高功率放大器技术的性能对比 原图定位 在高功率放大器方面,LDMOS 技术由于其低频限制只在高射频功率方面取得了很小进展。GaAs 技术能够在 100GHz 以上工作,但其低导热率和工作电压限制了其输出功率水平。50V GaN/SiC 技术在高频下可提供数百瓦的输出功率,并能提供雷达系统所需的坚固性和可靠性。HV GaN/SiC 能够实现更高的功率,同时可显著降低射频功率晶体管的数量、系统复杂性和总成本。