1、 1 证 券 研 究 报 告 证 券 研 究 报 告 公 司 深 度 研 究 公 司 深 度 研 究 新洁能（新洁能（605111）电子 高端功率器件国产替代先锋高端功率器件国产替代先锋 投资要点：投资要点： 国内功率器件国内功率器件设计领军设计领军企业企业 公司是国内最早一批专注于8英寸芯片工艺平台，对MOSFET、IGBT等先进的 半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在该领域具有雄 厚的技术实力和丰富的研发经验。目前公司已成为国内功率器件十强企业 中唯一采用fabless模式的厂商。 聚焦聚焦中高端功率器件，受益替代进口浪潮中高端功率器件，受益替代进口浪潮 公司依托“构建-衍
2、生-升级”的良性发展模式，产品能够快速、“裂变式” 研发生成，产品细分型号已达1000余种，客户已覆盖宁德时代、中兴通讯、 富士康、 视源股份、 九号机器人等各领域头部企业。 当前国内MOSFET、 IGBT 等中高端功率器件亟需替代进口，公司是国内率先掌握超结理论技术并量 产屏蔽栅功率MOSFET及超结MOSFET的企业，同时通过与华虹紧密合作已首 发12英寸平台的MOSFET产品，看好公司持续受益于国产替代浪潮，营收规 模将保持快速增长。 布局布局前沿前沿技术技术+ +封装产线封装产线，强化，强化核心核心竞争力竞争力 公司立足现有市场、产品，结合产学研合作，不断增加对半导体分立器件 行业内
3、新产品、替代产品的研发投入，全力推进高端功率MOSFET、IGBT 、 第三代半导体的研发与产业化，同时积极布局封装产线，将进一步提升公 司核心产品竞争力和成本把控的能力，保证盈利能力的稳步提升。 盈利预测及投资建议盈利预测及投资建议： 预测公司2020-2022年营业收入分别为9.16亿元、10.67亿元和12.38亿元， 同比增长18.57%、16.46%和16.08%；归母净利润为1.28亿元、1.52亿元和 1.82亿元， 同比增长29.88%、 19.53%和19.06%， 每股收益分别为1.26、 1.51 和1.79元，对应PE分别为40、34和28倍，首次覆盖给予“推荐”评级。
4、 风险提示风险提示：1）下游市场需求不及预期；2）新产品客户渗透不及预期； 3）竞争加剧导致产品价格下跌； Table_First|Table_Summary|Table_Excel1 财务数据和估值财务数据和估值 2018A2018A 2019A2019A 2020E2020E 2021E2021E 2022E2022E 营业收入（百万元） 715.79 772.54 916.02 1066.84 1238.40 增长率（%） 42.09% 7.93% 18.57% 16.47% 16.08% EBITDA（百万元） 162.31 113.50 146.41 171.95 201.96 净利
5、润（百万元） 141.42 98.21 127.55 152.46 181.51 增长率（%） 172.54% -30.55% 29.88% 19.53% 19.06% EPS（元/股） 1.40 0.97 1.26 1.51 1.79 市盈率（P/E） 36.35 52.35 40.30 33.72 28.32 市净率（P/B） 10.86 8.99 6.86 5.70 4.74 EV/EBITDA 23.75 33.43 33.99 28.51 23.75 数据来源：公司公告，国联证券研究所 2020 年 10 月 15 日 投资建议：投资建议： 推荐推荐 首次覆盖首次覆盖 当前价格：当前
6、价格： 50.80 元 基本数据基本数据 总股本/流通股本（百万股） 101.2/25.3 流通 A 股市值（百万元） 1285 每股净资产（元） 8.26 资产负债率（%） 20.90 一年内最高/最低（元） 50.80/28.67 一年内股价相对走势一年内股价相对走势 马群星 分析师 执业证书编号：S0590516080001 电话： 邮箱： 相关报告相关报告 请务必阅读报告末页的重要声明 0% 30% 60% 90% 新洁能 沪深300 2 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 正文目录正文目录 1.1. 国内功率器件设计领军企业国内功率器件设
7、计领军企业 . 4 4 1.1. 国内功率器件领军企业 . 4 1.2. 业务规模稳步提升 . 6 2.2. 聚焦中高端功率器件，受益替代进口浪潮聚焦中高端功率器件，受益替代进口浪潮 . 7 7 2.1. 国产中高端功率器件亟需突破 . 7 2.2. 国内晶圆产能持续扩张，供应链紧密合作 . 12 2.3. 聚焦于中高端 MOSFET 和 IGBT . 15 3.3. 布局前沿技术布局前沿技术+ +封装产线，强化核心竞争力封装产线，强化核心竞争力 . 1717 3.1. 布局高端产品，提升技术壁垒 . 17 3.2. 投建封装产线，向产业链下端延伸 . 20 4.4. 盈利预测与投资建议盈利预
