1、 1 证券研究报告证券研究报告 公司研究/首次覆盖 2020年02月11日 机械设备机械设备/专用设备专用设备 当前价格(元)： 204.00 合理价格区间(元)： - 章诚章诚 执业证书编号：S0570515020001 研究员 王林王林 执业证书编号：S0570518120002 研究员 李倩倩李倩倩 执业证书编号：S0570518090002 研究员 关东奇来关东奇来 执业证书编号：S0570519040003 研究员 黄波黄波 执业证书编号：S0570519090003 研究员 时彧时彧 021-28972
2、071 联系人 资料来源：Wind 潜力深远的潜力深远的半导体设备国产化先锋半导体设备国产化先锋 中微公司(688012) 中微：中微：半导体设备半导体设备国产化国产化核心力量核心力量，5G 产业浪潮产业浪潮或将或将催生催生成长新机遇成长新机遇 中微是中国半导体设备产业中少数能与全球顶尖企业直接竞争并不断扩大 市场份额的公司，持续研发投入、人才储备及激励是公司崛起的重要因素， 其产品性价比、售后服务、地缘等方面的本土优势正逐渐显现。我们认为 半导体设备需求及订单向上拐点或已到来，2020 年行业有望较快成长，新 增需求源自 5G 商用推动全球存储扩产及中国大陆整体晶圆、封测产能扩 张，其中刻蚀
3、、薄膜沉积设备受益程度较高，公司作为国产刻蚀设备领军 者有望受益。预计 20192021 年 EPS 为 0.34/0.48/0.68， “增持”评级。 技术实力获得海内外一线芯片制造企业认可，国产化优势正在逐步显现技术实力获得海内外一线芯片制造企业认可，国产化优势正在逐步显现 公司刻蚀设备虽在销售规模上与全球巨头尚有差距，但已应用于全球最先 进的 7nm 和 5nm 产线，近三年主要客户包括台积电、中芯国际、长江存 储、海力士、华力微、联华电子等。2019 年公司 CCP 设备成功取得 5nm 逻辑电路、64 层 3D NAND 制造厂订单，开拓阶段的 ICP 设备已在某先进 客户验证成功并
4、量产，并有机台在数家客户验证。我们认为国产企业实现 市场份额上升的关键在于提升设备效率及稳定性、匹配客户工艺要求、持 续的研发投入保持技术领先性，客户选择设备商的核心是“性价比”而非 “售价” 。在与海外设备龙头的竞争中，公司的进口替代优势逐渐显现。 2020 年或是半导体设备产业转机之年年或是半导体设备产业转机之年，公司迎来加速成长的历史契机，公司迎来加速成长的历史契机 受益于 5G、AI、IoT 产业驱动，2019 下半年以来全球/中国半导体销售、 主流晶圆厂资本支出及北美半导体设备制造商销售情况均出现不同程度复 苏，我认为半导体设备需求及订单向上拐点或已到来。目前中芯国际、长 江存储、合
5、肥长鑫等本土领军企业正分别在逻辑电路芯片、3D NAND、 DRAM 存储芯片领域布局先进制程产能且技术逐步成熟，为国产设备提供 了更前沿的验证试用平台和进口替代机会。中国芯片产能逆周期投资为国 内设备需求提供了较强成长韧性，其中 5G 时代本土存储芯片扩产对国产 刻蚀设备、薄膜沉积设备需求的拉动或最为显著，公司有望较充分受益。 潜力深远的半导体设备国产化先锋潜力深远的半导体设备国产化先锋，首次覆盖给予“，首次覆盖给予“增持增持”评级”评级 考虑公司日益提升的国际竞争力和半导体设备产业需求复苏、本土晶圆厂 扩产及技术成熟、5G 产业发展为公司带来的新机遇，我们预计公司 20192021 年归母
6、净利润分别为 1.84、 2.55、 3.62 亿元， PE 为 594、 428、 302 倍，PS 为 53、39、29 倍。2020 年半导体设备国内可比公司 PS、PE 均值为 10、77 倍，海外可比公司 PS、PE 均值为 5、22 倍。我们认为相 比于成熟发展阶段的海外龙头，公司正处于市场地位快速提升的高成长阶 段，同时其突出的技术及研发实力在本土企业中稀缺度很高。虽然估值存 在较高溢价， 但作为中国高端装备的 “核心资产” ， 其投资价值仍值得关注。 风险提示：宏观经济下行及半导体行业周期性波动的风险；国内芯片制造 技术突破慢于预期、产业投资不及预期的风险；公司半导体设备技术突
