HBM规格对比 原图定位 AI 算力需求推动 HBM 加速落地,DRAM 芯片从 2D 走向 3D。当存储器访问速度跟不上处理器数据处理速度时,存储器访问速度将构成运算速度的主要瓶颈,即出现“存储墙”问题,而在 AI 训练为代表的高速运算下,“存储墙”问题将更加显著。从而为解决高速运算下,存储器传输速率受限于 DDR SDRAM 带宽而无法同步成长的问题,高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)应运而生,其革命性传输效率是让核心运算元件充分发挥效能的关键。HBM 通过使用硅通孔(TSV)垂直堆叠多个 DRAM,将 DRAM 芯片从 2D 结构变为 3D 结构,可显著提升数据处理速度。这一突破性存储器解决方案采用了先进的 SiP 封装方法,通过 DRAM 中的数千个微孔将上下芯片垂直互连。得益于这一封装工艺,HBM 产品的性能有所提高,同时尺寸有所减小。