双大马士革工艺（via-trench，先通孔再沟槽）技术示意 原图定位

早期的后段布线工艺以铝导线为主，随着电路频率上升和尺寸的缩小，铝制程的信号延时增大，需要更高电导率的材料。金属铜电阻率低且更不容易发生电子迁移，有较高的可靠性。但是铜与硅的接触电阻很高，且铜容易扩散进入硅中，需要增加和硅之间的阻挡层，为此人们提出了大马士革镶嵌的方法来形成铜的互联线，随之铜互连技术逐渐取代了铝互联技术。铜的大马士革工艺，先是对硅介质进行刻蚀形成孔洞（通孔），然后沉积金属铜（PVD、CVD 或电镀），使其填充到这些孔洞中，最后再进行 CMP，即可以得到所需的金属图案。双大马士革工艺，同时形成通孔和金属两层，对刻蚀提出了更高的要求。