7、破 慢于预期的风险：行业竞争加剧及毛利率水平波动的风险；知识产权争议 和海外技术封锁的风险。 总股本 (百万股) 534.86 流通 A 股 (百万股) 51.42 52 周内股价区间 (元) 61.46-204.00 总市值 (百万元) 109,112 总资产 (百万元) 4,853 会计年度会计年度 2017 2018 2019E 2020E 2021E 营业收入 (百万元) 971.92 1,639 2,041 2,771 3,799 +/-% 59.45 68.66 24.52 35.76 37.08 归属母公司净利润 (百万元) 29.92 90.87 183.65 254.76 3
8、61.51 +/-% 112.53 203.72 102.11 38.72 41.90 EPS (元，最新摊薄) 0.06 0.17 0.34 0.48 0.68 (倍) 3,647 1,201 594.12 428.30 301.83 ,华泰证券研究所预测 0 913 1,827 2,740 3,653 (25) 19 64 108 152 19/0219/0519/0819/11 (万股)(%) 成交量(右轴)中微公司 沪深300 经营预测指标与估值经营预测指标与估值 公司基本资料公司基本资料 一年内一年内股价走势图股价走势图 投资评级：投资评级：增持增持（首次评级）（首次评级） 公司研究
9、/首次覆盖 | 2020 年 02 月 11 日 2 正文目录正文目录 核心要点 . 3 中微公司：潜力深远的国产半导体刻蚀设备领军企业. 4 十余年专注发展，构建半导体刻蚀设备+MOCVD 设备产业双布局 . 4 自主研发是公司发展的核心驱动力，人才激励机制保障长期竞争力 . 8 技术实力迈向全球第一梯队，半导体设备国产化具备坚实基础 . 11 全球刻蚀设备市场高度集中，海外龙头仍然占据领先地位 . 11 以中微为代表的国产刻蚀设备企业奋起直追，进口替代历史机遇到来 . 13 中微公司深耕海内外一线芯片制造企业，国产化优势正逐步显现 . 14 2020 年或是半导体设备产业转机之年，公司迎来
10、加速成长契机 . 15 5G 产业浪潮驱动，全球半导体设备市场出现改善迹象 . 15 逆周期投资强化中国设备市场韧性，国产半导体设备产业向上拐点到来 . 17 202021 年中国大陆刻蚀设备市场或达 29/32 亿美元，公司成长空间广阔 . 19 LED 新技术和应用方向的发展或将催生 MOCVD 设备新需求 . 20 盈利预测与估值讨论 . 21 PE/PB - Bands . 23 风险提示 . 23 公司研究/首次覆盖 | 2020 年 02 月 11 日 3 核心要点核心要点 一、中微公司是目前技术实力、研发体系最为强劲的本土半导体设备企业之一，是推动中一、中微公司是目前技术实力、研
11、发体系最为强劲的本土半导体设备企业之一，是推动中 国半导体设备国产化的核心力量。国半导体设备国产化的核心力量。 刻蚀设备及 MOCVD 设备行业均呈现高度垄断的竞争格 局，中微公司是我国半导体设备企业中少数能与全球顶尖设备公司直接竞争并不断扩大市 场占有率的公司， 相比于国产半导体设备产业的整体发展水平而言， 中微公司在研发投入、 技术积累、人才储备等多方面走在国内前列。 二、二、我们判断：受益于我们判断：受益于 5G 产业发展的驱动及本土芯片产能扩张，产业发展的驱动及本土芯片产能扩张，2020 年年或是半导体设或是半导体设 备产业备产业的转机之年，复苏拐点正在到来的转机之年，复苏拐点正在到来
12、。2019 年来受宏观经济承压、下游需求减弱等影 响，国内外半导体及设备市场均出现同比下滑。但我们认为，2019 下半年以来半导体设 备产业逐步出现复苏迹象，设备需求及订单的向上拐点或已经到来：1）历史上全球半导 体及设备产业每一次市场低迷都随技术创新到来而结束，受益于 5G、AI、IoT 产业驱动， 全球、中国半导体单月销售额已进入环比回升通道，三星、台积电、中芯国际等国内外主 流晶圆厂资本支出及北美半导体设备制造商销售情况也均已出现不同程度复苏；2）中国 芯片产能逆周期投资为设备需求提供了较强成长韧性，中国设备市场的全球占比持续提升， 2021 年或达全球之首。 三三、内资晶圆厂技术成熟度
13、上升为国产设备提供验证试用平台和进口替代机会。、内资晶圆厂技术成熟度上升为国产设备提供验证试用平台和进口替代机会。海外设备 龙头的技术发展历程均离不开与全球一流晶圆厂的合作开发，技术协同和产品验证至关重 要。 目前中芯国际、 长江存储、 合肥长鑫等本土领军企业正分别在逻辑电路芯片、 3D NAND、 DRAM 存储芯片领域布局先进制程产能且技术逐步成熟， 为国产设备提供了验证试用平台 和进口替代机会。 四四、本土存储芯片扩产对国产刻蚀设备本土存储芯片扩产对国产刻蚀设备、薄膜沉积设备、薄膜沉积设备需求的拉动最为显著需求的拉动最为显著，中微公司有，中微公司有 望受益。望受益。流量的增长是 5G 时
