GaN、GaAs和LDMOS性能比较 原图定位 2、GaN on SiC:5G 基站建设拉动代工需求旺盛 碳化硅基氮化镓主要用于 5G 基站 PA。氮化镓属于第三代半导体,其禁带宽度、电子饱和迁移速度和工作温度等特性显著优于传统半导体材料,再配合碳化硅衬底可同时适用于高功率和高频率场景,完美符合了 5G 基站射频高频、耐压、耐高温等特性要求,因此碳化硅基氮化镓是制造 5G 基站射频部件的绝佳材料,目前已经被大量用于制造基站 PA。