表8功率放大器材料特性参数对比 原图定位 按照技术划分,功率放大器的制造工艺主要有 CMOS、E-PHEMT bipolar、HBT 和HEMT,分别使用不同的半导体材料。(1)CMOS(互补金属氧化物半导体)主要使用硅作为材料,为第一代半导体材料,电子迁移率和饱和漂移速度较低,适用频率范围较低;(2)E-PHEMT bipolar(增强型假晶高电子迁移率晶体管)和 HBT(异质结双极型晶体管)的工艺材料为砷化镓(GaAs),为第二代半导体材料,具备带隙能量较大、电子迁移率高的特性,且为直接带隙,发光效率高,可以作为适用高频率的器件材料;(3)HEMT(高电子迁移率晶体管)的主要材料氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,相较于前两代半导体材料,带隙能量更高,具有更高的临界击穿电场和更高的饱和漂移速度,能够承受更高的工作电压,适合更高频率,可实现更高的功率密度,同时耐高温、耐腐蚀、抗辐射等性能优异。