8、测与投资建议 . 2222 5.5. 风险提示风险提示 . 2323 图表目录图表目录 图表图表 1 1：20192019 年中国功率半导体十强年中国功率半导体十强 . 4 图表图表 2 2：公司当前股权结构：公司当前股权结构 . 4 图表图表 3 3：公司主要运营模式及业务流程公司主要运营模式及业务流程 . 5 图表图表 4 4：公司主营产品示意：公司主营产品示意 . 5 图表图表 5 5：公司主营产品具体分类：公司主营产品具体分类 . 5 图表图表 6 6：公司主要业务营收结构公司主要业务营收结构 . 6 图表图表 7 7：公司近年营收情况（百万元）：公司近年营收情况（百万元） . 6 图
9、表图表 8 8：公司近年净利润情况（百万元）：公司近年净利润情况（百万元） . 6 图表图表 9 9：公司近年毛利率情况：公司近年毛利率情况 . 7 图表图表 1010：公司近年收益率情况：公司近年收益率情况 . 7 图表图表 1111：全球功率半导体市场趋势：全球功率半导体市场趋势 . 8 图表图表 1212：功率器件发展历程与类别：功率器件发展历程与类别 . 8 图表图表 1313：国内功率半导体市场趋势：国内功率半导体市场趋势 . 9 图表图表 1414：国内主要功率半导体市场结构：国内主要功率半导体市场结构 . 10 图表图表 1515：全球功率半导体竞争格局：全球功率半导体竞争格局
10、. 10 图表图表 1616：全球：全球 IGBTIGBT 市场规模市场规模 . 10 图表图表 1717：国内先进轨道交通装备技术路：国内先进轨道交通装备技术路线图线图 . 11 图表图表 1818：国内半导体分立器件进口情况：国内半导体分立器件进口情况 . 12 图表图表 1919：二极管器件进出口额（万美元）：二极管器件进出口额（万美元） . 12 图表图表 2020：全球：全球 8 8 英寸晶圆产量预测英寸晶圆产量预测 . 13 图表图表21：20172017- -20202020 全全球新增晶圆厂集中在中国球新增晶圆厂集中在中国 . 13 图表图表22：在：在大陆建厂数据统计大陆建厂
11、数据统计 . 14 图表图表23：公司前五大供应商（：公司前五大供应商（2019H1） . 14 图表图表 2424：公司：公司 MOSFETMOSFET 国内市场份额变化（国内市场份额变化（% %） . 16 图表图表 2525：国内：国内 MOSFETMOSFET 市场份额情况（市场份额情况（% %） . 16 图表图表 2626：公司部分下游客户：公司部分下游客户 . 16 图表图表 2727：公司募投项目概览：公司募投项目概览 . 17 图表图表 2828：第三代半导体材料电子性能对比：第三代半导体材料电子性能对比 . 19 图表图表 2929：化合物半导体材料成本趋势（美元）：化合物
12、半导体材料成本趋势（美元） . 20 图表图表 3030：SICSIC 器件在车器件在车用市场展望（百万美元）用市场展望（百万美元） . 20 图表图表 3131：公司各项业务毛利率对比（：公司各项业务毛利率对比（% %） . 21 nMtOmNmMmRnMtMsQtOmMtMaQaOaQnPpPoMpPiNmNnNlOoPrM9PrQuMwMpPmOuOpNsM 3 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 图表图表 3232：公司营收分类预测：公司营收分类预测 . 22 图表图表 3333：可比公司估值：可比公司估值 . 22 图表图表 3434：财务预测摘要：财务预测摘要
13、. 24 4 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 1. 国内功率器件国内功率器件设计设计领军企业领军企业 1.1. 国内功率器件国内功率器件领军领军企业企业 国内半导体功率器件设计领域的龙头企业国内半导体功率器件设计领域的龙头企业。公司起初由朱袁正先生、新潮集团、 新洁能半导体于 2013 年共同发起设立，现已成长为国内半导体功率器件设计领域的 龙头企业。 在中国半导体行业协会发布的 2016/2017/2018/2019 年中国半导体功率器 件企业排行榜中，公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业” 。当前公司总 部位于江苏无锡，设有深圳分公司和宁波分公司。 图表图表
