净利润 4.51 亿元，同比下降 65.30%，业绩下滑的主要原因系全球服务器及计算机

82、行业需求下滑，客户去库存，公司 DDR4 内存接口芯片与津逮CPU 出货量明显减少。2024Q1 公司实现营收 7.37 亿元，同比增长 75.74%，实现归母净利润 2.23 亿元，同比增长 1032.86%，业绩较快增长的主要原因系下游去库存结束，内存接口芯片恢复增长，同时 PCIe Retimer、MRCD/MDB 芯片等新产品开始规模出货。图图 61：澜起科技营收：澜起科技营收 图图 62：澜起科技归母净利润：澜起科技归母净利润 数据来源：Wind，东北证券 数据来源：Wind，东北证券 全球内存接口芯片龙头，全球内存接口芯片龙头，DDR5 产品升级产品升级&AI 算力需求提升，驱动公

83、司未来发展。算力需求提升，驱动公司未来发展。公司作为全球可提供DDR5内存接口及模组配套芯片全套解决方案的两家龙头厂商之一，充分享受 DDR5 产品升级带来的成长红利。DDR5 与 DDR4 相比，采用更低工作电压（1.1V），其支持最高速率可超过 6400MT/S，是 DDR4 最高速率的 2 倍以上。根据 JEDEC 标准，DDR5 内存模组上除了内存颗粒及内存接口芯片外，还需三种配套芯片，分别是串行检测集线器（SPD）、温度传感器（TS）以及电源管理芯片（PMIC)。多元化发展方面，公司 PCIe4.0 Retimer 芯片已成功量产，PCIe5.0 Retimer芯片研发进展顺利。津逮

84、CPU、混合安全内存模组（HSDIMM）和在研的 AI 芯片解决方案将充分受益 AI 发展带来的算力提升需求，驱动公司业绩增长。3.7.聚辰股份：DDR5 SPD 爆发在即，车规 EEPROM 未来可期 EEPROM 构筑基本盘，构筑基本盘，积极推进积极推进新品研发。新品研发。聚辰股份专注于集成电路设计领域，主要产品线包括非易失性存储芯片、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片，产品广泛应用于智能手机、液晶面板、计算机及周边、汽车电子、工业控制、通讯、蓝牙模块、白色家电、医疗仪器等领域。目前公司合作的晶圆制造厂主要为中芯国际，合作的封装测试厂主要为江阴长电、日月光半导体等。公司积极进行新品研发，研发方向

85、包括 SPD EEPROM 产品、汽车级 EEPROM 产品以及闭环和光学防抖音圈马达驱动芯片等。-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%05540营业收入（亿元，左轴）YoY-200%0%200%400%600%800%1000%1200%02468101214归母净利润（亿元，左轴）YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 27/31 电子电子/行业深度行业深度 表表 2：聚辰股份主要产品线及应用：聚辰股份主要产品线及应用 类别类别 产品线产品线 应用领域应用领域 存储存储类类芯片芯片 配套 DDR5 内存模组的 SPD 等

86、产品 个人电脑、服务器的 DDR5 内存模组 EEPROM 产品：I2C、SPI、Microwire 等标准接口 智能手机摄像头模组、液晶面板、工业控制、通讯、蓝牙模块、计算机及周边、白色家电、医疗仪器等；汽车智能座舱、视觉感知、底盘与车身以及新能源汽车的三电系统等 NOR Flash AMOLED 手机屏幕、TDDI 触控芯片、蓝牙模块等消费电子产品领域，汽车电子、安防监控、可穿戴设备、物联网等领域 音圈马达驱动音圈马达驱动芯片芯片 开环式、闭环式、光学防抖（OIS）智能手机摄像头 智能卡芯片智能卡芯片 双界面 CPU 卡芯片、非接触式/接触式 CPU卡芯片、非接触式/接触式逻辑卡芯片、RF

87、ID 芯片、读卡器芯片 公共交通、公共事业、校园一卡通、身份识别、智能终端等 数据来源：聚辰股份官网、公告，东北证券 多年耕耘开拓，产品线多年耕耘开拓，产品线不断不断丰富。丰富。2009 年聚辰从 ISSI 正式剥离运营，坐落于上海张江高科技园区。2012 年，公司 EEPROM 存储器进入三星、OPPO 等知名手机摄像头模组中，并实现量产。根据赛迪顾问统计，2018 年公司为全球排名第三的EEPROM 产品供应商，占有全球约 8.17%的市场份额，公司市场份额在国内EEPROM 厂商中排名第一。2019 年公司于科创板上市，应用于 DDR4 内存模组的SPD/SPD+TS EEPROM 产品