14、代的特征之一，无论是服务器还是云，5G 的高速度、大流 量自然会带来存储的大量需要， 移动终端10G内存+512G存储容量可能会成为主流配置。 我们认为随着 5G 大规模商用进程的推进， 2020 年存储需求量将会同比大幅增加。 存储芯 片扩产对设备的拉动效果显著， 例如在 3D NAND 存储芯片领域， 随着堆叠层数不断增多， 刻蚀、薄膜沉积工艺难度和次数不断增加，刻蚀设备、薄膜沉积设备需求更为受益。 五五、国内半导体设备上市公司目前、国内半导体设备上市公司目前 PE、PS 估值普遍高于海外同类企业，估值普遍高于海外同类企业，但但相比于全球市相比于全球市 占率较为稳定的海外龙头，占率较为稳定
15、的海外龙头， 中长期来看中长期来看本土企业本土企业的的高速成长高速成长有望一定程度上逐步消化有望一定程度上逐步消化 PE、 PS 估值。估值。PE 法为较为常见的估值方法，适用范围较广。但中国半导体设备公司目前正处 于对海外进行技术追赶的后进者状态，研发投入较高且研发成果转化为新产品订单及收入 存在一定时滞，因此企业利润、现金流波动普遍较大。相比而言，我们认为 PS 法能够更 好地反映公司在市场地位、产品竞争力、客户拓展等方面的客观情况和进展，在本土企业 的突围阶段 PS 指标更具参考价值和同业可比性。我们认为相比于成熟发展阶段的海外龙我们认为相比于成熟发展阶段的海外龙 头，中微公司正处于市场
16、地位快速提升的高成长阶段，同时其突出的技术及研发实力在本头，中微公司正处于市场地位快速提升的高成长阶段，同时其突出的技术及研发实力在本 土企业中稀缺度很高。虽然估值存在较高溢价，但作为中国高端装备的“核心资产” ，其土企业中稀缺度很高。虽然估值存在较高溢价，但作为中国高端装备的“核心资产” ，其 投资价值仍值得关注。投资价值仍值得关注。 公司研究/首次覆盖 | 2020 年 02 月 11 日 4 中微公司：潜力深远的国产半导体刻蚀设备中微公司：潜力深远的国产半导体刻蚀设备领军领军企业企业 十余年专注发展，构建半导体刻蚀设备十余年专注发展，构建半导体刻蚀设备+MOCVD 设备产业双布局设备产业
17、双布局 中微公司是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加中微公司是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，公司工设备公司，公司专注于集专注于集 成电路、成电路、LED 关键制造设备，关键制造设备，核心产品核心产品包括：包括：1）用于用于 IC 集成电路领域的等离子体刻蚀集成电路领域的等离子体刻蚀 设备设备（CCP、ICP） 、深硅刻蚀设备、深硅刻蚀设备（TSV） ；） ；2）用于）用于 LED 芯片芯片领域的领域的 MOCVD 设备。设备。等 离子体刻蚀设备包括电容性等离子体刻蚀设备（CCP, Capacitively Coupled Plasma）和 电感性等离体刻蚀设
18、备（ICP, Inductively Coupled Plasma） 。电容性等离子体刻蚀设备主 要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。电感性等离 子体刻蚀设备主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料单晶硅、多晶硅等材料。MOCVD 即金属有机化合物化学气相 沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition） ，MOCVD 设备是 LED 芯片生产过程中 的关键设备。 图表图表1： 中微公司主要产品情况一览中微公司主要产品情况一览 资料来源：中微公司官网，中微公司招股说明书，华泰证
