晶圆到晶圆(W2W)或芯片到晶圆(D2W)，均通过删除凸点方式减薄厚度。其中W2W 原图定位

制程节点，封装键合是原厂技术差异所在，美光产品功耗较低。美光与海力士 HBM3E 基于 1-β制程节点制造，而三星仍基于 1-α节点。同时与业界其他 HBM3 解决方案相比，美光将硅通孔（TSV）数量翻倍，增加 5 倍金属密度以降低热阻。美光 HBM3E 功耗较对手降低 30%，有助于解决堆叠散热问题，后续提升堆叠密度潜力较大。在热压键合技术方面。美光及三星主要采用 TCB（热压合）技术，用非导电薄膜填充微凸点之的间空隙，之后使用热压键合工艺连接两层 Die，海力士独家采用 MR-MUF（大规模回流焊-注塑底填充技术），相比下效率更高，同时采用自己独家研发的液体状 EMC 为主要原材料的底料填，散热性能更好。据 TheElec，三星正在尝试跟进 MUF 技术，在 JEDEC 放宽 HBM 堆叠高度限制，混合键合引入放缓的情况下，美光采取跟进 MUF 还是继续推进混合键合或将是后续跟踪重点。