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1、2021年年12月月21日日 一张图看懂天岳先进一张图看懂天岳先进 目录目录 CONTENTS 1 1.1. 行业介绍：第三代半导体行业介绍：第三代半导体 2.2. 公司及募投项目概况公司及募投项目概况 3.3. 风险因素风险因素 VWnXkZcZmU9UzWxU9PdN8OoMmMpNpOlOmNsQlOsQpN7NrQoOxNrQrQuOoPnR 2 行业介绍：第三代半导体行业介绍：第三代半导体 3 3 第三代半导体材料第三代半导体材料 碳化硅（碳化硅（SiC） 第一代 硅硅基半导体 第二代 砷化镓砷化镓半导体 第三代 碳化硅碳化硅、氮化镓氮化镓半导体 SiC与与Si衬底器件功耗对比衬底器

2、件功耗对比SiC与与Si衬底器件效率对比衬底器件效率对比 资料来源：Benefits of new CoolSiCTM MOSFET（W. Jakobi等），中信证券研究部 4 4 碳化硅工艺流程碳化硅工艺流程 碳化硅粉末碳化硅粉末碳化硅衬底碳化硅衬底碳化硅器件碳化硅器件 资料来源：OFweek，山东天岳官网，简析碳化硅在半导体行业中的发展潜力（杨玺），中信证券研究部 5 5 碳化硅器件功率范围碳化硅器件功率范围 资料来源：碳化硅材料技术发展及需求（周春峰），中信证券研究部 SiC/GaN半导体功率器件适用范围及应用对比半导体功率器件适用范围及应用对比 6 6 碳化硅由于其优异的物理性能碳化硅

3、由于其优异的物理性能，主要应用于中高压电场景主要应用于中高压电场景 碳化硅器件应用领域碳化硅器件应用领域 个人电脑数据中心电动汽车航运 风力发电轨道交通 电力电网 低压电低压电 GaN器件 高压电高压电 SiCSiC器件 中压电中压电 GaN/SiCSiC器件 电机控制光伏逆变器 家用电器 音频放大器可穿戴设备 6.5kV电压 资料来源：MDPI，中信证券研究部 7 7 碳化硅上游衬底及器件生产国外龙头维持领先碳化硅上游衬底及器件生产国外龙头维持领先，国产厂商逐步入局国产厂商逐步入局 碳化硅产业链碳化硅产业链 碳 化 硅 衬 底 导电型 半绝缘型 碳化硅外延 氮化镓外延 新能源汽车、 家电、工

4、业等 功率器件 射频器件 5G通信、 国防等 衬底衬底外延外延器件器件应用应用 交通航运 风力、太阳能 资料来源：公司招股说明书，Yole，中信证券研究部（Logo来自各公司官网） 天科合达天科合达 8 8 碳化硅衬底按导电性分为导电和半绝缘型碳化硅衬底按导电性分为导电和半绝缘型，按主流尺寸分为按主流尺寸分为4英寸和英寸和6英寸英寸 碳化硅衬底市场规模碳化硅衬底市场规模 SiC导电型衬底全球市场规模导电型衬底全球市场规模 (万片万片)SiC半绝缘型衬底全球市场规模半绝缘型衬底全球市场规模 (万片万片) 资料来源：中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟（含预测），中信证券研究部 SiC衬底全球市场规

5、模预测衬底全球市场规模预测 (亿元亿元) 1010 5 1 2 8 20 40 0 10 20 30 40 50 201720202025E2030E 4英寸导电型6英寸导电型 3 4 2 0.50.5 5 10 20 0 5 10 15 20 25 201720202025E2030E 4英寸半绝缘6英寸半绝缘 11.8 33.1 56.8 105.1 0 20 40 60 80 100 120 201720202025E2030E 9 9 半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件，导电型碳化硅衬底主要应用于制导电型碳化硅衬底主要应用于制

6、造功率器件造功率器件。Yole预计2025年氮化镓射频器件氮化镓射频器件全球市场规模可达20亿美元亿美元，2019至2025 年GAGR为18%；2025年碳化硅功率器件碳化硅功率器件全球市场规模可达25.62亿美元亿美元，2019年至 2025年CAGR为30%。 碳化硅器件市场规模碳化硅器件市场规模 GaN射频器件全球市场规模射频器件全球市场规模 (亿美元亿美元)SiC功率器件全球市场规模功率器件全球市场规模 (亿美元亿美元) 资料来源：公司招股说明书，Yole（含预测），中信证券研究部 5.41 25.62 0 5 10 15 20 25 30 20192025E CAGR=30% 7.

