中国第三代半导体产业现状

因为制造设备、制造工艺和成本的劣势，多年以来，我国第三代半导体材料依旧只是在小范围内应用，无法挑战硅基半导体的统治地位。

当前，碳化硅衬底技术相对来说是比较简单的，国内已经实现了4英寸量产，除此之外，6英寸的研发也已经完成了，但是氮化镓(GaN)制备技术依旧还是有待提升，当前，国内企业已经可以小批量的生产2英寸衬底，且具备了4英寸衬底的生产能力，并且还开发出了6英寸样品。

国内与国外半导体行业的差距

1、中国以硅为代表的第一代半导体材料和国际一线水平差距最大

(1)生产设备方面，基本上所有的晶圆代工厂都会用到美国公司的设备，2019年全球前5名芯片设备生产商3家来自美国;而中国的北方华创、中微半导体、上海微电子等中国优秀的芯片公司只是在刻蚀设备、清洗设备、光刻机等部分细分领域实现突破，设备领域的国产化率还不到20%。

(2)生产代工方面，2019年台积电市场占有率高达52%，韩国三星占了18%左右，中国最优秀的芯片制造公司中芯国际只占5%，并且在制程上前面两个相差30年的差距。

(3)应用材料方面，美国已连续多年位列第一，我国的高端光刻胶几乎依赖进口，全球5大硅晶圆的供应商占据了高达92.8%的产能，美国、日本、韩国的公司具有垄断地位。

2、第二代半导体材料

(1)砷化镓晶圆环节，据相关数据，2018年前四大砷化镓外延片厂商为IQE(英国)、全新光电(VPEC，台湾)、住友化学(Sumitomo Chemicals，日本)、英特磊(IntelliEPI，台湾)，市场占有率分别为54%、25%、13%、6%。CR4高达98%。

(2)砷化镓元器件,砷化镓元器件产品(PA为主)，也是以欧美厂商为主，最大的是Skyworks(思佳讯)，市场占有率为30.7%;其次为Qorvo(科沃，RFMD和TriQuint合并而成)，市场份额为28%;第三名为Avago(安华高，博通收购)。这三家都是美国企业。

3、砷化镓晶圆制造环节，台湾系代工厂为主流，稳懋(台湾)一家独大，占据了砷化镓晶圆代工市场71%的市场份额，其次为宏捷(台湾)与环宇(GCS，美国)，分别为9%和8%。

但是就当前来说，从三个环节来看的话，我国已经有了突破的迹象，例如华为就是将手机射频关键部件PA通过自己研发然后转单给三安光电代工的。

除此直往外，第三代半导体值得我们关注，中国在以氮化镓和碳化硅为代表第三代半导体材料方面有追赶和超车的机会。

因为第三代半导体材料和应用产业发明并实用于本世纪初年，各国的研究和水平都是差不多的，国内产业界和专家认为第三代半导体材料成了我们摆脱集成电路(芯片)被动局面、实现芯片技术追赶和超车的良机!这就好像汽车产业，中国就是利用发展新能源汽车的模式来拉近和美、欧、日系等汽车强国的距离的，并且在某些领域实现了弯道超车、换道超车的局面，三代半材料性能优异、未来应用广泛，如果从这方面赶超是存在机会的!

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