19、券研究所 目前公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从目前公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从 65 纳米到纳米到 14 纳米、纳米、 7 纳米和纳米和 5 纳米的集成电路加工制造及先进封装。 公司的纳米的集成电路加工制造及先进封装。 公司的 MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上设备在行业领先客户的生产线上 大规模投入量产，公司已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基大规模投入量产，公司已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基 LED 设备制造设备制造 商。商。具体进展包括具体进展包括： 公司研究/首次覆盖 | 2020 年 02 月 11 日 5 1） CCP
20、：公司从 2004 年建立起首先着手开发甚高频去耦合的 CCP 刻蚀设备 Primo D-RIE，到目前为止已成功开发了双反应台 Primo D-RIE，双反应台 Primo AD-RIE 和 单反应台的 Primo AD-RIE 三代刻蚀机产品，涵盖 65 纳米、45 纳米、32 纳米、28 纳 米、 22 纳米、 14 纳米、 7 纳米到 5 纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。 据公司 2019 中报， 2019 年公司已成功取得年公司已成功取得 5 纳米纳米逻辑电路、逻辑电路、64 层层 3D NAND 制造厂的订单。制造厂的订单。 2） ICP：公司从 2012 年开始开发 ICP 刻蚀设备
21、，到目前为止已成功开发出单反应台的 Primo nanova 刻蚀设备，同时着手开发双反应台 ICP 刻蚀设备。公司的 ICP 刻蚀设 备主要是涵盖 14 纳米、 7 纳米到 5 纳米关键尺寸的刻蚀应用。 据公司 2019 中报， 2019 年年公司继续开拓公司继续开拓 ICP 设备业务，已在某先进客户验证成功并实现量产，并有机台在其设备业务，已在某先进客户验证成功并实现量产，并有机台在其 他数家客户的生产线上验证。他数家客户的生产线上验证。 3） TSV：公司还顺应集成电路先进封装和 MEMS 传感器产业发展的需要， 成功开发了电 感性深硅刻蚀设备。 4） MOCVD：薄膜沉积设备方面，20
22、10 年中微公司开始开发用于 LED 器件加工中最关 键的设备MOCVD 设备。公司已开发了三代 MOCVD 设备，该设备是一种高端薄 膜沉积设备，主要用于蓝绿光 LED 和功率器件等生产加工，包括第一代设备 Prismo D-Blue、第二代设备 Prismo A7 及第三代更大尺寸设备。 公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有 35 年行业经验，年行业经验， 是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者。是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者。在创办中微公司以前，尹志尧博士 于 1984 年至
23、1986 年间供职于英特尔，从事核心技术开发工作；于 1986 年至 1991 年间 在泛林半导体负责领导若干重点产品的刻蚀技术开发；于 1991 年至 2004 年间在应用材 料担任高级管理职务，包括企业副总裁、刻蚀产品事业部总经理、亚洲总部首席技术官。 尹志尧博士是 89 项美国专利和 200 多项其他海内外专利的主要发明人。公司的其他联合 创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括杜志游博士、倪图强博士、麦仕义 博士、杨伟先生、李天笑先生等 160 多位各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设 备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。 公司目前无控股股东公司
