国内已发布8英寸SiC衬底的企业 原图定位 资料来源:晶升股份发行人及保荐机构第三轮问询回复意见,西部证券研发中心 此外,从 4 英寸到 6、8 英寸,国内企业与国外研发代差逐步缩短,8 英寸 SiC 衬底蕴含着国内厂商实现弯道超车的机遇。根据科友半导体,国际量产 4 英寸 SiC 衬底比国内早10 年以上,6 英寸比国内早约 7 年,8 英寸可能不超过 3 年。2022 年起,国内企业相继发布 8 英寸衬底;2023 年,三安光电完成 8 英寸 SiC 衬底小批量试制,乾晶半导体也成功长出 8 英寸 N 型 SiC 单晶锭。根据集邦咨询援引 Wolfspeed 数据,从 6 英寸到 8 英寸,衬底加工成本增加但合格芯片产量增加 80%-90%;同时 8 英寸衬底厚度增加有助于加工时保持几何形状、减少边缘翘曲度、降低缺陷密度,从而提升良率,因此采用 8 英寸衬底可将单位综合成本降低 50%,6 英寸向 8 英寸扩径的行业趋势明确:目前 8 英寸市占率不到 2%,预计 2026 年增至约 15%,2023-2024 年将是 8 英寸 SiC 元年。