图表20.ICP和CCP的技术与工艺应用的对比 原图定位

急剧变化的感应磁场会在腔室中产生感应电场，使得初始电子获得能量继而产生低温等离子体。ICP刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软和较薄材料，例如用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。