14、 1 1：20192019 年中国功率半导体十强年中国功率半导体十强 排名 企业名称 排名 企业名称 1 扬州扬杰电子科技 6 无锡新洁能 2 吉林华微电子 7 瑞能半导体 3 无锡华润华晶微电子 8 常州银河世纪微电子 4 苏州固锝电子 9 江苏捷捷微电子 5 乐山无线电 10 北京燕东微电子 来源：CSIA2019，国联证券研究所 国内国内 8 8 英寸晶圆工艺研发先行者。英寸晶圆工艺研发先行者。 公司控股股东、 实际控制人朱袁正先生直接持 有公司 23.34%股权(同时朱袁正分别与叶鹏、王成宏等共计 10 名股东签订有关一致 行动的协议)。朱袁正先生亦是公司技术创新领军人物，在半导体行业
15、内拥有超过三 十年的研究和工作经历，是国内 MOSFET 等半导体功率器件领域研究及产业化的亲历 者和先行者。 以其为领军人物的公司研发团队， 是国内最早一批专注于 8 英寸晶圆片 工艺平台对 MOSFET、IGBT 等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行 者之一，在该领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。截至 2020 年 1 月 19 日， 公司拥有 97 项专利，其中发明专利 35 项、实用新型 59 项，外观设计 3 项。 图表图表 2 2：公司当前股权结构公司当前股权结构 来源：wind，国联证券研究所 公司是专业化垂直分工厂商（公司是专业化垂直分工厂商（fabless
16、fabless 模式） ：模式） ：芯片主要由公司设计方案后交由 芯片代工企业进行生产， 功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装 测试而成。 公司目前亦初步完成先进封装测试生产线的建设， 将少部分芯片自主封装 5 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 成功率器件后对外销售。 图表图表 3 3：公司主要运营模式及业务流程公司主要运营模式及业务流程 来源：公司招股书，国联证券研究所 公司主营产品为公司主营产品为 MOSFETMOSFET、IGBTIGBT 等先进功率半导体。等先进功率半导体。公司销售的产品按照是否封 装可以分为芯片和功率器件。公司产品系列齐全，广泛应
17、用于消费电子、汽车电子、 工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。功率 器件中，传统的二极管、三极管、晶闸管等主要基于投资规模为十亿元以内的 4、6 英寸晶圆片工艺平台进行生产，国内以上述产品为主的公司因此主要采取 IDM 模式； 而 MSOFET、IGBT 等因其产品特性和较高工艺要求则主要基于投资规模约 30 亿元的 8 英寸晶圆片工艺平台进行生产，行业内企业更多以 fabless 模式为主。 图表图表 4 4：公司主营产品示意公司主营产品示意 图表图表 5 5：公司主营产品具体分类公司主营产品具体分类 来源：公司招股书，国联证券研究所 来源：公司招股书，国联
18、证券研究所 6 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 功率器件占营收比例呈逐年上升趋势功率器件占营收比例呈逐年上升趋势。 根据最新披露， 公司功率器件和芯片的营 收占比分别为 76%和 24%，功率器件占营收比例呈逐年上升趋势。 图表图表 6 6：公司公司主要业务营收结构主要业务营收结构 来源：wind，国联证券研究所 1.2. 业务规模稳步提升业务规模稳步提升 营收规模稳步上升。营收规模稳步上升。2017/2018/2019 各报告年度，公司分别实现营业收入 50,375.98 万元、71,579.03 万元和 32,834.82 万元；扣除非经常性损益后的净利润 分别为
19、3,446.81 万元、 6,867.81 万元、 13,955.56 万元和 3,510.35 万元。 自 2019Q4 以来，半导体行业逐渐回暖，公司 2020 年上半年销量、收入、净利润同比均有大幅 提升，营收和扣非净利润分别同比增长 17%和 51%。 图表图表 7 7：公司近年营收情况（百万元）公司近年营收情况（百万元） 图表图表 8 8：公司近年净利润情况（百万元）公司近年净利润情况（百万元） 来源：wind，国联证券研究所 来源：wind，国联证券研究所 盈利水平来看，公司近年毛利率和净利润呈逐步上升态势。盈利水平来看，公司近年毛利率和净利润呈逐步上升态势。2019 年公司整体毛