7、4 20 0 5 10 15 20 25 20192025E CAGR=18% 1010 射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，目前主流 的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底 制备的氮化镓射频器件氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。根据Yole预测， 至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况 下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。 主流射频器件对比及市场份额主流射频器件对比及市场份额 资料来源

8、：公司招股说明书，Yole（含预测），Analog Dialogue 不同类型射频器件的应用对比不同类型射频器件的应用对比不同类型射频器件不同类型射频器件(3W以上以上)市场份额市场份额 1111 公司主营业务收入主要来自于半绝缘型衬底收入公司主营业务收入主要来自于半绝缘型衬底收入。目前，具备半绝缘型碳化硅衬底生产 能力的国外同行业公司主要有CREE公司及II-VI公司。2020年，天岳先进天岳先进以30%的市场占 有率排名全球第三全球第三、国内第一国内第一。下游碳化硅器件市场，意法半导体占据最大市场份额，达 40%，其次为CREE和罗姆，分别占据15%和14%的市场份额。 碳化硅市场格局碳化

9、硅市场格局 2020年半绝缘型年半绝缘型SiC衬底市场格局衬底市场格局2020年年SiC器件全球市场格局器件全球市场格局 资料来源：公司招股说明书，Yole，中信证券研究部 33% 35% 30% 3% CREEII-VI天岳先进其他 40% 15% 14% 13% 8% 4% 6% 意法CREE罗姆英飞凌安森美三菱电机其他 12 公司及募投项目概况公司及募投项目概况 1313 公司发展历程公司发展历程 资料来源：公司官网，公司招股说明书，中信证券研究部 天岳先进天岳先进，全称山东天岳先进科技股份有限公司(SICC CO., LTD.)，有限公司成立于2010 年11月，并于2020年11月整

10、体变更为股份公司。注册资本38,674万元，于2021年年5月月31 日在科创板申请上市日在科创板申请上市。 公司专注于第三代半导体碳化硅碳化硅衬底的研发、生产和销售，实际控制人为董事长宗艳民。 2010.11 成立有限公司 CEMIA出具鉴定证明公司4英 寸半绝缘型碳化硅衬底达到 国内领先、国际先进水平 2015 2019 中标国家电网 的采购计划 2020.11 公司经股东大会审 议变更股份公司 获得国家科学技术 进步一等奖 2019.01 承担国家核高基重大 专项（01专项）项目 2017.01 获得山东省科技 发明一等奖 2014.01 1414 公司股权结构公司股权结构 资料来源：公

11、司招股说明书，中信证券研究部 截至2021年5月，公司控股股东为宗艳民宗艳民，现任董事长为宗艳民宗艳民，持股比例为33.43%。第 二大股东为济南国材，持股10%。宗艳民担任执行事务合伙人的员工持股平台上海麦明和 上海铸傲合计持有公司9.32%的股份，因此宗艳民合计控制公司42.75%的表决权，为公司 的实际控制人，具有直接影响公司重大经营决策的能力。 1515 公司主要产品：公司主要产品：碳化硅衬底、不合格衬底和晶棒。 公司主要产品公司主要产品 资料来源：公司招股说明书，中信证券研究部 产品类别产品图示下游产品和应用领域 碳化硅衬底碳化硅衬底 (4英寸/6英寸) 导电型 通过在导电型碳化硅衬

12、底上生长碳化硅外延层制 得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极 管、MOSFET、IGBT 等功率器件，应用在新能源 汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。 半绝缘型 通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延 层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成 HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电 探测等领域。 不合格衬底不合格衬底可用于设备研发测试或科研等用途。 无法达到半导体级要求的晶棒 非半导体级的半绝缘型碳化硅晶棒可作为宝石晶 棒用于加工制成莫桑钻等珠宝首饰进入消费品市 场，或用于设备研发与测试等领域。 1616 公司成立之初，曾探索过蓝宝石衬底领域。自2011年以来，公司开始

13、专注于碳 化硅衬底的研发及生产和销售，自此主营业务未再发生变化。公司业务发展历 程如下 公司业务发展历程公司业务发展历程 资料来源：公司招股说明书 1717 公司核心产品为公司核心产品为4英寸半绝缘型碳化硅衬底英寸半绝缘型碳化硅衬底 公司以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉，在特殊温场下，采用成熟的物理气 相传输法（PVT法）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，经过多道加工工序产出碳化硅衬底。目 前，公司6英寸半绝缘型和6英寸导电型衬底已形成小批量销售。 产品工艺流程产品工艺流程 资料来源：公司招股说明书，中信证券研究部 公司产品工艺流程图公司产品工艺流程图 高纯碳粉/硅粉 碳化硅粉 碳化硅晶锭 碳化

