TGV玻璃通孔与TSV硅通孔制备流程对比 原图定位 TGV省去了沉积隔离层、绝缘层的过程。TGV的制备流程包括,先玻璃基板上进行打孔,然后采用电镀的方法将Cu沉积在基板通孔和正反面已实现电气连接,然后采用CMP的方法将表面Cu层去掉,最后采用PVD镀膜光刻方法制备RDL重布线层,去胶后最终形成钝化层。与TSV的制备流程对比,TGV省去了在衬底表面及TGV内壁沉积绝缘层的步骤(由于铜可以与硅发生反应,因此需要沉积绝缘层、隔离层),并由于玻璃基板本身就可以做的很薄,还可以省去二次减薄的过程。