20、 利率有所下降，主要原因系：一方面，受中美贸易摩擦以及行业内竞争者增多等因素 的影响，国内 MOSFET 市场供需关系发生变化，公司芯片和功率器件销售单价有所下 44.3% 57.3% 70.0% 73.8% 76.0% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 0 100 200 300 400 500 600 200192020H1 功率器件 芯片 器件占比（右轴） 0 10 20 30 40 50 0 200 400 600 800 1,000 200182019 2020H1 营业总收入 同比(%) -50 0 5
21、0 100 150 200 0 50 100 150 200182019 2020H1 归属母公司股东的净利润 同比(%) 7 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 降；另一方面，2017 年至 2018 年，由于国内 8 英寸芯片代工供应紧张，芯片代工企 业自 2018 年起纷纷提高代工单价，由于芯片代工周期较长，往往需要提前下订单， 2019 年上半年，公司芯片代工采购单价仍保持高位，引致公司芯片和功率器件单位 成本有所增加。 销售单价下降、 单位成本上升引致公司芯片和功率器件毛利率有所下 降。 图表图表 9 9：公司近年毛利率情况公司近年毛利率情况
22、 图表图表 1010：公司近年收益率情况公司近年收益率情况 来源：wind，国联证券研究所 来源：wind，国联证券研究所 2. 聚焦聚焦中高端功率器件，受益替代进口浪潮中高端功率器件，受益替代进口浪潮 公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品， 是国内率先掌握超结 理论技术， 并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一， 是国内最早同 时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 及 IGBT 四大产品 平台的本土企业之一。 凭借先进的技术、 丰富的产品种类、 卓越的品质和优质的服务， 公司取得了客户的广泛好评和较好的市
23、场口碑， 并与客户保持了良好的商业合作关系， 培育了一大批忠实客户，为公司不断积累客户资源取得长远发展提供了有力的保障。 2.1. 国产中高端功率器件亟需突破国产中高端功率器件亟需突破 分立器件行业是半导体产业的重要分支，亦是电力电子产品的基础之一分立器件行业是半导体产业的重要分支，亦是电力电子产品的基础之一。主要 用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等，具有应用范围广、用量大等特点， 在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络 通讯等众多国民经济领域均有广泛的应用。 IHSMarkit 数据显示， 2018 年全球功率器 件市场规模约为 391 亿美元，预
24、计至 2021 年市场规模将增长至 441 亿美元，CAGR 为 4.1%，其中 MOSFET 和 IGBT 有望成为未来 5 年增长最强劲的功率器件。 16.54 18.89 24.69 31.63 20.73 24.36 4.93 8.54 10.30 19.76 12.71 14.40 0 10 20 30 40 2001820192020H1 毛利率(%) 净利率(%) 11.16 21.15 14.74 29.87 17.18 8.83 9.09 14.45 13.83 26.22 13.78 6.92 0.00 10.00 20.00 30.00 40.00
25、2001820192020H1 ROE(%) ROA(%) 8 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 图表图表 1111：全球功率半导体市场趋势全球功率半导体市场趋势 来源：IHSMarkit，国联证券研究所 功率器件功率器件已已历经数代发展。历经数代发展。在 20 世纪 50 年代，功率二极管、功率三极管面世并 应用于工业和电力系统。 20 世纪 60 至 70 年代， 晶闸管等半导体功率器件快速发展。 20 世纪 70 年代末，平面型功率 MOSFET 发展起来；20 世纪 80 年代后期，沟槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世， 半导体功
