新能源汽车的快速发展，对半导体衬底材料提出了更高的需求，sic衬底由于耐高温、散热好等特性，是当前新能源汽车重点选择的衬底材料。本文将梳理当前全球sic衬底龙头企业。

1.美国 Wolfspeed(CREE)

业务从材料涵盖到器件制造、封装，是目前行业中少数实现SiC完整垂直产业链布局的公司。SiC衬底预计2022年产能折合6英寸达到85.2万片/年。产品包括SiC MOS和SiC SBD;纽约的全球第一座8英寸SiC晶圆厂预计在2022年第三季度量产。

2.日本 罗姆

SiC衬底业务来自于2009年收购德国SiC衬底和外延片供应商SiCrystal，实现了SiC从材料到封装的全产业链布局。在2025年扩产SiC衬底产能至30-40万片。计划到2025年投资850亿日元，使产能提升16倍。2021年1月，罗姆新厂房竣工，可满足SiC功率元器件中长期增长需求，预计2022投产。

3.美国 II-VI

主要业务涉及光通信、光电元件、siC衬底材料等，预计到2027年将达到折合每年100万片6英寸衬底的产能，8英寸衬底2024年量产。计划5年内6英寸晶圆产能扩张5-10倍，同时扩大运用差异化的材料技术的8寸晶圆产能。还在中国福州的亚洲区总部建立了一条用于导电sic衬底的后端加工线，可进行边缘研磨抛光等。

4.日本 昭和电工

具备6英寸SiC衬底和外延生产能力，与罗姆签订了长期SiC外延合同，与英飞凌签订了长期siC材料供货合同。2021年进行公募增资，第三者配额增资筹措约1100亿日元资金，其中约700亿日元将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。

5.中国 天科合达

是国内最早实现siC衬底产业化的企业，率先在国内研制出6英寸SiC衬底，以导电型SiC衬底为主。2021年6月，深圳市重投天科半导体公司(天科合达持有其25%股权)将建设碳化硅单晶和外延生产线等，总投资约22亿元。

6.中国 天岳先进

国内SiC衬底龙头，掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术，具备不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备能力。计划2026年新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年。其在上海建siC半导体材料项目，计划于2022年试生产，2026年100%达产。

延伸阅读：SiC衬底制备工艺流程

SiC衬底的制备一般采用成熟的物理气相传输法(PVT 法)，流程主要包括7步，依次是：原料合成、晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光和抛光片清洗，每一步流程中都需要进行相应参数、性能的检测，SiC衬底制备完成后，还需要在上面生长外延层，进而制备SiC器件(如 SiC MOSFET)以及SiC模组，最终应用到电动车、充电桩等下游应用中。

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