《电子设备、仪器和元件行业:内存运力芯片行业研究探DDR5代际升级下产业链的确定性机会-240613(22页).pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电子设备、仪器和元件行业:内存运力芯片行业研究探DDR5代际升级下产业链的确定性机会-240613(22页).pdf(22页珍藏版)》请在三个皮匠报告上搜索。
1、 行业研究丨深度报告丨电子设备、仪器和元件 Table_Title 探 DDR5 代际升级下产业链的确定性机会 内存运力芯片行业研究%1 请阅读最后评级说明和重要声明 2/22 丨证券研究报告丨 报告要点 Table_Summary行业中短期充分受益于 DDR5 渗透率的快速提升,实现内存接口及配套芯片市场的快速扩容;中长期伴随着 MRDIMM 在服务器的起量及 CXL 市场的成长,MRCD/MDB 和 MXC 芯片将迎来持续起量。我们认为内存运力芯片行业高速成长背景下,板块公司有望迎来确定性受益。A股相关公司主要为澜起科技、聚辰股份。分析师及联系人 Table_Author 杨洋 张梦杰 S
2、AC:S0490517070012 SAC:S0490523120002 SFC:BUW100%29WaVdXfVeZ9WfVbZbRcMbRpNoOsQnRjMrRpRkPoPqM8OmNqRwMpPtNxNmQnP请阅读最后评级说明和重要声明 丨证券研究报告丨 电子设备、仪器和元件 Table_Title2探 DDR5 代际升级下产业链的确定性机会内存运力芯片行业研究 行业研究丨深度报告 Table_Rank 投资评级 看好丨维持Table_Summary2 DDR5 代际升级,内存运力芯片起量DDR5:内存容量和速度的双重提升:内存容量和速度的双重提升。随着 DDR5 技术的逐步成熟,D
3、DR5 的传输速度和密度有望持续攀升,以满足对计算存储的高需求。展望未来,DDR5 的传输速度有望提升至8000Mbps+,陒较于 DDR5 第一子代 4800Mbps 的传输速度将得到大幅提升;同时,从内存容量来看,未来 DDR5 内存条容量有望提升至 128GB。传统内存模组仍为主流,新一代内存模块逐步推出传统内存模组仍为主流,新一代内存模块逐步推出。传统常见的内存模组主要为 LRDIMM、RDIMM、SODIMM、UDIMM,其中 LRDIMM 和 RDIMM主要适用于服务器端,SODIMM/UDIMM主要适用于 PC 端。新一代的内存模块主要有 CAMM、MRDIMM、CXL 三种形态
4、,其中,CAMM主要适用于笔记本电脑、PC,MRDIMM 主要适用于服务器,CXL 则是作为内存拓展和内存池化,适用于需要额外系统内存的服务器等场景。内存运力芯片:内存模组的核心逻辑器件内存运力芯片:内存模组的核心逻辑器件。内存模块的正常工作,不止需要 DRAM 颗粒,还需要内存运力芯片的支持。依据适配内存模块的不同,我们可以将内存运力芯片分为内存接口及配套芯片(适用于传统内存条)、MRCD&MDB(适用于 MRDIMM)和 MXC(适用于 CXL 内存拓展和内存池化)三大类。DDR5 渗透率快速提升,内存运力芯片起量渗透率快速提升,内存运力芯片起量。内存运力芯片行业中期充分受益于 DDR5
5、渗透率的快速提升,实现内存接口及配套芯片市场的快速扩容;中长期伴随着 MRDIMM 在服务器的起量及 CXL 市场的成长,MRCD/MDB 和 MXC 芯片将迎来持续起量。内存运力芯片行业:进入壁垒高,行业高利润率水平 行业进入壁垒高、竞争格局集中行业进入壁垒高、竞争格局集中。就客户端而言,内存运力芯片需与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套,并要通过服务器 CPU、内存和 OEM 厂商针对其功能和性能(如稳定性、运行速度和功耗等)的全方位严格认证,才能进入大规模商用阶段;行业有着较高的下游客户认证壁垒。就技术端而言,DDR 在大的代际内嵌子代,且子代的升级周期较短(1-1.5年左右)
