1.什么是光刻机

光刻机是在微光刻与微/纳米制造技术的光刻工艺中进行曝光成像设备的统称;作为集成电路设计制造中最主要的生产设备，光刻机地位非常重要，而其研发难度也非常大，因此受到国家的高度重视。

2.光刻机的工作原理

(1)清洗玻璃并烘干，首先准备一块玻璃，玻璃的大小可以根据需要裁减，然后将玻璃清洗干净烘干，备用。

(2)在玻璃上涂覆光刻胶，光刻胶有正性和负性之分。

(3)干燥，采用固化干燥机让玻璃挥发液体成分，干燥的目的是为了玻璃进一步加工的需要。

(4)曝光，曝光的方式有很多种，比如激光直写、通过掩模板同时曝光等都可以。

(5)去胶，去胶的方法也很多，比如放在刻蚀剂中，用正性胶的话，被光照到的地方就会被溶解，没有光照到的地方光刻胶保留下来，到这里就已经在光刻胶上刻蚀出了所需图形。

(6)清洗，去胶结束后，对玻璃进行清洗。

(7)转移，转移的方法也有很多，可以采取离子束轰击，光刻胶和玻璃同时被轰击等等，光刻胶被轰击完后，暴露出来的玻璃也被轰击，就把光刻胶上的图形转移到玻璃上。这样就完成了。

3.光刻机的主要技术参数

(1)分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

(2)对比度∶指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

(3)敏感度:光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长的最小能星值〈或最小曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或m/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(Duv)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。

(4)粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动持性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。

(5)粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。

(6)抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。

(7)表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

(8)存储和传送:能星可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。

以上就是有关于光刻机的定义、工作原理及主要技术参数的全面梳理，如果还想了解更多光刻机的相关内容，敬请关注三个皮匠报告的行业知识栏目。

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