24、目前无控股股东、实际控制人，、实际控制人，第一大股东上海创投持股第一大股东上海创投持股 18.02%，第二大股东巽鑫，第二大股东巽鑫 投资持股投资持股 17.45%，两者持股比例接近。，两者持股比例接近。根据公司目前的实际经营管理情况，公司重要决 策均属于各方共同参与决策，无实际控制人。截至招股说明书，公司共有境外法人股东 6 名，境内法人股东 20 名，自然人股东 8 名，其中持有公司 5%以上（含）股份或表决权 的股东，包括上海创投、巽鑫投资、南昌智微、置都投资、中微亚洲、Grenade、Bootes、 Futago、悦橙投资、创橙投资、亮橙投资和橙色海岸。公司持有国产半导体公司持有国产半
25、导体薄膜沉积薄膜沉积设备设备 制造商制造商沈阳拓荆沈阳拓荆 14.92%的股的股权。权。 图表图表2： 中微公司前十大股东情况（截至中微公司前十大股东情况（截至 2019 三季报）三季报） 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 2017 年公司年公司刻蚀设备刻蚀设备销售有所下降，销售有所下降，2018 年回归增长趋势。年回归增长趋势。刻蚀设备销售收入和集成电 路制造商新建或扩张产能的投资强度、投资节奏和建设周期关联性较强，因行业下游厂商 集中度较高，公司销售收入会因少数客户资本性支出规划的变化而出现波动。2016 年公 司刻蚀设备销量为 56 腔；2017 年受主要客户资本性支出消减的
26、影响，公司刻蚀设备销量 下滑至 33 腔，同比下降 41.07%；2018 年度，中国大陆集成电路制造商投资持续大幅增 长，公司及时重点加大在中国大陆市场的销售力度，刻蚀设备的销售数量回升至 71 腔， 公司研究/首次覆盖 | 2020 年 02 月 11 日 6 同比增长 115.15%， 呈现出快速增长的势头。 2018 年刻蚀设备销售单价同比下降 9.02%， 主要系公司 Primo SSC AD-RIE 型号刻蚀设备销售收入有所提升，而该型号刻蚀设备是单 腔单反应台，较其它单腔多反应台设备售价相对较低所致。受益于公司长期的技术积累，受益于公司长期的技术积累， Prismo A7 型号型
27、号 MOCVD 设备在设备在 2017 年以来全面获得客户的认可，销售数量快速增长。年以来全面获得客户的认可，销售数量快速增长。 2017 年和 2018 年， 公司 MOCVD 设备的销售数量分别为 57 腔和 106 腔， 同比大幅增长。 图表图表3： 近年公司刻蚀设备产品的产量和销量近年公司刻蚀设备产品的产量和销量 图表图表4： 近年公司近年公司 MOCVD 设备产品的产量和销量设备产品的产量和销量 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 图表图表5： 近年公司刻蚀设备产品收入近年公司刻蚀设备产品收入 图表图表6： 近年公司近年公司 M
28、OCVD 设备产品收入设备产品收入 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 图表图表7： 近年公司收入的业务构成情况近年公司收入的业务构成情况 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 75 50 95 56 33 71 0 20 40 60 80 100 201620172018 刻蚀装备产量（腔）刻蚀装备销量（腔） 6 106 136 3 57 106 0 20 40 60 80 100 120 140 160 201620172018 MOCVD装备产量（腔）MOCVD装备销量（腔） 4.70 2.89 5.66 -60% -40%
29、 -20% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 120% 0 1 2 3 4 5 6 201620172018 亿元 刻蚀设备YOY-刻蚀设备 0.16 5.30 8.32 0 2 4 6 8 10 201620172018 亿元 MOCVD 设备 77% 30% 35% 3% 55% 51% 19% 14%14% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 201620172018 刻蚀设备MOCVD设备其他设备备品备件设备维护 公司研究/首次覆盖 | 2020 年 02 月 11 日 7 近年公司近年公司营业收入保持高增长， 从营业收入保持高增长， 从 2016 年的年的