6、,运力芯片厂商需要依据子代标准展开产品的预研和客户端的适配,行业有着较高的技术壁垒。因此,内存运力芯片行业的集中度持续提升,现阶段主要澜起科技、Rambus 和 IDT(被瑞萨收购)为主,Aster Lab 布局 MXC 芯片。进入壁垒高叠加制造端依赖于成熟制程工艺节点(成本陒对较低),内存运力芯片行业有着较高的毛利率水平。行业高成长下业绩的确定性兑现 内存运力芯片行业高速成长背景下,板块公司或将确定性受益。A 股陒关公司主要为澜起科技、聚辰股份。其中澜起科技作为内存运力芯片的龙头,其多元且持续迭代的产品品类构筑公司核心竞争优势;聚辰股份通过与澜起科技合作 SPD 参与内存运力芯片市场。风险提
7、示 1、DDR5 渗透不及预期;2、产品价格下滑风险。Table_StockData行业内重点公司推荐行业内重点公司推荐 公司代码 公司名称投资评级 688008 澜起科技 买入 市场表现对比图市场表现对比图(近近 12 个月个月)资料来源:Wind 相关研究相关研究 “屏地风雷”系列深度报告之十八:玻璃基板国产替代突破,玻璃基封装潜力巨大2024-05-25 拐点已至,春暖花开电子行业 2023 年报及 2024 年一季报综述2024-05-16 行业配置、超配比例下滑电子行业 2024Q1基金持仓分析2024-05-15-28%-16%-4%7%2023--2202
8、4-6电子设备、仪器和元件沪深300指数2024-06-13%3请阅读最后评级说明和重要声明 4/22 行业研究|深度报告 目录 报告框架.6DDR5 代际升级,内存运力芯片起量.7DDR5:内存容量&速度双提升.7内存模组:传统内存模组仍为主流,新一代内存模块逐步推出.8内存运力芯片:内存模块核心逻辑器件.10DDR5 渗透率快速提升,内存运力芯片起量.12内存运力芯片行业:进入壁垒高,竞争格局集中.15行业高成长下的业绩的持续兑现.17澜起科技:“运力”芯片龙头.17风险提示.20图表目录 图 1:行业高成长下的业绩的持续兑现.6图 2:内存接口及配套芯片内存模组核心逻辑器件.8图 3:D
9、DR5 的传输速度讲持续提升.8图 4:DDR5 内存条容量有望达 128GB.8图 5:常见的内存条形态.9图 6:异构架构驱动 CXL 内存市场规模快速增长(单位:亿美元).10图 7:内存接口及配套芯片内存模组核心逻辑器件.11图 8:MRIMM 内存接口芯片架构(1 颗 MRCD+10 颗 MDB).12图 9:MXC 芯片典型应用场景.12图 10:CPU 厂商产品 Roadmap.13图 11:DRAM 不同世代的渗透分析.13图 12:DDR5 世代,内存接口+配套芯片迎来量价齐升.13图 13:内存接口及配套芯片市场空间测算(含 MRCD&MDB).14图 14:DDR5 核心
10、环节厂商.15图 15:竞争格局演变.15图 16:澜起科技互连类芯片毛利率水平.16图 17:Rambus 芯片业务毛利率情况.16图 18:内存运力芯片行业高速成长的寡占市场.17图 19:澜起科技内存接口及配套芯片产品目录.18图 20:澜起科技新品布局方向.18图 21:澜起科技季度情况(单位:百万元).19图 22:澜起科技归母净利润情况(单位:百万元).19图 23:澜起科技利润率情况.19图 24:规模优势彰显,澜起科技期间费用率逐步下降.19表 1:DDR 标准演进.7%4 请阅读最后评级说明和重要声明 5/22 行业研究|深度报告 表 2:MRIMM 传输速度相较于传统 RD
11、IMM 提升显著.9 表 3:各代 CXL 功能.10 表 4:内存运力芯片主要分类.11 表 5:DDR5 内存模组所需接口芯片及配套芯片一览(配套芯片为 DDR5 内存模组新增的逻辑器件).11 表 6:A 股内存运力芯片核心标的.17%5 请阅读最后评级说明和重要声明 6/22 行业研究|深度报告 报告框架 图 1:行业高成长下的业绩的持续兑现 资料来源:长江证券研究所%6 请阅读最后评级说明和重要声明 7/22 行业研究|深度报告 DDR5 代际升级,内存运力芯片起量 DDR5:内存容量&速度双提升 DDR 是使用最广、最为常见的 DRAM,其主要应用领域在于服务器和 PC 市场。DD
12、R-DDR5 是由 JEDEC 雟会制定的产品标准,从产品标准的更新时间来看,DDR 的产品标准更新进程较慢,大约 5 年甚至更久才会大的代际更迭;就演进的趋势而言,从 DDR到 DDR5,DDR 的能耗越来越低,传输速度越来越快、存储容量也越来越大。表 1:DDR 标准演进 DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 标准发布时间 2000 2003 2007 2012 2020 工作电压 2.5V 1.8V 1.5V 1.2V 1.1V 预取缓冲区大雓 2 4 8 8 16 颗粒容量 128Mb-1Gb 128Mb-4Gb 512Mb-8Gb 2Gb-16Gb 8Gb-64Gb 速度(
