图表14引线键合与TSV芯片叠层封装对比 原图定位 TSV 封装可以提高堆叠密度,降低互联延迟。TSV(Through-Silicon Vias)即硅通孔技术,指在芯片上钻孔并通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充,实现芯片的垂直电气互联。硅通孔封装的优势在于:1)可以实现较小的封装尺寸:随着堆叠芯片及连接引脚(Pin)的数量增加,引线复杂度提高并且需要更多空间容纳引线;而硅通孔芯片堆叠不需要复杂布线,封装尺寸更小。2)硅通孔封装可以实现芯片直接向下方芯片发送信号,而引线键合封装需先将信号传输至基板再传输至芯片,信号传输路径更长,因此硅通孔封装可以大大降低互联延迟,提高运行速度。TSV 结合微凸点,可以在三维方向获得最大的堆叠密度和最小的外形尺寸,同时大幅提高了芯片的速度和低功耗性能,被视为是继引线键合、载带自动键合(TAB)和倒装芯片之后的第四代封装互联技术。