士兰微IGBT芯片技术迭代情况 原图定位 公司最新一代的场截止5代芯片(Field-Stop V)采用了精细沟槽技术,具有更窄的台面宽度,沟槽间距缩小到1.6微米,功率密度更高、芯片尺寸更小、厚度更薄(1200V截止电压的芯片厚度为110微米),总体损耗相比上一代芯片明显降低。