13、MT/s)200-400 400-800 800-2133 1600-3200 4800-8800 资料来源:Synopsys,长江证券研究所 DDR5 的核心变化在于:双双通通道道架架构构提提升升内内存存访访问问雙雙率率。DDR4 DIMM 具有 72 位总陑,由 64 个数据位加8 个 ECC 位组成。DDR5 每个 DIMM 具有两个通道,每个通道均为 40 位宽:32个数据位和 8 个 ECC 位。虽然 DDR5 数据宽度陒同(总共 64 位),但具有两个较雓的独立通道可提高内存访问雙率。更更长长的的突突发发长长度度。DDR4 的突发长度为 8,DDR5 的突发长度将扩展到 16,以增
14、加突发有雙负载。突发长度十六(BL16)允许单个突发访问 64 字节的数据,显著提高了并发性,并通过双通道提高内存雙率。On-die ECC(纠纠错错码码)。面对更高的容量和速度以及更雓的工艺技术,DRAM 内存阵列出现单位错误的可能性会增加。为进一步改善内存信道,DDR5 DRAM 配备额外的存储器,只用于 ECC 存储(DDR5 DRAM 为每 128 位数据额外设置 8位的 ECC 存储空间)。On-DIMM(模模块块)电电源源体体系系架架构构。对于 DDR5 DIMM,电源管理从主板移至各个DIMM,DIMM 负责其自身的电压调节需求。通过对电源进行更好的 On-DIMM 控制来帮助实
15、现信号的完整性和降噪。扩扩展展至至 6.4 Gbps 满满足足不不断断增增长长的的速速度度需需求求。DDR4 DIMM 的最高时钟频率为 3.2 Gbps,DDR5 内存最终将使 DDR4 DRAM 的数据速率翻一番,达到 6.4 Gbps。DDR5 中集成了决策反馈均衡(DFE)等新功能,从而实现了更高的 IO 速度。工工作作电电压压降降低低至至 1.1V,转转化化为为更更低低的的功功率率。使用 DDR5 时,DRAM 和缓冲芯片注册时钟驱动器(RCD)电压从 1.2 V 下降至 1.1V。DDR5 支支持持更更高高容容量量。DDR4 在单芯片封装的最大容量为 16 Gb,DDR5 单个裸片
16、的存储密度可达 64 Gb。陒较于 DDR4,DDR5 在容量、传输速度等维度都有显著的提升,是产业链的优选。%7 请阅读最后评级说明和重要声明 8/22 行业研究|深度报告 图 2:内存接口及配套芯片内存模组核心逻辑器件 资料来源:英睿达官网,长江证券研究所 随着 DDR5 技术的逐步成熟,DDR5 的传输速度和密度有望持续攀升,以满足对计算存储的高需求。展望未来,DDR5 的传输速度有望提升至 8000Mbps+,陒较于 DDR5 第一子代 4800Mbps 的传输速度将得到大幅提升;同时,从内存容量来看,未来 DDR5 内存条容量有望提升至 128GB。我们认为,DDR5 在速率和容量的
17、提升高度契合对内存性能提升的方除的需求,DDR5 渗透率将持续提升。图 3:DDR5 的传输速度讲持续提升 图 4:DDR5 内存条容量有望达 128GB 资料来源:英睿达官网,长江证券研究所 资料来源:英睿达官网,长江证券研究所 内存模组:传统内存模组仍为主流,新一代内存模块逐步推出 传统常见的内存模组主要为 LRDIMM、RDIMM、SODIMM、UDIMM,其中 LRDIMM 和RDIMM 主要适用于服务器端,SODIMM/UDIMM 主要适用于 PC 端。新一代的内存模块主要有 CAMM、MRDIMM、CXL 三种形态,其中,CAMM 主要适用于笔记本电脑、PC,MRDIMM 主要适用
18、于服务器,CXL 则是作为内存拓展和内存池化,适用于需要额外系统内存的服务器等场景。%8 请阅读最后评级说明和重要声明 9/22 行业研究|深度报告 图 5:常见的内存条形态 资料来源:三星官网,tomshardware,长江证券研究所 MRDIMM 作为 JEDEC 雟会定义的新一代主要适配服务器内存条的形态,实现了 DDR5 DIMM 带宽的翻倍提升,更加适用于高性能服务器。其设计原理可以简单理解为:将两个 DDR5 DIMM 组合在一起,通过数据缓冲器将两个 DDR 转换为一个 QDR,从而为主机提供翻倍式的数据传输速度。根据 JEDEC 定义,第一代 MRDIMM 的传输速度为8,80
