功率半导体传统硅基材料到宽禁带材料,器件性能大幅提升。随着硅基功率半导体器件工艺结构提升逐渐接近理论极限值,利用宽禁带材料制造功率半导体器件体现出比硅基材料更优异的特性。相比传统硅基,宽禁带材料在耐压和开关频率上具有更佳的性能,未来将逐步替代硅基功率器件成为高压高频应用领域的市场主流。其中,SiC 器件在导通电阻、阻断电压和结电容方面的性能显著优于传统 Si 基功率器件,更容易实现小型化、更耐高温工作,更适用于高压、高能量密度应用场景,未来可以在高压领域替代 IGBT 功率器件,在车载应用场景下 SiC 比 IGBT 器件在不同工况下效率明显提升。GaN 器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷,具有更高的开关频率,更适合于高频应用场景,但是在高压高功率场景不如 SiC 器件。GaN 器件有望在中低功率领域替代二极管、MOSFET 等硅基功率器件。
功率半导体传统硅基材料到宽禁带材料,器件性能大幅提升。随着硅基功率半导体器件工艺结构提升逐渐接近理论极限值,利用宽禁带材料制造功率半导体器件体现出比硅基材料更优异的特性。相比传统硅基,宽禁带材料在耐压和开关频率上具有更佳的性能,未来将逐步替代硅基功率器件成为高压高频应用领域的市场主流。其中,SiC 器件在导通电阻、阻断电压和结电容方面的性能显著优于传统 Si 基功率器件,更容易实现小型化、更耐高温工作,更适用于高压、高能量密度应用场景,未来可以在高压领域替代 IGBT 功率器件,在车载应用场景下 SiC 比 IGBT 器件在不同工况下效率明显提升。GaN 器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷,具有更高的开关频率,更适合于高频应用场景,但是在高压高功率场景不如 SiC 器件。GaN 器件有望在中低功率领域替代二极管、MOSFET 等硅基功率器件。