根据计算,单片12英寸Wafer可切割HBM3/3EDRAM约442(=491x0.9)颗 原图定位 此外,根据 Financial Times 24 年 5 月报道引用,海力士 HBM3E TSV+键合工艺良率已近 80%,而海力士采用的 Advanced MR-MUF 键合较三星和美光采用的 TC-NCF键合在良率上有所优势(采用 TC-NCF 良率约在 40%-60%区间)。同时,台媒科技新报 24 年 3 月报道指出,供应商试图拉高良率会带来产量下降,鉴于 HBM 产能吃紧,因此确保产量优先级更高。结合上述信息,我们认为美光和三星 HBM3 量产后,伴随 产能 爬坡,工艺良率将有所提升并趋于稳定,但使 用 TC-NCF 键合所以良率仍将低于海力士,预测 24 年海力士/三星/美光整体 HBM 良率 75%/40%/45%,25 年小有爬升,将是 77%/41%/47%。