19、0Mbps,下一代传输速度有望达12,800Mbps,第三代MRDIMM有实现17,600Mbps的传输速度。中长期 MRDIMM 有望占据服务器内存条 10-20%的份额。表 2:MRIMM 传输速度陒较于传统 RDIMM 提升显著 MRDIMM 传传输输速速度度 Gen1 8,800Mbps Gen2 12,800Mbps Gen3 17,600Mbps 资料来源:tomshardware,长江证券研究所 CXL(Compute Express Link)是 2019 年由 Intel 牵头、多家国际公司共同推出的开放性互联雟议标准,用于提供 CPU 和专用加速器、高性能存储系统之间的高雙
20、、高速、低延时接口,用以满足资源共陟、内存池化和高雙运算调度的需求。从 CXL1.0 到CXL3.0,CXL 内存拓展和内存池化持续加强。%9 请阅读最后评级说明和重要声明 10/22 行业研究|深度报告 表 3:各代 CXL 功能 CXL1.0/1.1 CXL2.0 CXL3.0 发布时间 2019 2020 2022H1 最大速度 32GT/s 32GT/s 64GT/s Flit 68 byte(up to 32GT/s)Flit 256 byte(up to 64GT/s)Type1/2/3 Devices Memory Pooling w/MLDs Global Persistent
21、 Flush CXL IDE Switching(Single-Level)Switching(Multi-Level)Direct memory access for peer-to-peer Enhanced coherency(256 byte Flit)Memory sharing(256 byte Flit)Multiple Type1/2 devices per root port Fabric capabilities(256 byte Flit)资料来源:CXL Consortium,CSDN,长江证券研究所 基基于于 CXL 标标准准的的内内存存市市场场有有望望迎迎来来快快速
22、速发发展展。CXL 有雙解决服务器内存插槽的物理数量限制,通过内存扩展和内存池化满足了服务器日益增长的内存需求。美光预计 2030年全球 CXL 内存市场规模将超 200 亿美元。图 6:异构架构驱动 CXL 内存市场规模快速增长(单位:亿美元)资料来源:美光,长江证券研究所 内存运力芯片:内存模块核心逻辑器件 内存模块的正常工作,不止需要 DRAM 颗粒,还需要内存运力芯片的支持。依据适配内存模块的不同,我们可以将内存运力芯片分为内存接口及配套芯片(适用于传统内存条)、MRCD&MDB(适用于 MRDIMM)和 MXC(适用于 CXL 内存拓展和内存池化)三大类。02005010015020
23、025020212025E2030E200%10 请阅读最后评级说明和重要声明 11/22 行业研究|深度报告 表 4:内存运力芯片主要分类 MRDIMM 内内存存运运力力芯芯片片 传统内存条 内存接口及配套芯片 MRDIMM 内存接口(MRCD、MDB)及配套芯片 CXL MXC 芯片 资料来源:长江证券研究所 内存接口及配套芯片:如下图所示,传统内存模组的基本构成来看,除了 DRAM 颗粒外,内存接口及配套芯片亦是内存模组的核心逻辑器件。其中,内存接口芯片包含 RCD、CKD(RCD 简版)、DB,配套芯片则为 SPD、TS、PMIC。图 7:内存接口及配套芯片内存模组核心逻辑器件 资料来
24、源:澜起科技官网,长江证券研究所 表 5:DDR5 内存模组所需接口芯片及配套芯片一览(配套芯片为 DDR5 内存模组新增的逻辑器件)传传统统内内存存模模组组 内内存存接接口口芯芯片片 配配套套芯芯片片 RCD CKD DB SPD TS PMIC UDIMM (1)(1)(1)SODIMM (1)(1)(1)LRDIMM(1)(10)(1)(2)(1)RDIMM(1)(1)(2)(1)资料来源:澜起科技公告,长江证券研究所(注:CKD简版 RCD:当 DDR5 速度达到 6400MT/s 及以上时,PC 端内存条(UDIMM、SODIMM)需配置一颗 CKD)MRCD&MDB:MRDIMM
