DISCO针对HBM的切割方案 原图定位

晶圆减薄主要通过临时键合/解键合和晶圆减薄共同完成。随着 HBM 快速迭代，对晶圆减薄需求愈高。例如，三星 3D 热压键合封装方案中单片 wafer厚度仅 40μm。而进一步升级至 HBM4，可能采用混合键合方案时，单片wafer 厚度进一步减少为 10μm。随着厚度减小，芯片需要通过临时键合至载片上，进行下一步减薄步骤，减薄完成后，再解键合释放。过程中，如何排除键合层中心及边缘的气泡（可能导致分层及污染）和如何抗翘曲（翘曲过大会影响减薄过程中的平坦化和芯片碎裂）尤为重要，工艺也需与临时键合胶的选择相匹配。此外，对晶圆减薄设备要求进一步提升。全球减薄机厂商主要包括日本 Disco、东京精密（TOKYO SEIMITSU）、G&N 等，CR3 约为 85%，其中 DISCO 份额最高，达到 2/3。根据 DISCO 对 HBM 芯片减薄方案，在切割前，需对晶圆边缘进行切割，以防止在薄片化过程中可能产生的边缘崩坏。当前，中国大陆对日本 DICSO 的 DPG-8761 机型应用广泛，可稳定地进行厚度在 25μm 以下的减薄加工。