宏微M3i与英飞凌T4、斯达半导产品主要技术对比 原图定位

公司M3i芯片与英飞凌T4、斯达半导同类产品技术水平相当。选取宏微典型的第三代 IGBT M3i 1200V 50A芯片与工控行业市场主流英飞凌T4产品、斯达半导对标英飞凌T4的 IGBT X 系列产品，公司的芯片关键参数中的击穿耐压、短路极限时间方面与英飞凌 T4 基本相同，在芯片损耗、电流密度等重要指标方面与英飞凌 T4 指标相接近，基于系统电磁兼容性考量，公司有增加栅极集成电阻，使得高温开通损耗略高于英飞凌 T4，同时公司产品与斯达半导产品性能不存在重大差异，属于国内主流产品技术水平。