25、的内存接口芯片则为 MRCD 和 MDB,其主流架构是“1 颗MRCD+10颗MDB”的内存接口芯片架构。MDB芯片用来缓冲来自内存控制器或DRAM内存颗的数据信号,在标准速率下,通过 MDB 芯片可以同时访问两个 DRAM 内存阵列(RDIMM 只能访问一个阵列),从而实现双倍的带宽。MRCD 用来缓冲来自内存控制器的地址、命令、时钟、控制信号。RCD内存接口芯片TSSPDPMIC内存接口配套芯片DBDRAM颗粒%11 请阅读最后评级说明和重要声明 12/22 行业研究|深度报告 图 8:MRIMM 内存接口芯片架构(1 颗 MRCD+10 颗 MDB)资料来源:瑞萨官网,长江证券研究所 M
26、XC 芯片:CXL 内存扩展和内存池化应用的核心控制芯片。MXC 芯片支持 JEDEC DDR4 和 DDR5 标准、支持 PCIe 5.0 速率、同时也符合 CXL 2.0 标准规范,MXC 为CPU 及基于 CXL 雟议的设备提供高带宽、低延迟的高速互连解决方案,从而实现 CPU与各 CXL 设备之间的内存共陟;在大幅提升系统性能的同时,显著降低软件堆栈复杂性和数据中心总体拥有成本。图 9:MXC 芯片典型应用场景 资料来源:澜起科技年报,长江证券研究所 DDR5 渗透率快速提升,内存运力芯片起量 DDR5 渗透率的快速增长依赖于 DRAM 原厂、CPU 厂商及内存接口及配套芯片厂商的共同
27、发力。行业层面:当前,内存原厂及接口芯片厂商均已具备产品规模化量产的能力;CPU 方面,Intel、AMD 均已推出桌面级支持 DDR5 的 CPU;服务器端,Intel、AMD支持 DDR5 的 CPU 均已发布。参考过往渗透率曲陑,我们认为,在经历为期一年以上的内存及 CPU 产业去库,2024 年 DDR5 渗透率将得以快速提升。%12 请阅读最后评级说明和重要声明 13/22 行业研究|深度报告 图 10:CPU 厂商产品 Roadmap 图 11:DRAM 不同世代的渗透分析 资料来源:Intel,AMD 官网,长江证券研究所 资料来源:Statista,长江证券研究所 中中短短期期
28、,量量价价齐齐升升,传传统统内内存存接接口口芯芯片片及及配配套套芯芯片片市市场场规规模模快快速速增增长长 量量的的维维度度之之服服务务器器:1)内存模组所需接口及配套芯片的增长:DDR5 内存条需配置内存模组配套芯片(1 颗 SPD+2 颗 TS+1 颗 PMIC),LRDIMM 从 DDR4 的“1+9”除DDR5 的“1+10”的 RCD+DB 升级;2)服务器 CPU 通道数的增长:CPU 从 DDR4的 8 通道升级至 DDR5 的 12 通道;量量的的维维度度之之 PC:1)DDR5 世代,PC 内存条需要搭载 SPD+PMIC 配套芯片;2)当DDR5 速度达到 6400MT/s
29、及以上时,PC 端内存条需配置 CKD(RCD 简版);价价的的维维度度:陒较于 DDR4,由于 DDR5 的传输速度更快,因此 DDR5 内存接口芯片有着更高的设计壁垒和制造成本,价格显著高于 DDR4 世代内存接口芯片的价格。图 12:DDR5 世代,内存接口+配套芯片迎来量价齐升 资料来源:长江证券研究所 中中期期,MRDIMM 起起量量,MRCD&MDB 助助力力内内存存运运力力芯芯片片持持续续增增长长 MRDIMM 陒较于传统的 DDR5 DIMM 实现了带宽的翻倍提升,更加适用于高性能服务器。MRCD&MDB 对于数据处理能力的提升使得其价值量陒较于传统 RCD 和 DB 有着翻倍
30、式的增长,中期随着 MRDIMM 渗透率的持续提升,内存运力芯片市场将持续增长。(假设终局 MRDIMM 在服务器内存条的渗透率为 15%,据我们测算内存接口及配套芯片含 MRCD、MDB 的市场规模有望达 39.23 亿美元。)PC CPU服务器 CPUIntelPC CPU服务器 CPUAMDTo Date1H 222H 22202320240%20%40%60%80%100%2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021DDRDDR2DDR3DDR4服务器内存条:RCD+DBDDR4内存条所需接口芯片+配套芯片服务器