30、6.10 亿元增长至亿元增长至 2018 年的年的 16.39 亿元， 年均亿元， 年均 增长率达增长率达 64%，主要原因，主要原因包括包括：1）全球半导体产业需求不断增长，全球产能中心逐步向中 国大陆转移并带动了半导体设备需求增长；2）凭借良好的研究创新能力，公司持续加大研 发投入，不断推出新产品，如 Prismo A7 和 Primo AD-RIE-e 等，产品线不断升级丰富。3） 优质的客户资源和良好市场品牌是公司收入快速增长的重要保障， 凭借公司在不断发展过程 中积累形成的先进的技术、 优质的产品、丰富的行业经验和切实为客户解决问题的售后服务 体系，公司与国际及国内领先的半导体制造商
31、建立了良好的合作关系， 建立了良好的企业及 产品形象。2019 年前三季度公司继续延续收入高增长趋势，年前三季度公司继续延续收入高增长趋势，2019Q1-3 收入增速收入增速 25%。 图表图表8： 近年公司营业收入及增速近年公司营业收入及增速 图表图表9： 近年公司归母净利润及增速近年公司归母净利润及增速 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 公司的刻蚀设备下游客户主要是集成电路制造商、半导体封测厂商，定制化程度高，综合公司的刻蚀设备下游客户主要是集成电路制造商、半导体封测厂商，定制化程度高，综合 毛利率较高。公司的毛利率较高。公司的 M
32、OCVD 设备的下游客户主要是设备的下游客户主要是 LED 芯片制造商，标准化程度相对芯片制造商，标准化程度相对 较高，综合毛利率相对较低。较高，综合毛利率相对较低。20162018 年公司刻蚀设备毛利率分别为 43.13%、38.37% 和 47.52%，存在一定波动，主要原因为：1）公司刻蚀设备定制化程度较高，下游客户对 规格型号、产品标准、技术参数等方面的要求不尽相同，产品结构和功能存在差异，同类 设备价格及相关的毛利率间存在一定的差异；2）为积累先进工艺经验、加强重点客户黏 性、帮助其持续改进生产用材料、降低生产成本，公司按行业惯例对使用设备过程中出现 略低于客户期望的工艺参数的情况予
33、以补偿并计入当期营业成本，且 2017 年刻蚀设备营 业收入规模较低，导致当年公司刻蚀设备的毛利率同比出现下滑。 随着市场拓展和收入扩张，随着市场拓展和收入扩张，20162018 年年公司公司期间费用率期间费用率有所收缩有所收缩。20162018 年销售 费用率分别为 21.71%、 16.66%和 13.21%， 管理费用率分别为 9.38%、 8.75%和 7.96%。 20162018 年公司财务费用波动主要系受各年公司借款规模变化导致的利息费用波动和 汇率变动导致的汇兑收益的波动所致。2016 年公司研发投入全额计为研发费用，因此费 用率较高，2017、2018 年公司依据企业会计准则
34、的相关规定将部分符合资本化条件 的研发项目进行了资本化处理，研发费用率及期间费用率明显下降。2019Q1-3 期间费用 率 30.08%，与 2018 年期间费用率 29.02%较为接近。 图表图表10： 近年公司主要业务毛利率情况近年公司主要业务毛利率情况 图表图表11： 近年公司期间费用率情况近年公司期间费用率情况 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20019Q1-3 亿元 营业收入YOY 0% 50% 100% 150% 200% 25
35、0% 300% 350% 400% 450% (3.0) (2.5) (2.0) (1.5) (1.0) (0.5) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 20019Q1-3 亿元 归母净利润YOY 0% 20% 40% 60% 80% 20019Q1-3 刻蚀设备MOCVD -20% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 20019Q1-3 销售费用率管理费用率（含研发） 财务费用率期间费用率（含研发） 公司研究/首次覆盖 | 2020 年 02 月 11 日 8 自主研发自主研发+外延式成长外延式成长或或将是公司
