TOPCon主要工艺技术路线 原图定位 总体来看,目前 TOPCon电池工艺还是以 LPCVD本征+扩磷法制备为主流,该方法成熟度最高,但绕镀问题较严重;LPCVD+离子注入工艺路线目前占地面积较大,几乎没有绕镀问题但是设备成本昂贵,正逐渐被边缘化;PECVD原位掺杂法原则上没有绕镀问题,与 PERC产线不兼容,更适合新的产线,后续有望通过工艺的成熟改善镀膜稳定性,成为主流技术。