据数据显示，半导体芯片材料主要有铜靶、钽靶、铝靶、钛靶、镍铂合金、钴靶、钨钛合金、钨靶等，其铜靶主要是导电层，运用说明是高纯铜材料因电阻很低，对芯片集成度的提高非常有效，因此在110nm 以下技术节点中被大量用作布线材料。

钽靶主要是阻挡层，运用说明是高纯包靶主要用在12英寸晶圆片90nm 以下的高端半导体芯片上;铝靶主要是导电层，其运用说明高纯铝靶在制作半导体芯片导电层方面应用甚广，但因其响应速度方面的原因，而在110nm 以下技术节点中很少应用。

钛靶主要是阻挡层，运用说明高纯钛靶主要用在8英寸晶圆片130nm和180nm技术节点上;镍铂合金和钴靶主要是接触层，而运用说明可与芯片表面的硅层生成一层薄膜，起到接触层作用;钨钛合金主要是接触层，其主要运用说明是钨钛合金，由于其电子迁移率低等优点，可作为接触层材料用于芯片的门电路中。钨靶主要运用说明是主要用于半导体芯片存储器领域。

铜靶、钽靶的运用备注是铜靶和但靶通常配合起来使用。晶图的制造技术向着更小的制程发展，铜导线工艺的应用量在增大，因此铜和但靶的需求有望持续增长。

铝靶、钛靶的运用备注是铝靶和钛靶通常配合使用。目前在汽车电子芯片等需要110nm以上技术节点来保证其稳定性和抗干扰性的领域，仍需大量使用铝、钛靶材。

文本由@栗栗-皆辛苦 原创发布于三个皮匠报告网站，未经授权禁止转载。
数据来源《【公司研究】江丰电子-溅射靶材龙头横向纵向延伸完成产业链布局-210405(22页).pdf》