36、进一步发展的路径。将是公司进一步发展的路径。据公司招股说明书，公司目前开发 的产品以集成电路前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等关键设备为主，并已逐 步开发应用于后道先进封装、 MEMS、 Mini LED、 Micro LED 等领域的泛半导体设备产品。 未来，公司将在适当时机通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖，并继续探索核 心技术在国计民生中创新性的应用。公司将继续通过自主研发进一步提高公司产品的竞争 力，为客户提供品质一流、性能创新的产品和优良的服务，努力提高市场份额。中微公司 将围绕自身核心竞争力，通过自主创新、有机生长，结合适当的兼并收购策略，不断推动 企业健康发展，力
37、争在未来十年发展成为国际一流的半导体设备公司。 自主研发是公司发展的核心驱动力，人才激励机制保障长期竞争力自主研发是公司发展的核心驱动力，人才激励机制保障长期竞争力 公司所处的半公司所处的半导体设备行业属于技术密集型行业，具有产品技术升级快、研发投入大、研导体设备行业属于技术密集型行业，具有产品技术升级快、研发投入大、研 发周期长、 研发风险高等特点。发周期长、 研发风险高等特点。 半导体关键设备的研发涉及等离子体物理、 射频及微波学、 结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等多种科学技术及工程领域学 科知识的综合应用。为了保持技术优势和竞争力，防止技术外泄风险，已掌握先进技术的
38、 半导体设备企业通常会通过申请专利等方式设置较高的进入壁垒。公司一贯重视自主知识公司一贯重视自主知识 产权的研发，建立了科学的研发体系及知识产权保护体系。产权的研发，建立了科学的研发体系及知识产权保护体系。 公司高度重视核心技术的自主创新，坚持走独立自主开发的路线，公司高度重视核心技术的自主创新，坚持走独立自主开发的路线，20162018 年内累计年内累计 研发投入研发投入 10.37 亿元， 约占同期营业收入的亿元， 约占同期营业收入的 32%。 凭借研发团队多年的努力以及持续不断 的研发投入，公司成功研发了具有独创性、先进性和前瞻性的半导体刻蚀设备及薄膜沉积 设备， 并实现了大规模产业化，
39、 积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、 专利储备。在刻蚀设备方面，公司成功开发了低电容耦合线圈技术、等离子体约束技术、 双反应台高产出率技术等关键技术。 在 MOCVD 设备方面， 公司新开发的 Prismo A7 设备 拥有双区可调控工艺气体喷淋头和带锁托盘驱动技术，以实现优良的波长和厚度均一性指 标。 图表图表12： 近年公司近年公司研发研发投入情况投入情况 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 通过核心技术的创新，公司的产品已达到国内领先、国际先进水平。通过核心技术的创新，公司的产品已达到国内领先、国际先进水平。在开发等离子体刻蚀 设备和 MOCVD 设备的过程中
40、，公司坚持走独立自主开发的路线，招募国际和国内一流的 技术人才，保持较高的研发投入。公司在设备的研发、设计和制造中始终强调创新和差异 化。在电容性等离子体刻蚀设备的开发中，公司在业界开创性地推出甚高频去耦合等离体 子刻蚀技术；在电感性等离子体源的开发中，创造性地设计了新型电感线圈架构，较大程 度减少电容性耦合引起的不良作用；在 MOCVD 设备的开发中，设计了精确定位的托盘锁 定机制。 3.02 3.30 4.04 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 201620172018 亿元 研发投入研发投
41、入的收入占比YOY-研发投入 公司研究/首次覆盖 | 2020 年 02 月 11 日 9 刻蚀设备技术：刻蚀设备技术：在逻辑集成电路制造环节，公司开发的高端刻蚀设备已运用在国际知名客 户最先进的生产线上并用于 7 纳米器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成 电路厂商的需求开发 5 纳米及更先进的刻蚀设备和工艺。在 3D NAND 芯片制造环节，公 司的电容性等离子体刻蚀设备技术可应用于 64 层的量产，同时公司根据存储器厂商的需 求正在开发 96 层及更先进的刻蚀设备和工艺。公司的刻蚀设备技术处于世界先进水平， 符合产业发展趋势。 图表图表13： 公司公司电容电容性性等离子体刻蚀设
