混合键合工艺流程（上：W2W下：D2W） 原图定位

者整体封装步骤相似，D2W 涉及切片。在晶圆对晶圆（W2W）混合键合的工艺流程中，首先进行层间介质（ILD）的沉积，随后对 ILD 层进行精确的刻蚀。接着是铜阻挡层与种子层的沉积，为电化学沉积铜层做准备。铜电化沉积层形成后，通过化学机械抛光（CMP）对介电表面进行抛光，同时在铜中实现几纳米的凹陷。随后进行等离子体激活以生成 Si-O 键，并用去离子水冲洗介质以便于混合键合。混合键合完成后，在 350℃下进行 2 小时的退火处理，确保键合的稳定性。之后，对上层硅晶圆进行边缘处理。最后，通过背面研磨和减薄来达到预期的硅晶圆厚度和平坦度，以此完成晶圆对晶圆（W2W）混合键合的工艺流程。芯片对晶圆（D2W）工艺流程在晶圆切片前的工艺与 W2W相同。晶圆第一次完成 CMP 抛光后进行切片和清洗，准备混合键合过程。完成键合后，进行退火处理来增强界面结构的牢固度；随后的步骤是空隙填充，以确保材料的完整性。第二次 CMP 技术抛光晶圆之后进行穿孔氧化物的刻蚀，以形成铜互联，然后对氧化物刻蚀后的结构进行填充。最终，第三次执行 CMP 抛光，确保晶圆表面达到所需要的平滑度和清洁度，以完成整个 D2W 的工艺流程。