Si与SiC快充设备成本比较——以30kW单一子系统为例 原图定位

高压快充趋势下功率器件演进，SiC 取代 Si-MOSFET。Si-MOSFET 比 IGBT 的开关损耗小，因此在要求高频开关的电源模块中成为主流应用，是电源模块主要应用的功率器件。但 900V以上 Si-MOSFET电阻损耗大，SiC-MOSFET损耗低，芯片小。当输出电压将由 750V提升到 900V、1000V甚至更高，Si将被 SiC替代。与传统硅基器件相比，碳化硅模块可以增加充电桩近 30%的输出功率，并且减少损耗高达 50%左右，对降低充电桩的系统成本至关重要。