88、通过英特尔授权的第三方 AVL Labs 实验室认证，与下游知名通信设备商达成合作协议。2021 年，公司应用于 DDR5 的 SPD EEPROM 产品通过下游主要内存模组厂商的测试认证，并顺利实现量产；部分 A1 等级 EEPROM产品通过 AEC-Q100 认证。2022 年 NOR Flash 产品实现批量供货，首批 512Kb-4Mb容量的 NOR Flash 产品通过 AEC-Q100 Grade 1 验证。图图 63：聚辰股份发展历程：聚辰股份发展历程 数据来源：聚辰股份招股说明书、年报、官网，东北证券 经营业绩短期承压，内存模组经营业绩短期承压，内存模组 SPD 产品逐步放量。

89、产品逐步放量。2016-2019 年，公司营收由 3.07亿元增长至 5.13 亿元，CAGR 为 18.67%，营收增长较快的主要原因为 EEPROM 收入快速增长，其中手机后置多摄逐步推广及渗透，应用于手机摄像头的 EEPROM 产品销量快速增长，此外，应用于液晶面板的 EEPROM 收入同样实现增长。2020 年 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 28/31 电子电子/行业深度行业深度 及 2021 年，公司产品的主要下游智能手机需求疲软，公司营收增速放缓。2022 年实现营收9.80亿元，同比增长80.21%，实现归母净利润3.54亿元，同比增长226.81%，

90、业绩实现高速增长的主要原因为积极拓宽 EEPROM 产品在内存模组、汽车电子及工业控制等高附加值市场的应用，其中应用于 DDR5 的 SPD 产品大批量出货。2023年公司实现营收 7.03 亿元，同比下降 28%，实现归母净利润 1.00 亿元，同比下降72%，业绩有所下滑的主要原因为个人电脑及服务器市场需求疲软，内存模组厂商削减产能使得公司 SPD 产品销量下滑，同时研发费用增幅较大。图图 64：聚辰股份营收：聚辰股份营收 图图 65：聚辰股份归母净利润：聚辰股份归母净利润 数据来源：Wind，东北证券 数据来源：Wind，东北证券 SPD 产品先发优势明显，市场产品先发优势明显，市场领先

91、地位领先地位确保充分受益于确保充分受益于 DDR5 渗透率提升渗透率提升。2018年，聚辰股份与澜起科技全资子公司 Montage 合作，共同开发 DDR5 内存条模块。双方各承担 50%费用，各自享有各自独立开发的技术和知识产权，聚辰上海向Montage 生产提供带有 Montage 标识的 GIANTEC SPD 产品。2019 年，应用于 DDR4内存模组的 SPD/SPD+TS EEPROM 产品通过英特尔授权的第三方 AVL Labs 实验室认证，与下游知名通信设备商达成合作协议。2021 年，公司应用于 DDR5 的 SPD EEPROM 产品通过下游主要内存模组厂商的测试认证，并

92、顺利实现量产。聚辰把握内存技术迭代升级带来的市场机遇，目前 SPD 产品的下游产品已覆盖行业主要内存模组厂商。公司与澜起占据该领域的先发优势，具备领先地位，有望充分受益于DDR5 渗透率提升带来的市场规模增长。持续研发优化性能，增强产品竞争力持续研发优化性能，增强产品竞争力。聚辰股份深耕 DDR 内存模组配套芯片，持续在高分辨率、高测量精度方面发力。目前公司新一代高精度工业级数字温度传感器产品已完成改版优化设计，能够在宽温度范围内实现1的测量精度。公司持续进行技术创新，优化产品性能，核心竞争力有望不断增强。-40%-20%0%20%40%60%80%100%024681012营收（亿元，左轴）

93、YoY-100%-50%0%50%100%150%200%250%011223344归母净利润（亿元，左轴）YoY 请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 29/31 电子电子/行业深度行业深度 4.风险提示风险提示 1）行业竞争加剧的风险 如果市场竞争加剧，可能导致行业利润空间随之缩小，企业毛利率或出现下降趋势，从而影响公司的盈利水平。2）新产品研发进度不及预期 技术创新是保持竞争力的关键，但同时伴随着高昂的研发成本和不确定性。未来若公司技术研发水平落后于行业升级换代水平，或公司技术研发方向与市场发展趋势偏离，将导致公司研发资源浪费并错失市场发展机会，对公司产生不利影响。3

