新型存储技术关键指标对比 原图定位 新型存储崭露头角,国内企业加速推进 ReRAM 等新型存储技术的产业化,未来或存在新的投资机遇。新兴的存储技术旨在集成 SRAM 的开关速度和 DRAM 的高密度特性,并具有 Flash 的非易失特性。主要包括相变存储器(PCM)、磁变存储器(MRAM)、阻变存储器(RRAM/ReRAM)以及铁电存储器(FRAM/FeRAM)等。其中,阻变存储器被市场关注较多。ReRAM 技术更适合在存储单元中采用多级存储,有利于降低存储器计算的能耗、提高成本效益,近年来台积电,Crossbar、英特尔、富士通、三星、UMC、Adesto 等国际厂商已对该技术进行重点布局。国内市场上,昕原半导体基于 ReRAM 的“昕·山文”安全存储系列产品已实现在工业自动化控制核心部件的商用,这标志着 ReRAM 新型存储技术在 28nm 工艺节点上通过了严苛的测试,已被工控领域接受,我国 ReRAM 新型存储产业化再进一步。此外,兆易创新和Rambus 联手建立合资企业合肥睿科微,进行 ReRAM 技术的商业化。