14、硅衬底碳化硅晶片碳化硅晶棒 晶 锭 加 工 原料合成晶体生长 晶片研磨、 抛光、清洗 晶棒切割 1818 核心技术：核心技术：均为自主研发取得，覆盖衬底 生产全流程，并为主营业务核心贡献力量 公司核心技术公司核心技术 核心技术名称核心技术名称成熟度成熟度 碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术自研/成熟 高纯碳化硅粉料制备技术自研/成熟 精准杂质控制技术及电学性能控制技术自研/成熟 碳化硅单晶生长过程中的缺陷控制技术自研/成熟 高面型质量的碳化硅晶棒多块切割技术自研/成熟 高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术自研/成熟 碳化硅衬底表面洗净技术自研/成熟 公司营业收入（万元）及主营业务占比公司营业收入

15、（万元）及主营业务占比 研发费用（万元）及占营业收入比例研发费用（万元）及占营业收入比例 项目项目2021H18 主营业务收入19253.9834919.1718635.938502.15 营业收入24721.5842481.1926855.8413613.40 主营业务收入 占总收入比例 77.88%82.20%69.39%62.45% 项目项目2021H18 研发费用4167.314550.091873.071231.38 营业收入24721.5842481.1926855.8413613.40 研发费用占 营业收入比 例 16.86%10.71

16、%6.97%9.05% 资料来源：公司招股说明书，中信证券研究部 1919 公司持续保持在国内行业领先技术地位公司持续保持在国内行业领先技术地位。公司历年来承担了国家核高基重大专项（01专 项）项目、国家新一代宽带无线移动通信网重大专项（03专项）项目、国家新材料专项、 国家高技术研究发展计划（863计划）项目、国家重大科技成果转化专项等多项国家和省 部级项目，走在国内碳化硅衬底领域前列。 公司研发情况公司研发情况 4英寸半绝缘 型碳化硅衬底 商业商业 应用应用 客户客户 验证验证 验收验收 阶段阶段 研发研发 阶段阶段 公司核心产品公司核心产品国家专项国家专项国家国家863863计划计划山东

17、省科技创新工程山东省科技创新工程 国际先进 6英寸半绝缘 型、导电型碳 化硅晶片 8英寸导电型 碳化硅晶片 国内领先 4英寸高纯半绝缘 4H-SiC单晶衬底材 料研究与产业化 已验收“01专项” 6英寸N型4H-SiC 单晶衬底材料工程 化研究与产业化 已验收“01专项” 面向5G通信的GaN 器件关键技术及系统 应用 在研“重点专项” 宽禁带碳化硅单晶 智能化生长装备研 发及产业化 低成本碳化硅半导 体器件与模组关键 技术 已验收 6英寸碳化硅衬底 制备及同质外延技 术研究 已验收 资料来源：公司招股说明书，中信证券研究部 待验收 2020 公司财务情况公司财务情况 资料来源：公司招股说明书

18、，中信证券研究部 营业收入（百万元）营业收入（百万元） 归母净利润（百万元）归母净利润（百万元） 136.13 268.56 424.81 247.22 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 20021H1 营业收入营业收入 -42.14 -200.68 -641.61 47.91 -700 -600 -500 -400 -300 -200 -100 0 100 20021H1 归母净利润归母净利润 2121 公司财务情况公司财务情况 资料来源：公司招股说明书，中信证券研究部 各业务毛利率各业务毛利率 期间费率情况

19、期间费率情况 8.45% 26.62% 34.94% 39.98% 54.05% 62.77% 36.86% 40.11% 25.57% 37.68% 35.28% 40.01% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 20021H1 主营业务主营业务其他业务其他业务综合综合 1.50% 0.76% 0.77% 1.95% 16.98% 96.94% 164.56% 10.60% 9.05% 6.97% 10.71% 16.86% 38.90% 17.12% 2.96% -1.29% -50% 0% 50% 100% 150% 200% 201820

20、1920202021H1 销售费用率销售费用率管理费用率管理费用率研发费用率研发费用率财务费用率财务费用率 2222 公司主公司主营业务情况营业务情况 资料来源：公司招股说明书，中信证券研究部 营业营业收入构成收入构成 各业务营业收入占比各业务营业收入占比 20021H1 金额金额同比（%）金额同比（%）金额同比（%） 半绝缘型碳化硅衬半绝缘型碳化硅衬 底底 销售收入（销售收入（百百万元）万元）77.89182.68134.53346.7589.81191.9340.55 销量（销量（片片）799817714121.4837670112.662449174.21 平均售价

