对于多晶硅膜沉积,LPCVD/PECVD/PVD三条路线对比 原图定位 LPCVD 技术最成熟,PECVD 技术综合性能最强。从工业技术成熟度看,LPCVD技术最成熟,无论是量产设备成熟度,还是实验室验证程度上看,LPCVD技术相比其他两条路线更为成熟;而 PECVD技术仅次于其后;从单面沉积角度看,LPCVD沉积技术是无方向性的,导致严重绕镀,而 PVD技术可实现单面沉积,无绕镀现象;从原位掺杂角度看,PECVD最适合原位掺杂,而 LPCVD、PVD技术原位掺杂能力较弱,即掺杂难度大、或者掺杂后浓度不达标;