基站GaN、GaAs、LDMOS的比重 原图定位

氮化镓将占射频器件市场半壁江山。现有的GaAs及硅基LDMOS晶圆工艺可以做到8~12英寸的晶圆产线，但主流的 GaN on SiC 仍然是 6 英寸，GaN 工艺相对前两者而言还处于发展阶段。目前射频器件领域 LDMOS、GaAs、GaN 三者占比相差不大，但据 Yole development 预测，至 2025 年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分 LDMOS 份额，占据射频器件市场约 50%的份额。