26、率器件正式进入电子应用时代。 20 世纪 90 年代， 超结 MOSFET 逐步出现，打破传统“硅限”以满足大功率和高频化的应用需求。2008 年，英飞凌（Infineon）率先推出屏蔽栅功率 MOSFET，半导体功率器件的性能进一 步提升。 图表图表 1212：功率器件发展历程与类别功率器件发展历程与类别 345 328 334 369 391 404 422 441 7% -5% 2% 11% 6% 3% 5% 5% -6% -4% -2% 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 0 100 200 300 400 500 2001720182019E2020E
27、2021E 全球功率半导体（亿美元） 增速（右轴） 9 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 来源：公司招股书，国联证券研究所 MOSFETMOSFET、IGBTIGBT 中高端器件国内仍依赖进口中高端器件国内仍依赖进口。对国内市场而言，功率二极管、功 率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而 MOSFET、IGBT 等分立器 件产品由于其技术及工艺的先进性， 还较大程度上依赖进口， 未来进口替代空间巨大。 国内功率半导体需求占全球国内功率半导体需求占全球 35%35%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技 术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体
28、消费国，2018 年市场需 求规模达到 138 亿美元，增速为 9.5%，占全球需求比例高达 35%。预计未来中国功率 半导体将继续保持较高速度增长，2021 年市场规模有望达到 159 亿美元，年化增速 达 4.8%。 图表图表 1313：国内功率半导体市场趋势国内功率半导体市场趋势 来源：IHSMarkit，国联证券研究所 具体细分来看： 1）MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与 数字电路的场效晶体管，具有导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好等优 点，特别适合用于电脑、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS 电源等电 源
29、控制领域。 全球全球 M MOSFETOSFET 市场规模超市场规模超 6060 亿美元。亿美元。 随着消费电子、 汽车电子和工业电子为主的 市场销售稳定增长，2016 年 MOSFET 市场规模持续增长。得益于市场对高效能电子器 件的需求增加，预计 MOSFET 市场未来将继续稳定增长。2016 年，全球 MOSFET 市场 规模达到 62 亿美元，预计 2016 年至 2022 年间 MOSFET 市场的复合年增长率将达到 3.4%；预计到 2022 年，全球 MOSFET 市场规模将接近 75 亿美元。特别地，随着全球 新能源汽车规模的增长，2016 年至 2022 年间 MOSFET
30、在汽车应用领域的市场需求预 计将以 5.1%的复合年增长率快速增长；到 2022 年，其在汽车应用领域的需求将超越 计算机和数据存储领域，占总体需求市场的 22%。 111 110 112 126 138 144 153 159 9% -1% 2% 13% 10% 4% 6% 4% -2% 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 14% 0 50 100 150 200 2001720182019E2020E2021E 中国功率半导体（亿美元） 增速（右轴） 10 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 图表图表1414：国内主要国内主要功率半导体功
31、率半导体市场结构市场结构 图表图表 1515：全球全球功率半导体竞争格局功率半导体竞争格局 来源：IHSMarkit，国联证券研究所 来源：IHSMarkit，国联证券研究所 英飞凌与安森美占国内份额英飞凌与安森美占国内份额近近 50%50%。根据 Omidia 数据，国内功率 MOSFET 市场主 要厂商是英飞凌（Infineon）和安森美（ONSemiconductor） ，2019 年市场份额分别 为 27%和 18%，两者合计占据了国内将近一半市场，因此，在国内 MOSFET 市场中，国 内厂商进口替代的潜力巨大。 2）IGBT 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由双极型三极管（BJT）
