TCO复合层模型(a)与硅基隧穿层模型(b) 原图定位 (2)硅基隧穿层:采用重掺反型硅基材料,包括 n /p 的氢化非晶硅(a-Si:H, Hydrogenate damorphous silicon)或氢化纳米硅(nc-Si:H, Hydrogenated nano-crystalline silicon)等。该材料具有横向电导率、寄生损耗和反射损耗低的特点,是钙钛矿/晶硅叠层电池隧穿层的理想材料。同时隧穿层具有低温加工优势,或将成为大规模制备叠层电池的主流技术之一。