公司于2011年和2015年研发出NPT型和FS-Trench芯片 原图定位

公司已自主研发两代 IGBT 芯片，在研的第三代芯片对接国际第七代技术。公司长期致力于 IGBT 芯片的自主研发，分别于 2012 年和 2015 年成功独立地研发出 NPT 型芯片和 FS-Trench 芯片，分别对接国际上第四、第六代芯片技术。从 20 世纪 80 年代至今，IGBT 芯片经历了多次升级，芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从 600V 提高到 6500V 以上。目前，公司正在进行第三代 IGBT 芯片的研发，对接英飞凌、三菱等国际龙头公司的第七代技术水平。