94、）盈利预测与估值不及预期 如果行业竞争加剧或者下游需求恶化，公司盈利能力可能不及预期，同时，未来估值中枢可能下行。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 30/31 电子电子/行业深度行业深度 研究团队简介：研究团队简介：Table_Introduction 李玖：北京大学光学博士，北京大学国家发展研究院经济学学士（双学位），电子科技大学本科，曾任华为海思高级工程师、光峰科技博士后研究员，具有三年产业经验，2019 年加入东北证券，现任电子行业首席分析师。武芃睿：英国南安普顿大学光电研究中心硕士，华中科技大学光电信息本科，武汉大学工商管理学士（双学位）。曾任华为和上海微电子光

95、电工程师，具有三年产业经验，2020 年加入东北证券，现任电子行业资深分析师。孟爽：上海财经大学金融硕士，上海财经大学信息管理与信息系统学士。2022 年加入东北证券，现任电子组研究助理。分析师声明分析师声明 作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，并在中国证券业协会注册登记为证券分析师。本报告遵循合规、客观、专业、审慎的制作原则，所采用数据、资料的来源合法合规，文字阐述反映了作者的真实观点，报告结论未受任何第三方的授意或影响，特此声明。投资投资评级说明评级说明 股票 投资 评级 说明 买入 未来 6 个月内，股价涨幅超越市场基准 15%以上。投资评级中所涉及的市场基准：A 股市场以

96、沪深 300 指数为市场基准，新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）为市场基准；香港市场以摩根士丹利中国指数为市场基准；美国市场以纳斯达克综合指数或标普 500指数为市场基准。增持 未来 6 个月内，股价涨幅超越市场基准 5%至 15%之间。中性 未来 6 个月内，股价涨幅介于市场基准-5%至 5%之间。减持 未来 6 个月内，股价涨幅落后市场基准 5%至 15%之间。卖出 未来 6 个月内，股价涨幅落后市场基准 15%以上。行业 投资 评级 说明 优于大势 未来 6 个月内，行业指数的收益超越市场基准。同步大势 未来 6 个月内，行业指数的收益与市场基准持

97、平。落后大势 未来 6 个月内，行业指数的收益落后于市场基准。请务必阅读正文后的声明及说明请务必阅读正文后的声明及说明 31/31 电子电子/行业深度行业深度 重要声明重要声明 本报告由东北证券股份有限公司（以下称“本公司”）制作并仅向本公司客户发布，本公司不会因任何机构或个人接收到本报告而视其为本公司的当然客户。本公司具有中国证监会核准的证券投资咨询业务资格。本报告中的信息均来源于公开资料，本公司对这些信息的准确性和完整性不作任何保证。报告中的内容和意见仅反映本公司于发布本报告当日的判断，不保证所包含的内容和意见不发生变化。本报告仅供参考，并不构成对所述证券买卖的出价或征价。在任何情况下，本

98、报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的证券买卖建议。本公司及其雇员不承诺投资者一定获利，不与投资者分享投资收益，在任何情况下，我公司及其雇员对任何人使用本报告及其内容所引发的任何直接或间接损失概不负责。本公司或其关联机构可能会持有本报告中涉及到的公司所发行的证券头寸并进行交易，并在法律许可的情况下不进行披露；可能为这些公司提供或争取提供投资银行业务、财务顾问等相关服务。本报告版权归本公司所有。未经本公司书面许可，任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制、发表或引用。如征得本公司同意进行引用、刊发的，须在本公司允许的范围内使用，并注明本报告的发布人和发布日期，提示使用本报告的风险。若本公司客户（以下称“该客户”）向第三方发送本报告，则由该客户独自为此发送行为负责。提醒通过此途径获得本报告的投资者注意，本公司不对通过此种途径获得本报告所引起的任何损失承担任何责任。地址地址 邮编邮编 中国吉林省长春市生态大街 6666 号 130119 中国北京市西城区锦什坊街 28 号恒奥中心 D 座 100033 中国上海市浦东新区杨高南路 799 号 200127 中国深圳市福田区福中三路 1006 号诺德中心 34D 518038 中国广东省广州市天河区冼村街道黄埔大道西 122 号之二星辉中心 15 楼 510630