TSV工艺设备与材料 原图定位

设备，技术难度高。TSV 制造的主要工艺流程依次为：深反应离子刻蚀（DRIE）行成通孔→通过化学沉积的方法沉积中间介电层、使用物理气相沉积的方法沉积制作阻挡层和种子层→通过电镀或者 PVD 工艺在盲孔中进行铜填充→使用化学和机械抛光（CMP）去除多余的铜并对晶圆进行减薄。从工艺次序角度可分为前通孔、中通孔、后通孔和键合后通孔等几种形式。TSV 技术的工艺难度高：1）通常要求晶圆减薄到 50μｍ以下，须控制好晶圆减薄的水平度，避免裂片、飞边。2）TSV 工艺对通孔的宽度以及深宽比都有严格要求，目前首选技术是基于 Bosch 工艺的干法刻蚀，实现了对腔室内等离子体密度的均匀控制，满足硅高深宽比刻蚀工艺的要求。涉及的设备&材料：光刻机（光刻胶）、深孔刻蚀设备（电子特气）、PVD（靶材）、CVD、电镀设备（电镀液）、抛光机（抛光液）、减薄机（减薄液）等。此外，为了满足 TSV 工艺，晶圆减薄已成为大势所趋，但超薄晶圆容易产生翘曲，因此在硅转接板的完整工艺流程中（报告 3.1 节有流程介绍）还需要用到临时键合与解键合工艺：采用临时键合材料将完成一面图形制造的晶圆预键合到载片上，继续进行背面工艺制作，完成后将晶圆和载板剥离。