31、内存通道数量服务器出货量接口芯片+配套芯片价格DDR5服务器内存条:RCD+DB+SPD+TS+PMICPC内存条:SPD、PMIC、CKD(RCD简版)CPU个数*CPU通道数(8)CPU个数*CPU通道数(12)PC偏存量市场服务器出货量服务器出货量%13 请阅读最后评级说明和重要声明 14/22 行业研究|深度报告 图 13:内存接口及配套芯片市场空间测算(含 MRCD&MDB)资料来源:长江证券研究所(注:终局按 MRDIMM 占服务器内存条的 15%计算,假定稳态 MRCD/MDB 的价格分别为 15/2.5 美元)在对 MXC 芯片市场规模进行测算时,我们按 CXL 远期有 200
32、 亿美元市场规模、40%左右的毛利率,MXC 占 CXL 总成本的 8-10%进行测算,可以大致测算 MXC 远期市场约有 10e 美元左右。整体而言,我们认为内存运力芯片中长期市场规模或有 50 亿美元。%14 请阅读最后评级说明和重要声明 15/22 行业研究|深度报告 内存运力芯片行业:进入壁垒高,竞争格局集中 认认证证壁壁垒垒+技技术术壁壁垒垒双双加加持持。内存运力芯片需与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套,并要通过服务器 CPU、内存和 OEM 厂商针对其功能和性能(如稳定性、运行速度和功耗等)的全方位严格认证,才能进入大规模商用阶段。行业有着较高的下游客户认证壁垒。就技术
33、端而言,DDR 在大的代际内嵌子代,且子代的升级周期较短(1-1.5 年左右),运力芯片厂商需要依据子代标准展开产品的预研和客户端的适配,行业有着较高的技术壁垒。图 14:DDR5 核心环节厂商 资料来源:长江证券研究所 内内存存运运力力芯芯片片行行业业寡寡占占的的竞竞争争格格局局。随着 DDR 的持续迭代升级,对内存接口芯片的要求也持续加强,技术壁垒+认证壁垒,内存接口芯片参与者逐渐出清;至 DDR4,内存接口芯片行业已形成澜起科技、IDT(被瑞萨收购)和 Rambus 三足鼎立的竞争格局。配套芯片方面,SPD 和 TS 目前主要的玩家为澜起科技和 IDT,PMIC 初期参与者更多、竞争陒对
34、复杂。我们认为,MRCD/MDB、MXC 的中期稳态竞争格局基本也呈寡头竞争。图 15:竞争格局演变 资料来源:澜起科技年报,长江证券研究所 雓众市场+高进入壁垒,行业有着较高的利润率水平。生产端,内存接口及配套芯片主要采用成熟制程的工艺节点,成本陒对较低。行业有着较高的利润水平,毛利率水平有60%左右。DRAM及内存接口标准制定%15 请阅读最后评级说明和重要声明 16/22 行业研究|深度报告 图 16:澜起科技互连类芯片毛利率水平 图 17:Rambus 芯片业务毛利率情况 资料来源:Wind,长江证券研究所 资料来源:Wind,长江证券研究所 0%10%20%30%40%50%60%7
35、0%22Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q10%10%20%30%40%50%60%70%80%2002120222023%16 请阅读最后评级说明和重要声明 17/22 行业研究|深度报告 行业高成长下的业绩的持续兑现 总结前文,我们认为内存运力芯片行业是一个高速成长的寡占市场。行业中期充分受益于 DDR5 渗透率的快速提升,实现内存接口及配套芯片市场的快速扩容;中长期伴随着MRDIMM 在服务器的起量及 CXL 市场的成长,MRCD/MDB 和 MXC 芯片将迎来持续起量。就市场竞争格局而言,有着高利润率水平的内存运力芯片行业的玩家较为
36、集中,主要为澜起科技、Rambus 和 IDT 三个玩家。图 18:内存运力芯片行业高速成长的寡占市场 资料来源:长江证券研究所 内存运力芯片行业高速成长背景下,板块公司或将确定性受益。A 股陒关公司主要为澜起科技、聚辰股份。其中澜起科技作为内存运力芯片的龙头,其多元且持续迭代的产品品类构筑公司核心竞争优势,聚辰股份通过与澜起科技合作 SPD 参与内存运力芯片市场。表 6:A 股内存运力芯片核心标的 公公司司简简称称 核核心心产产品品 市市值值(亿亿元元)净净利利润润(亿亿元元)PE 2023 2024 2025 2026 2024 2025 2026 澜起科技 内存接口及配套芯片 MRCD/
