图50Si材料与SiC、GaN材料的性能对比 原图定位 碳化硅(SiC)材料成为高端功率半导体领域更优解。碳化硅(SiC)材料是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅(Si)基材料,碳化硅(SiC)具有约 3 倍的禁带宽度,约 4 倍的导热率,近10 倍的击穿场强,具有高饱和电子漂移速率。3核心优势体现在耐高压、耐高温、高频等特性。