42、备等离子体刻蚀设备（CCP）核心技术核心技术 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 图表图表14： 公司电感性公司电感性等离子体刻蚀设备等离子体刻蚀设备（ICP）核心技术核心技术 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验， 这一优势保证了公司产品和服务的不断进公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验， 这一优势保证了公司产品和服务的不断进 步。步。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至 2019 年 2 月 28 日，公司已申请 1,201 项专利，已获授权专利 951 项，其中发明专利 800 项。公司先后承担了五个国家科技发 展重大专
43、项研发项目，是执行国家科技发展重大专项的标杆单位。公司已顺利完成四个等 离子体刻蚀机的开发和产业化项目，目前正在执行的第五个研发项目已提前两年达到预定 技术指标。 图表图表15： 公司公司电容性等离子体刻蚀设备电容性等离子体刻蚀设备（CCP）主要研发项目主要研发项目 序号序号 名称名称 拟达到的主要目标拟达到的主要目标 阶段及进展情况阶段及进展情况 应用应用 技术水平比较技术水平比较 1 14-7 纳米 CCP 介质刻蚀机 研发及产业化 下电极和晶圆周边结构和性能改进、开发减少金 属污染和颗粒物产生的新材料和新表面处理方 法，满足均匀性、减少金属污染和颗粒物的要求； 开发腔体和气体传输系统采用
44、新型的防腐蚀涂层 材料 开发阶段 14-7 纳米集成电路 的 多 膜 层 结 构 刻 蚀、前端接触孔、 有机掩模层刻蚀等 刻蚀 国际先进水平 2 用于先进逻辑电路的 CCP 刻蚀设备 实现等离子体密度分布的可调 节，满足均匀性、 减少金属污染和颗粒物的要求 研究阶段 7 纳米以下逻辑电 路刻蚀 国际先进水平 3 用于存储器刻蚀的 CCP 刻 蚀设备 设计开发超低频和超大功率的射频等离子系统及 对应的静电吸 盘、多区控温性能的上电极、温度 可调节的边缘环系统等，满足超高深宽比的刻蚀 需求 研究阶段 3D NAND，128 层 追赶国际先进水 平 4 刻蚀设备的进一步改进 集成电路刻蚀设备的工艺改
45、进， 电极和晶圆周边 结构和性能的改进、优化上电极的设计等，满足 稳定生产的需求 研究阶段 顶层金属接触孔、 金属沟槽等的刻蚀 国际先进水平 公司研究/首次覆盖 | 2020 年 02 月 11 日 10 图表图表16： 公司电感公司电感性等离子体刻蚀设备性等离子体刻蚀设备（ICP）主要研发项目主要研发项目 序号序号 名称名称 拟达到的主要目标拟达到的主要目标 阶段及进展情况阶段及进展情况 应用应用 技术水平比较技术水平比较 1 14-7 纳米 ICP 介质刻蚀机 研发及产业化 涉及开发射频能量馈入电感式耦合线圈、双控细 分多区动态静电吸盘、先进的射频匹配技术及动 态、分区域的反应气体注入系统
46、等 开发阶段 14-7 纳米集成电路的 刻蚀，如双重/四重图 形、模板刻蚀、边墙刻 蚀、减薄刻蚀等 国际先进水平 2 高端 MEMS 等离子体刻蚀 设备研发及产业化 开发提高气体解离率和等离子体的均匀性的装 置；设计开发脉冲射频发生器；开发静电吸附卡 盘边缘保护装置和聚焦环等 开发阶段 先进 MEMS 芯片 国际先进水平 资料来源：中微公司招股说明书，华泰证券研究所 公司公司研发、工程技术人员占比达研发、工程技术人员占比达 37%、22%（截至（截至 2018 年末）年末） ，产品附加值高，人均产产品附加值高，人均产 值从值从 2016 年的约年的约 120 万元增长至万元增长至 2018 年的约年的约 250 万元。万元。公司按照电容性等离子体刻蚀 设备、电感性等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备、MOCVD 设备等不同研发对象和项目产 品， 组成了分工明确的专业研发团队。 截至 2018 年末， 公司共有研发和工程技术人
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