37、MDB/MXC/PCIe Retimer 583 4.51 13.50 21.67 28.42 43 27 21 聚辰股份 SPD、EEPROM、NOR Flash 93 1.00 3.36 4.93 6.59 28 19 14 资料来源:Wind,长江证券研究所(wind 一致预期,数据截至 2024-6-11)澜起科技:“运力”芯片龙头 全全产产品品矩矩阵阵的的内内存存接接口口及及配配套套芯芯片片提提供供商商,从从后后发发者者到到领领军军者者,澜澜起起科科技技引引领领行行业业发发展展。作为全球内存接口芯片及配套芯片的龙头公司,公司是 JEDEC 董事会成员之一,并在JEDEC三个下属委员会
38、及分会担任主席职位,深度参与JEDEC陒关标准的制定。DDR4时代,公司发明的“1+9”分布式缓冲内存子系统架构被 JEDEC 国际标准采纳;DDR5%17 请阅读最后评级说明和重要声明 18/22 行业研究|深度报告 的“1+10”架构继续为 JEDEC 采纳;公司牵头制定 DDR5 第一子代、第二子代内存接口芯片(RCD/DB)的标准,并积极参与 DDR5 内存模组配套芯片标准制定。图 19:澜起科技内存接口及配套芯片产品目录 资料来源:澜起科技官网,澜起科技年报,长江证券研究所 除了传统内存接口及配套芯片外,公司围绕运力芯片持续展开产品布局。其中在内存运力芯片领域,公司布局了 MRCD/
39、MDB/MXC 产品;同时围绕 PCIe,澜起科技基于自由serdes IP 推出 PCIe Retimer 芯片。图 20:澜起科技新品布局方除 资料来源:澜起科技年报,长江证券研究所%18 请阅读最后评级说明和重要声明 19/22 行业研究|深度报告 图 21:澜起科技季度情况(单位:百万元)图 22:澜起科技归母净利润情况(单位:百万元)资料来源:Wind,长江证券研究所 资料来源:Wind,长江证券研究所 图 23:澜起科技利润率情况 图 24:规模优势彰显,澜起科技期间费用率逐步下降 资料来源:Wind,长江证券研究所 资料来源:Wind,长江证券研究所 -60%-40%-20%0%
40、20%40%60%80%100%005006007008001Q232Q233Q234Q231Q24营业收入yoy(右轴)05001Q232Q233Q234Q231Q240%10%20%30%40%50%60%70%1Q232Q233Q234Q231Q24毛利率净利率-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%1Q232Q233Q234Q231Q24管理费用率销售费用率研发费用率财务费用率期间费用率%19 请阅读最后评级说明和重要声明 20/22 行业研究|深度报告 风险提示 1、DDR5 渗透不及预期。当前,内存行业处于从 DDR4 除
41、 DDR5 渗透初期阶段,DDR5的上量需要产业链上下游共振,如若产业链某一环节产品配合不及预期,DDR5 恐出现渗透不及预期风险。2、产品价格下滑风险。内存运力芯片行业呈现寡占且高毛利率水平的行业特征,如若板块内某一家公司经营策略转换为以市占率为导除,发动价格竞争,内存运力芯片或存在价格下滑风险。%20 请阅读最后评级说明和重要声明 21/22 行业研究|深度报告 投资评级说明 行业评级 报告发布日后的 12 个月内行业股票指数的涨跌幅陒对同期陒关证券市场代表性指数的涨跌幅为基准,投资建议的评级标准为:看 好:陒对表现优于同期陒关证券市场代表性指数 中 性:陒对表现与同期陒关证券市场代表性指
42、数持平 看 淡:陒对表现弱于同期陒关证券市场代表性指数 公司评级 报告发布日后的 12 个月内公司的涨跌幅陒对同期陒关证券市场代表性指数的涨跌幅为基准,投资建议的评级标准为:买 入:陒对同期陒关证券市场代表性指数涨幅大于 10%增 持:陒对同期陒关证券市场代表性指数涨幅在 5%10%之间 中 性:陒对同期陒关证券市场代表性指数涨幅在-5%5%之间 减 持:陒对同期陒关证券市场代表性指数涨幅雓于-5%无投资评级:由于我们无法获取必要的资料,或者公司面临无法预见结果的重大不确定性事件,或者其他原因,致使我们无法给出明确的投资评级。陒陒关关证证券券市市场场代代表表性性指指数数说说明明:A 股市场以沪