32、和 MOSFET 组成的复合全 控型电压驱动式半导体功率器件，兼有 MOSFET 的高输入阻抗和双极型三极管（BJT） 的低导通压降两方面的优点，IGBT 驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流 电压为 600V 及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引 传动等。 IGBTIGBT 是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件。其成本占到新能源汽车 整车成本的 10%， 占充电桩成本的 20%。 由于未来几年新能源汽车/充电桩等新兴市场 的快速发展，IGBT 等半导体功率器件将迎来黄金发展期。 图表图表 1616：全球全球 IG
33、BTIGBT 市场规模市场规模 来源：产业信息网，国联证券研究所 20% 14% 60% 6% MOSFET IGBT 电源管理IC 其他 28% 13% 8% 7% 7% 37% 英飞凌 安森美 意法半导体 东芝 瑞萨 其他 0 10 20 30 40 50 60 70 80 200022 IGBT市场规模（亿美元） 11 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 新能源汽车将带来新能源汽车将带来 200200 亿元的新增市场。亿元的新增市场。未来 IGBT 市场规模的快速增长主要受 益于其在节能、 能效提升等方面发挥的重要作用。 根
34、据中国产业信息网数据， 到 2020 年全球 IGBT 单管市场空间达到 60 亿美元左右， 市场空间巨大。 预计未来五年我国新 能源汽车和充电桩市场将带动 200 亿元 IGBT 模块的国内市场需求。根据中国产业信 息网数据，到 2018 年，国内 IGBT 市场规模达 161.9 亿元，2010 年至 2018 年复合增 长率达到 14.77%；但我国 IGBT 起步晚，未来进口替代空间巨大。 我们我们从技术实现和战略需求两个角度分析，功率器件厂商有望加速实现国产化从技术实现和战略需求两个角度分析，功率器件厂商有望加速实现国产化 替代，行业前景长替代，行业前景长期向好。期向好。 1 1）
35、战略需求端， 功率器件属于关键核心零部件。战略需求端， 功率器件属于关键核心零部件。 参照“制造 2025”技术路线图， 先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、高档数控机床和机器人等已列为 突破发展的十大重点领域。 功率半导体在以上重点领域皆具有关键性作用， 亟需自主 可控，战略地位突出。其中，计划 2025 年中国通信设备、轨道交通装备、电力装备 三个领域将整体步入世界领先行列， 成为技术创新的引导者， 而功率半导体器件被明 确列入先进轨道交通装备的关键零部件。 在政策和大基金为首的资本扶持下， 国内功 率半导体的国产化进程有望加速发展。 图表图表 1717：国内先进轨道交通装备技术
36、路线图：国内先进轨道交通装备技术路线图 来源：“制造 2025”技术路线图，国联证券研究所 2 2）从技术角度，相较于从技术角度，相较于 ICIC，功率器件更偏向于成熟、标准化产品，而并非依赖，功率器件更偏向于成熟、标准化产品，而并非依赖 和追求先进制程，其产品竞争力主要由工艺和产线的水平决定。和追求先进制程，其产品竞争力主要由工艺和产线的水平决定。 12 请务必阅读报告末页的重要声明 公司深度研究公司深度研究 图表图表1818：国内国内半导体半导体分立器件进口情况分立器件进口情况 图表图表 1919：二极管器件进出口额（万美元）二极管器件进出口额（万美元） 来源：中国半导体行业协会，国联证券研究所 来源：wind，国联证券研究所 随着国内半导体分立器件厂商逐步参与到国际市场的供应体系， 以及下游行业大 力创新对上游分立器件行业的驱动， 我国半导体分立器件行业已获得长足发展， 并逐 步形成对国外产品的替代。据中国半导体行业协会统计，2011 年至 2014 年中国半导 体分立器件产品进口额基本保持增长趋势，2014 年进口额达 313.8 亿美元。2017 年 中国半导体分立器件进口金额为 281.8 亿美元， 相较于 2014 年进口额下降了 10.20%，
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