SiC器件成本构成(2022年) 原图定位 800V高压平台对功率器件的要求大幅提升,SiC MOSFET更具优势。一般在 400V高压平台下,功率器件所需要承受的最大电压在 650V左右,采用Si IGBT器件即可满足要求;而 800V电压下,功率器件对应的耐压等级需要提高至 1200V,虽然 Si IGBT器件也可满足 1200V的耐压要求,但是 Si IGBT的导通损耗和开关损耗有明显上升,使得硅基 IGBT的实际经济性大为降低,因此在 800V高压平台中企业更倾向选择高频低损耗的 SiC MOSFET器件。