根据计算,单片12英寸Wafer可切割HBM3/3EDRAM约442(=491x0.9)颗 原图定位 此外,根据 Digitimes 24 年 3 月报道,鉴于 TSV 穿孔和键合过程易带来芯片翘曲,海力士 HBM3/ TSV+键合工艺良率仅 60%-70%,较一般 DRAM 低 20-30pct,而海力士采用的 Advanced MR-MUF 键合已较三星和美光采用的 TC-NCF键合在良率上有所优 势, 因此美光和三星 HBM 键合良率可能更低。同时 ,台媒科技新报 24 年 3 月报道指出,供应商试图拉高良率会带来产量下降,鉴于 HBM 产能吃紧,因此确保产量优先级更高。结合上述信息,我们认为美光和三星 HBM3 量产后,伴随产能爬坡,工艺良率将有所提升并趋于稳定,但使用 TC-NCF 键合所以良率仍将低于海力士,预测 24 年海力士/三星/美光整体 HBM 良率 60%/40%/45%,25 年小有爬升,将是 60%/42%/47%。