21、（元平均售价（元/片片）9739.3810313.085.899204.94-10.747836.64-14.86 导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底 销售收入（销售收入（百百万元）万元）7.133.68-48.402.44-33.570.6175.00 销量（销量（片片）33991778-47.691196-32.73- 平均售价（元平均售价（元/片片）2097.002068.62-1.352042.98-1.24- 晶棒晶棒销售收入（百万元）销售收入（百万元）43.4274.1970.8864.31-13.3250.36104.21 不合格衬底不合格衬底销售收入（百万元）销售收入（百万元）3

22、.566.0369.4110.4272.774.31-14.76 其他其他销售收入（百万元）销售收入（百万元）4.131.97-52.290.89-55.05- 57.22% 68.02% 81.62% 77.63% 5.23% 1.37% 0.58% 0.25%31.90% 27.63% 15.14% 20.37% 2.62% 2.25%2.45% 1.75% 3.03% 0.73% 0.21% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 20021H1 半绝缘型衬底半绝缘型衬底导电型衬底导电型衬底晶棒晶棒不合格衬底不合格衬底其他其他 2323 公司产公司产能、产量

23、、销量情况能、产量、销量情况 资料来源：公司招股说明书，中信证券研究部 按公司产品类型划分产能按公司产品类型划分产能、产量情况：产量情况：公司核心产品碳化硅衬底可以分为半绝缘型和导电 型，两者的产能、产量和销量合计列出。其他产品实际上是生产碳化硅衬底的过程中的不 合格品，无法统计具体产能，只列出销量。 碳化硅衬底产能利用率、产销率碳化硅衬底产能利用率、产销率 其他产品销量其他产品销量 项目项目20021H1 产产能能（片片）806428301 产产量量（片片）753828114 产能利用率产能利用率99.07%100.88%98

24、.91%99.34% 销量（片）销量（片）886625893 产销率产销率99.42%96.69%81.76%92.10% 项目项目20021H1 晶棒晶棒（千克千克）950.261657.073221.484070.78 不合格衬底不合格衬底（片片）01806 基地建设与扩产计划基地建设与扩产计划 碳化硅半导体材料项目碳化硅半导体材料项目拟投资25亿元， 主要建设内容为购置土地、新厂房建 设和国内外先进生产设备的引入，以 提升产品质量、提高技术水平，并扩 大碳化硅单晶衬底的生产能力，满足 公司产品日益增长的市场需求。 本项目将

25、巩固公司在宽禁带半导体材 料产品应用领域的竞争优势与市场领 先地位，预计将为公司业绩持续增长 提供保障。 项目募资开工后，计划于2022年试生 产，我们预计将于2026年100%达产。 2424 公司前五大客户公司前五大客户 资料来源：公司招股说明书，中信证券研究部 2021H1前五大客户销售额（百万元）及占比前五大客户销售额（百万元）及占比 2020年前五大客户销售额（百万元）及占比年前五大客户销售额（百万元）及占比 121.91 40.60 28.52 27.37 8.23 0 20 40 60 80 100 120 140 客户客户B客户客户A喜荟天成珠宝喜荟天成珠宝客户客户D星悦珠宝星

26、悦珠宝 49.31% 16.42% 11.54% 11.07% 3.33% 8.33% 客户客户B客户客户A喜荟天成珠宝喜荟天成珠宝 客户客户D星悦珠宝星悦珠宝其他其他 192.99 141.55 24.63 13.13 7.72 0 50 100 150 200 250 客户客户A客户客户B喜荟天成喜荟天成星悦珠宝星悦珠宝优钻汇珠宝优钻汇珠宝 45.43% 33.32% 5.80% 3.09% 1.82% 10.54% 客户客户A客户客户B喜荟天成喜荟天成 星悦珠宝星悦珠宝优钻汇珠宝优钻汇珠宝其他其他 2525 发行情况与募资用途发行情况与募资用途 资料来源：公司招股说明书，中信证券研究部 2021H1 每股净资产 5.64元 不超过4942 万股(含超额 配售选择权) 占比不到12% 募集资金用途（单位：万元）募集资金用途（单位：万元） 项目名称项目名称投资规模投资规模 拟用募集资拟用募集资 金投资金额金投资金额 建设期建设期 碳化硅半导体材料项目250,000.00200,000.006年 合计合计250,000.00200,000.00 26 风险因素风险因素 2727 风险因素风险因素 公司导电型碳化硅产品订单落地进度不及预期；公司导电型碳化硅产品订单落地进度不及预期； 公司募投项目扩产进展不及公司募投项目扩产进展不及预期；预期； 行业竞争加剧行业竞争加剧。