大马士革刻蚀工艺技术要求最高、市占率最大 原图定位

逻辑器件领域，公司大马士革刻蚀工艺取得进展。在 28nm 及以下逻辑器件领域，作为市占率最大的刻蚀工艺之一，大马士革工艺对技术的要求极高，需一次性完成通孔和沟槽的刻蚀。针对一体化大马士革工艺，公司推出了可调节电极间距的刻蚀机，反应腔的极板间距在刻蚀过程中可动态调节，从而同时满足对于通孔和沟槽刻蚀的不同工艺要求。