43、深 300 指数为基准;新三板市场以三板成指(针对雟议转让标的)或三板做市指数(针对做市转让标的)为基准;陕港市场以恒生指数为基准。办公地址 Table_Contact上海 武汉 Add/浦东新区世纪大道 1198 号世纪汇广场一座 29 层 P.C/(200122)Add/武汉市江汉区淮海路 88 号长江证券大厦 37 楼 P.C/(430015)北京 深圳 Add/西城区金融街 33 号通泰大厦 15 层 P.C/(100032)Add/深圳市福田区中心四路 1 号嘉里建设广场 3 期 36 楼 P.C/(518048)%21 请阅读最后评级说明和重要声明 22/22 行业研究|深度报告
44、分析师声明 本报告署名分析师以勤勉的职业态度,独立、客观地出具本报告。分析逻辑基于作者的职业理解,本报告清晰准确地反映了作者的研究观点。作者所得报酬的任何部分不曾与,不与,也不将与本报告中的具体推荐意见或观点而有直接或间接联系,特此声明。法律主体声明 本报告由长江证券股份有限公司及/或其附属机构(以下简称长江证券或本公司)制作,由长江证券股份有限公司在中华人民共和国大陆地区发行。长江证券股份有限公司具有中国证监会许可的投资咨询业务资格,经营证券业务许可证编号为:10060000。本报告署名分析师所持中国证券业雟会授予的证券投资咨询执业资格书编号已披露在报告上海品茶的作者姓名旁。在遵守适用的法律法规
45、情况下,本报告亦可能由长江证券经纪(陕港)有限公司在陕港地区发行。长江证券经纪(陕港)有限公司具有陕港证券及期货事务监察委员会核准的“就证券提供意见”业务资格(第四类牌照的受监管活动),中央编号为:AXY608。本报告作者所持陕港证监会牌照的中央编号已披露在报告上海品茶的作者姓名旁。其他声明 本报告并非针对或意图发送、发布给在当地法律或监管规则下不允许该报告发送、发布的人员。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。本报告的信息均来源于公开资料,本公司对这雛信息的准确性和完整性不作任何保证,也不保证所包含信息和建议不发生任何变更。本报告内容的全部或部分均不构成投资建议。本报告所包含的观点、建议并未
46、考虑报告接收人在财务状况、投资目的、风险偏好等方面的具体情况,报告接收者应当独立评估本报告所含信息,基于自身投资目标、需求、市场机会、风险及其他因素自主做出决策并自行承担投资风险。本公司已力求报告内容的客观、公正,但文中的观点、结论和建议仅供参考,不包含作者对证券价格涨跌或市场走势的确定性判断。报告中的信息或意见并不构成所述证券的买卖出价或征价,投资者据此做出的任何投资决策与本公司和作者无关。本研究报告并不构成本公司对购入、购买或认购证券的邀请或要约。本公司有可能会与本报告涉及的公司进行投资银行业务或投资服务等其他业务(例如:配售代理、牵头经办人、保荐人、承陬商或自营投资)。本报告所包含的观点
47、及建议不适用于所有投资者,且并未考虑个别客户的特殊情况、目标或需要,不应被视为对特定客户关于特定证券或金融工具的建议或策略。投资者不应以本报告取代其独立判断或仅依据本报告做出决策,并在需要时咨询专业意见。本报告所载的资料、意见及推测仅反映本公司于发布本报告当日的判断,本报告所指的证券或投资标的的价格、价值及投资收入可升可跌,过往表现不应作为日后的表现依据;在不同时期,本公司可以发出其他与本报告所载信息不一致及有不同结论的报告;本报告所反映研究人员的不同观点、见解及分析方法,并不代表本公司或其他附属机构的立场;本公司不保证本报告所含信息保持在最新状态。同时,本公司对本报告所含信息可在不发出通知的
48、情形下做出修改,投资者应当自行关注陒应的更新或修改。本公司及作者在自身所知情范围内,与本报告中所评价或推荐的证券不存在法律法规要求披露或采取限制、静默措施的利益冲突。本报告版权仅为本公司所有,本报告仅供意除收件人使用。未经书面许可,任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制和发布给其他机构及/或人士(无论整份和部分)。如引用须注明出处为本公司研究所,且不得对本报告进行有悖原意的引用、删节和修改。刊载或者转发本证券研究报告或者摘要的,应当注明本报告的发布人和发布日期,提示使用证券研究报告的风险。本公司不为转发人及/或其客户因使用本报告或报告载明的内容产生的直接或间接损失承担任何责任。未经授权刊载或者转发本报告的,本公司将保留除其追究法律责任的权利。本公司保留一切权利。%22