Si\GaN\SiC-MOSFET以及Si-IGBT对应的工作环境 原图定位 碳化硅在主驱、OBC、DC/DC 系统、充电桩中均已开启对硅基 IGBT 或超级结器件的替代。不同子系统的输出功率、工作频率需求有一定差别,主驱逆变器为大功率低频场景(功率100KW以上,工频 50KHz以下);车载充电机 OBC和 DC/DC系统为小功率高频场景(车载充电机 OBC:功率 3.3KW-22KW,工频 100KHz-300KHz)、DC/DC:功率 3KW,工频 100KHz以上);充电桩为中低功率中高频场景(功率 22KW-100KW,工频 50KHz-100KHz)。