氮化镓将占射频器件市场半壁江山。现有的GaAs及硅基LDMOS晶圆工艺可以做到8~12英寸的晶圆产线,但主流的 GaN on SiC 仍然是 6 英寸,GaN 工艺相对前两者而言还处于发展阶段。目前射频器件领域 LDMOS、GaAs、GaN 三者占比相差不大,但据 Yole development 预测,至 2025 年,砷化镓市场份额基本维持不变的情况下,氮化镓有望替代大部分 LDMOS 份额,占据射频器件市场约 50%的份额。
氮化镓将占射频器件市场半壁江山。现有的GaAs及硅基LDMOS晶圆工艺可以做到8~12英寸的晶圆产线,但主流的 GaN on SiC 仍然是 6 英寸,GaN 工艺相对前两者而言还处于发展阶段。目前射频器件领域 LDMOS、GaAs、GaN 三者占比相差不大,但据 Yole development 预测,至 2025 年,砷化镓市场份额基本维持不变的情况下,氮化镓有望替代大部分 LDMOS 份额,占据射频器件市场约 50%的份额。